Fe掺杂,Fe doping
1)Fe dopingFe掺杂
1.The effect of Fe doping on the transport and photo-induced properties of La_0.在激光作用下,薄膜在TTP)则减小,随着Fe掺杂量的增加,光致电阻相对变化极值增加,当x=0·15时,光致电阻变化率极大值达到38%。
英文短句/例句

1.Preparation and Properties of Ag-doped and Fe-Doped Zinc Oxide FilmsAg掺杂和Fe掺杂氧化锌薄膜的制备及性能研究
2.Fe-doped In_2O_3 Room Temperature Ferromagnetic Semiconductor;Fe掺杂In_2O_3室温磁性半导体
3.Structure and Properties of AlN and Fe-doped AlN Films;AlN和Fe掺杂AlN薄膜的结构与性质
4.Research on thermoelectric properties of Fe doped ZnOFe掺杂ZnO材料的热电性能研究
5.Photocatalytic Oxidation of Nitrogen Oxides over Fe-doped TitaniaFe掺杂TiO_2光催化氧化NO_2研究
6.Structure and Magnetic Properties of Fe-Doped ZnO Dilute Magnetic SemiconductorsFe掺杂ZnO稀磁半导体的结构与磁性
7.Study of Room Temperature Ferromagnetism in Fe-doped ZnO Diluted Magnetic SemiconductorsFe掺杂ZnO稀磁半导体室温铁磁性研究
8.Structure and Photoluminescence Properties of Fe-ZnO Films Deposited on Si and Al_2O_3;Si，Al_2O_3衬底上Fe掺杂ZnO薄膜结构及光致发光性质
9.Fe Doping Activation and Defect in Semi-insulating InP;半绝缘InP单晶的Fe掺杂激活及缺陷研究
10.Fe-doped ZnO Diluted Magnetic Semiconductor Prepared by Sol-Gel Method;溶胶—凝胶法制备Fe掺杂ZnO基稀磁半导体
11.Influence on the Magnetic and Electric Properties of (Na, Fe)-Doped-LaMnO_3;Na、Fe掺杂对LaMnO_3体系的磁学和电学性质的影响
12.Fe-doped Oxides Based Diluted Magnetic Semiconductors Synthesized by Mechanical Alloying;机械合金化制备Fe掺杂氧化物稀磁半导体
13.Electro-Catalytic Oxidation of Paranitrophenol by Fe-Doped Sb-SnO_2/Ti ElectrodesFe掺杂Ti/Sb-SnO_2电极电催化氧化对硝基苯酚研究
14.The Study on the Structure and Properties of Fe and Cr Doped ZnO Films;Fe、Cr掺杂ZnO薄膜的结构和性质研究
15.Study of Electronic Structures and Optical Properties of Doped ZnOFe、Ni共掺杂ZnO薄膜的制备和性质研究
16.Luminescence Properties of Fe~(3+) and Ce~(3+) Co-doped γ-LiAlO_2Fe~(3+)、Ce~(3+)共掺杂γ-LiAlO_2的发光性质(英文)
17.The Research on the Effect of Rare Earth Nd、Ce on Fe-P Alloy by Chemical Plating;稀土Nd、Ce掺杂对化学镀Fe-P合金影响的研究
18.The Structure and the Oxygen Sensitivity of TiO_2 Oxygen Sensitive Thin Films with Fe Ion Doping;Fe离子掺杂TiO_2氧敏薄膜的制备与性能研究
相关短句/例句

Fe-dopedFe掺杂
1.Preparation and thermal stability of Fe-doped hydrogenated amorphous carbon films;Fe掺杂氢化非晶碳薄膜制备及其热稳定性能
2.Fe-doped ZnO Diluted Magnetic Semiconductor Prepared by Sol-Gel Method;溶胶—凝胶法制备Fe掺杂ZnO基稀磁半导体
3.A highly ordered Fe-doped TiO2 nanotube layer was fabricated by potentiostatic anodization of pure titanium in fluorinated electrolyte solutions containing iron ions.在含FeSO4的HF、H2SO4/HF、NaF/Na2SO4溶液中,通过电化学阳极氧化直接在纯钛表面制备Fe掺杂的TiO2(Fe-TiO2)纳米管阵列。
3)Fe-dopingFe掺杂
1.Fe-doping contributes to a rapid increase of capacity with cycling and high discharge capacity of 189.Fe掺杂加速了x=0。
4)Fe co-dopingFe共掺杂
5)Fe-doped In2O3Fe掺杂In2O3
1.Transparent Fe-doped In2O3 thin film was prepared by sol-gel method on(general) glass substrate.采用溶胶-凝胶法以(普通)玻璃为基底制备了摩尔分数为10%Fe掺杂In2O3的透明薄膜。
6)Fe-doped YBCOFe掺杂YBCO
延伸阅读

Fe-C-O和Fe-H-O系平衡图　　铁及其氧化物与CO-CO2或 H2-H2O 混合气体达到平衡时的气相组成与温度的关系图（图1）。它是由实验测得的数据绘制的，是冶金过程物理化学常用的一种优势区图。图中三条线分别代表下列三个反应的平衡气相组成：　　
570℃以下：Fe3O4+4CO3Fe+4CO2 (1)
　　
570℃以上：Fe3O4+CO3FeO+CO2 (2)
　　
FeO+COFe+CO2 (3)
　　3Fe2O3+CO─→2Fe3O4+CO2反应达平衡时的一氧化碳分压值太小,几乎与横坐标重合,图中未标出。如果实际气相组成pco/(pco+pco2)高于平衡组成,则反应将向右进行,此时反应式等号右边的固相是稳定的,左边的固相不稳定。图中每条线上方的区域就是该反应式右边固体的稳定存在区。这三条线将整个图划分为三个区域，即Fe、FeO、Fe3O4的稳定存在区。三条线交点是四相（Fe、FeO、Fe3O4及气相）共存点（见相图）。　　　　　　在钢铁冶炼过程中，常利用此图来确定在给定温度和气相组成条件下能够稳定存在的固相。此图还明确表明铁的各级氧化物是逐级转化的（见Fe-O 状态图）。　　　　由图1可见,在虚线(Fe-H-O平衡)与实线(Fe-C-O平衡)交点温度(820℃)以上,H2比CO具有更强的还原能力；在820℃以下,则正相反。　　　　CO对铁还有渗碳作用。当气体中的比值pco/(pco+pCO2)超过反应(4)的平衡组成时，会发生铁的渗碳反应：　　
2CO(气)─→CO2(气)+[C] (4)
[C]表示溶解于铁中的碳。图2绘出了一系列 [C]含量下渗碳反应达到平衡时的气相组成与温度的关系曲线。此图直接示出在给定温度和[C]含量的情况下,气相对铁是渗碳还是脱碳。这类问题在钢的热处理时经常遇到。FeO是非化学计量化合物(见Fe-O 状态图)，其中氧含量与其平衡气相组成的关系也在图2中绘出。