1)Speech production measurement言语参数测量
2)parametric language参数化语言
1.Optimization design of arch-axis coefficient based on the APDL parametric language;基于APDL参数化语言实现拱轴系数m的优化设计
2.This text discuss the principal process that design the optimum design program of the space network structure with the ANSYS parametric language.论述了用有限元软件ANSYS参数化语言(APDL)设计空间网架结构的优化设计程序的主要过程,重点解决了程序的优化设计器与程序前三模块的接口问题,使得结构每一杆件在现有钢管材料规格表中选取最优规格,从而达到整个结构的总重量最轻。
英文短句/例句
1.Topology Optimization Design of Microstructure based on the ANSYS Parameter Language基于ANSYS参数化语言的微结构拓扑优化设计
2.Optimization of Cable-membrane Form-finding and Load-case Analysis Based on APDL of ANSYS;基于ANSYS参数化语言的索膜结构找形优化和荷载分析
3.The Application of UIDL in ANSYS Parametric Modeling;UIDL语言在ANSYS参数化建模中的应用
4.Optimization Design of Portal Frame Structures Based on APDL基于ANSYS参数化设计语言的门式刚架优化设计
5.Data transferring betwwen actual parameter and formula parameter of language function;C语言函数形参与实参之间的数据传递
6.A Disk Cam Parametric Modeling Method Based on APDL and Its Modal Analysis基于APDL语言的盘形凸轮参数化建模及其模态分析方法
7.From Metonymic Scenario to Pragmatic Parameters and Illocutionary ICM;从转喻场境到语用参数和言外ICM
8.A Parametric Approach to the Typology of Subtopics in Chinese Dialects;汉语方言受事话题句类型的参数分析
9.TO Use The Parameter In Subprogram Of Pascal Language;Pascal语言子程序中参数的使用
10.Study on the Acoustic Parameters of Motor Speech Disorders Based on MSP言语运动分析软件(MSP)的参数研究
11.Analysis and Study Based on C Language Number Group Famous Production Function Parameter基于C语言数组名作函数参数问题的分析研究
12.Resetting the Pro-drop Parameter under Language Input;从语言输入的角度看主语脱落参数的再设定
13.The Problem about the Pointer Used as the Parameter of Function in C Language关于C语言中使用指针作为函数参数的问题
14.A New Horizon in Chinese-Dialect-Grammar Studies under the Principles-and-Parameters Framework原则和参数框架为方言语法研究提供的新视野——评介《汉语方言语法的参数理论》
15.A Parameterized Exploration on the Interface between UG and IL;普遍语法与中介语接口的参数化研究
16.Environment Parameters' Measure and Information Transmittal Based on Java基于Java语言的环境参数监测与信息上传
17.Theories of language learning are considered, including parameter-setting and maturation.考量语言学习理论，包括参数设定和成熟度。
18.It has been implemented tinder MS-DOS,and used in a boiler-parts parameter CAD system.它已在微机上用TURBOC语言实现，并在锅炉部件参数化设计CAD系统中取得了实际应用。
相关短句/例句
parametric language参数化语言
1.Optimization design of arch-axis coefficient based on the APDL parametric language;基于APDL参数化语言实现拱轴系数m的优化设计
2.This text discuss the principal process that design the optimum design program of the space network structure with the ANSYS parametric language.论述了用有限元软件ANSYS参数化语言(APDL)设计空间网架结构的优化设计程序的主要过程,重点解决了程序的优化设计器与程序前三模块的接口问题,使得结构每一杆件在现有钢管材料规格表中选取最优规格,从而达到整个结构的总重量最轻。
3)Parameter measurement参数测量
1.A new method of RLC parameter measurement;一种RLC参数测量新方法
2.Study of parameter measurement and location method in non-cooperative bistatic radar;非合作双基地雷达参数测量与定位方法研究
3.The SLIM parameters have clear errors to the real values on the base of the RIM parameter measurement method because there are larger air gap and edge effect.SLIM相对旋转异步电机(RIM)存在气隙大、边缘效应等,若采用RIM开路和短路试验方法,会给参数测量带来较大误差。
4)Parameter measure参数测量
5)parameter measuring参数测量
6)measurement parameter测量参数
1.The precision of measurement parameters is analyzed and calculated.对发动机台架试验中几个重要测量参数的精度进行了分析计算 ,并给出了已知总体精度要求的情况下确定其他测量参数精度的方法。
延伸阅读
半导体材料电学参数测量半导体材料电学参数测量electric parameter measurement for semiconductor material bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
