EUV filterEUV滤光片
3)EUV light sourceEUV光源
4)EUV lithographyEUV光刻
1.Furthermore,EUV lithography,maskless lithography and nano-imprint lithography will become the main study topics for 22 nm and 16 nm.指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。
5)EUV lithography technicqueEUV光刻技术
6)grating[英]['ɡre?t??][美]['gret??]格栅，光栅
延伸阅读
[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]分子式：C16H16ClN3O3S分子量：365.5CAS号：26807-65-8性质：暂无制备方法：暂无用途：用于轻、中度原发性高血压。
