类层错四面体,Expanded Stacking Fault Tetrahedron
1)Expanded Stacking Fault Tetrahedron类层错四面体
英文短句/例句

1.Evolution of stacking-fault-tetrahedron-like structures in copper crystal铜晶体中类层错四面体的结构及其演化
2.It will be noted that between the two layers there exist interstices of two types: tetrahedral and octahedral.要注意两层之间有两种类型的空隙:四面体型和八面体型。
3.Multi-layered Quadrangle Assimilation of True Surface of Object物体表面真实感的层次四边形拟合
4.Four Dimensions of Research in The Capital;《资本论》研究的四个维度——阶段、过程、层面、主体
5.In a similar way, a three-dimensional truss can be built up of tetrahedra.采用类似的疗法,空间架可以由四面体构成。
6.Crystal Structures of Pseudo-Layer Type Inclusion Compound Built of Tetra-N-Butylammonium Trithiocyanurate;硫代三氰酸为主体晶格的四丁基铵类层状包合物的晶体结构研究
7.low stacking fault energy crystal低堆垛层错能的晶体
8.tetrahedral pentagonal dodecahedro四面体式五角十二面体
9.2. Four types errors show different position effect.四种错误类型表现出不同的位置效应。
10.Rethinking the Essential Connotation of Socialist Core Values at Four Levels;关于社会主义核心价值体系“四个层面”基本内涵的再认识
11.Three Levels and Four Systems of the Study on Urban Leisure of Well-off Society in China;中国小康社会城市休闲研究的三个层面四个体系
12.A New Sedimentary Structure--Similar Herringbone Cross-Bedding一种新的沉积构造——类羽状交错层理
13.any polyhedron having four plane faces.任何有四个面的多面体。
14.tetrahedral element characteristic四面体单元体的特征
15.I put the book on the fourth shelf, if I do not misrecollect.如果我没有记错,我将书放在第四层架子上。
16.Although a few of them are well-intentioned, actually they are imbued with the ideology of the Gang of Four.其中也有一部分人尽管有错误,还是好意的,但是,里面实际上是“四人帮”思想体系统治着。
17.Error analysis of Chinglish vocabulary;“中式英语”词汇层面的错误表现及原因
18.In this study, it was shown that microstructure of δ-phase is stacking fault, fault plane{110}, through TEM observation and by calculating with trace analysis method.通过迹线分析方法测量得出δ相的亚结构为层错,层错面为。
相关短句/例句

stacking fault tetrahedron层错四面体
3)stacking fault tetrahedra堆垛层错四面体
1.The results reveal that large numbers of vacancy cells including dislocation loop and even stacking fault tetrahedra(SFT) can be formed in the specimens of polycrystalline pure aluminum irradiated with HCPEB.HCPEP辐照后,在辐照表层内形成了大量的四方形空位胞,其间包含位错圈和堆垛层错四面体(SFT)等类型的空位簇缺陷。
4)Tetrahedral layer四面体层
5)hexatetrahedral class六四面体类
6)stacking fault polyhedrons堆垛层错多面体
延伸阅读

层错层错stacking fault  层错stacking fauit晶体原子层理想完整堆垛次序中出现的一个差错限排)。全称堆垛层错。是晶体中常见的一种面缺陷。以fcc晶体为例说明。fcc晶体fec理想堆垛可以视为由全同的{111}原子面密积堆垛而成(见图)。如称第一层为A,则第二层落在B位置,第三层落在C位置,第四层又为A位置。如此重复堆垛,形成无限序列…A B C A BC…,这就是理想的完整晶体。若有某生个B层在A层之上整个滑’移到C位置(1/6<112>滑移),即是实现如下的进程: …ABC ABC ABC… CA BCA…于是原序列…A B C A B C A BC.二变为 .”A B cA{一c A B c A Bc…可见在l标记之处出现一个堆垛次序之误排,这里就是一个层错。在l处抽去一个B层,让上面的C层落下至A层之上,也形成同样的层错。在fcc晶体中通常有3种主要的设想的操作过程形成层错:①{111}面的1/6(112>滑移;②抽去一个{111}层,并令上下岸弥合;③插入一个{111}层。后两种过程可以通过空位或1 14填隙原子的凝聚而实现。 hcp晶体在(0001)面也可以形成层错。(0001)面的堆垛次序为…ABABAB.一若变为…ABA那BCB…,则在l处出现一个层错。bcc晶体{112}面为6层,为一个周期的堆垛,在此面上也可形成层错。其他各种不同晶体中可能出现的层错形式视其结构差异而不同。 层错单位面积的表面能称为层错能,一般记为补在密集结构晶体中,层错的引入不改变最近邻关系,只改变次近邻关系,且几乎不产生畸变,所以层错能的主要来源应是电子能。层错能可以用电子显微术观察而实测,或从一些其他观测结果推出,也可以理论计算。其数值例如在AI中为数百尔格每平方厘米,而在Au中则仅数十尔格每平方厘米。 层错的边界为不全位错,层错的存在和性质制约这些不全位错的运动。(杨顺华)