雪崩光电二极管,avalanche photodiode
1)avalanche photodiode雪崩光电二极管
1.Study on application of avalanche photodiode in phase laser distance measurement;雪崩光电二极管在相位式激光测距仪中的应用
2.Status of HgCdTe avalanche photodiode arrays碲镉汞雪崩光电二极管发展现状
3.An InGaAs/InAlAs avalanche photodiode(APD) with the back illumination is designed and simulated by the MEDICI software.设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。
英文短句/例句

1.planar avalanche photodiode平面雪崩光电二极管
2.gallium arsenide avalanche photodiode砷化镓雪崩光电二极管
3.avalanche photodiode coupler雪崩光电二极管耦合器
4.semiconductor avalanche photodiode半导体雪崩光电二极管
5.silicon-avalanche photodiode detector硅雪崩光电二极管检测器
6.Schottky-barrier avalanche photodiode肖特基势垒雪崩光电二极管
7.APD Signal Detecting Method Based on Wavelet Transform基于小波变换的雪崩光电二极管信号检测方法
8.Research on Multi-stepped Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiodes平面型InP/InGaAs雪崩光电二极管多级台阶结构研究
9.The Research of the Detecting System for Bioluminescence Based on APD基于APD雪崩光电二极管的生物发光检测的研究与应用
10.Design of Detecting System for Chemiluminescence Based on Avalanche Photodiode Array基于雪崩光电二极管阵列的化学发光测量系统设计
11.The thoery, structure, characteristics, and process of the superlattice avalanche photodiode are presented.报道了超晶格雪崩光电二极管的工作原理、构、性及其制造工艺。
12.Temperature and Voltage characteristic for InGaAs/InP Avalanche photodiodeInGaAs/InP雪崩二极管的温度-电压特性
13.avalanche transit time diode雪崩渡越时间二极管
14.avalanche diode integrated oscillator雪崩二极管集成振荡器
15.At normal operating voltage, the TVS diode is inactive, like an open circuit.雪崩崩溃二极管是以反向电流的方式,连接在线路上。
16.IMPATT (Impact Avalanche and Transist Time Diode )碰撞雪崩及渡越时间二极管
17.impact avalanch transit time diode碰撞雪崩渡越时间二极管
18.impatt oscillator碰撞雪崩渡越时间二极管振荡器
相关短句/例句

APD雪崩光电二极管
1.Implementation of Compensation for Bias Voltage of Thermo-drift for APDs by Using AC1056;用AC1056实现对雪崩光电二极管温漂的偏压补偿
2.In order to implement dynamic bias voltage compensation for the thermal drift of APD gain,high precision A/D and D/A circuits are designed.为实现对雪崩光电二极管(APD)增益温漂的动态偏压补偿,设计了高精度的ADC和DAC电路系统,对APD可以达到毫伏级的偏压控制精度和0。
3.This paper discusses a new kind of detecting system for bioluminescence which based on APD.本文介绍了一种基于雪崩光电二极管的生物发光检测仪器新方案,并与传统的微光测量方案和器件进行了比较。
3)avalanche photodiodes雪崩光电二极管
1.A measurement system is set up which could measure static optoelectronic characteristics of avalanche photodiodes (APDs).利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。
2.The development of GaN-based avalanche photodiodes was reviewed in this letter.文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。
3.Based on the characteristic of PIN avalanche photodiodes and carrier rate equations,a mathematic model is presented.针对PIN雪崩光电二极管结构的特殊性,以载流子速率方程为基础,进行适当的假设和拟合,将光、电子量和转化过程完全用数学模型表示,并在Matlab中进行了模拟计算,其结果与实验数据符合较好。
4)avalanche photodiode(APD)雪崩光电二极管
1.In order to ensure the optimum operating of the avalanche photodiode(APD) in the laser gyro under different temperature conditions,an effect of the temperature on the avalanche gain is analyzed based on the principle of APD multiplication.为保证激光陀螺中雪崩光电二极管(APD)在温度变化的情况下始终处于最佳工作状态,从APD的倍增机理出发,分析了温度对雪崩增益的影响,建立了虚警率与APD倍增因子的数学模型,并采用监测雪崩噪声平均过阈率的方法,得到器件的实际击穿电压温度系数γ=6。
2.The edge pre-breakdown of planar-type avalanche photodiode(APD) is resulted from the intense electric field at the junction bend.平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿。
3.According to the requirements and the characteristics of the single-photon detect System,a water-cooling system based on thermoelectricity cooling accompanied by a temperature control instrument was developed to reduce the temperature of the detector avalanche photodiode(APD).根据单光子探测系统的要求及其特点,采用半导体制冷技术,研制出了用于单光子探测的雪崩光电二极管(APD)的水循环散热制冷腔。
5)avalanche photodiode雪崩光电二极管<光>
6)μAPD微型雪崩光电二极管
1.We describe the methods of the integration of microoptic detecting system and microfluidic chip, respectively based on CMOS,VCSEL and μAPD.介绍了分别基于CMOS、垂直腔面发射激光器(VCSEL)和微型雪崩光电二极管(μAPD)来实现光学检测系统与微流控芯片集成化的方法。
延伸阅读

半导体雪崩光电二极管　　具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点，适用于以微弱光信号的探测和接收，在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。　　　　当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时，二极管进入雪崩击穿状态；在此以前，只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离，则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。　　　　碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示　　
M＝1/[1-(V/VB)n]
　　式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。1965年，K.M.约翰逊及L.K.安德森等分别报道了在微波频率下仍然具有相当高光电流增益的、均匀击穿的半导体雪崩光电二极管。从此，雪崩光电二极管作为一种新型、高速、灵敏的固态光电探测器件渐渐受到重视。　　　　性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同，因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是，光电流的这种雪崩倍增并不是绝对理想的。一方面，由于嚔随注入光强的增加而下降，使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程，亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很广泛的几率分布,因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏，即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比，由于半导体中两种载流子都具有离化能力，使得这种起伏更为严重。一般将光电流中的均方噪声电流〈i戩〉表示为　　
〈i戩〉＝2qI0嚔2F(嚔)B
　　式中q为电子电荷,B为器件工作带宽，F(嚔)表示雪崩倍增过程所引起噪声的增加，称为过剩噪声因子。一般情况下,F随嚔的变化情况相当复杂。有时为简单起见，近似地将F表示为F＝嚔x,x称为过剩噪声指数。F或x是雪崩光电二极管的重要参数。　　　　由于F大于1，并随嚔的增加而增加，因而只有当一个接收系统（包括探测器件即雪崩光电二极管、负载电阻和前置放大器）的噪声主要由负载电阻及放大器的热噪声所决定时，提高雪崩增益嚔可以有效地提高系统的信噪比，从而使系统的探测性能获得改善；相反，当系统的噪声主要由光电流的噪声决定时，增加嚔就不再能使系统的性能改善。这里起主要作用的是过剩噪声因子F的大小。为获得较小的F值，应采用两种载流子离化能力相差大的材料，使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽层，并合理设计器件结构。　　　　载流子在耗尽层中获得的雪崩增益越大，雪崩倍增过程所需的时间越长。因而，雪崩倍增过程要受到"增益-带宽积"的限制。在高雪崩增益情况下,这种限制可能成为影响雪崩光电二极管响应速度的主要因素之一。但在适中的增益下，与其他影响光电二极管响应速度的因素相比，这种限制往往不起主要作用，因而雪崩光电二极管仍然能获得很高的响应速度。现代雪崩光电二极管增益-带宽积已达几百吉赫。　　　　与一般的半导体光电二极管一样，雪崩光电二极管的光谱灵敏范围主要取决于半导体材料的禁带宽度。制备雪崩光电二极管的材料有硅、锗、砷化镓和磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔体。根据形成耗尽层方法的不同,雪崩光电二极管有PN结型(同质的或异质结构的PN结。其中又有一般的PN结、PIN结及诸如 N+PπP+结等特殊的结构)、金属半导体肖特基势垒型和金属-氧化物-半导体结构等。　　　　与真空光电倍增管相比，雪崩光电二极管具有小型、不需要高压电源等优点，因而更适于实际应用；与一般的半导体光电二极管相比，雪崩光电二极管具有灵敏度高、速度快等优点，特别当系统带宽比较大时，能使系统的探测性能获得大的改善。