1)MESFET金属半导体场效应晶体管
1.A two-dimensional numerical model for 4H-SiC MESFET is established and the effect of the avalanche and tunneling on the elect rical breakdown characteristics is analyzed.建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型 ,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用 。
2.With excellent figure of merits such as high electron mobility, low anisotropy and low ionization compared with other types of SiC, 4H-SiC metal-semiconductor-field-effect-transistor (MESFET) is a p.在微波功率器件中，4H-SiC金属半导体场效应晶体管（MESFET）更引起了人们的广泛重视，目前其应用主要集中于固态相控阵雷达系统、新一代移动通讯基站、超高频广播电视发射系统等领域。
英文短句/例句
1.metal semiconductor field effect transistor金属半导体场效应晶体管
2.Study on the Modeling and Fabrication of 4H-SiC RF Power;4H碳化硅射频功率金属半导体场效应晶体管的模型及工艺研究
3.conductor insulator semiconductor fet金属绝缘体半导体场效应晶体管
4.MOSFET (metallic oxide semiconductor field effecttransistor)金属氧化物半导体场效应晶体管
5.read-write MOSFET读写金属氧化物半导体场效应晶体管
6.MISFET (Metal Insulation Semiconductor Field Effect Transistor)金属绝缘半导体场效应晶体管
7.metal-nitride-oxide-semiconductor field effect transistor金属－氮化物－氧化物－半导体场效应晶体管
8.MAGFET (Magnetic Metal-Oxide-semiconductor Type Field Effect Transistor)磁性金属氧化物半导体型场效应晶体管
9.Key Technology Research of GaN Based Metal-ferroelectric-semiconductor Field Effect Transistor;GaN基金属—铁电体—半导体场效应晶体管关键技术研究
10.Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistorn型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
11.metal oxide semiconductor transistor金属—氧化物—半导体晶体管金属氧化物半导体晶体管
12.metal schottky fet金属肖特基栅场效应晶体管
13.MOST (Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)金属-氧化物半导体晶体管
14.floating gate transistor浮栅金属氧化物半导体晶体管
15.pmos transistorp 沟道金属氧化物半导体晶体管
16.mnos transistor金属氮化物氧化物半导体晶体管
17.high voltage most高压金属氧化物半导体晶体管
18.vertical mos transistor垂直型金属氧化物半导体晶体管
相关短句/例句
MISFET金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
1.The selective etching solution is applied to the fabrication of undoped-GaAs/n-GaAs modulation-doped channel MISFET.利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺。
3)metal-ferroelectric-semiconductor(MFS)金属-铁电体-半导体场效应晶体管
4)metal-insulator-semiconductor field effect transistor金属绝缘体半导体场效应晶体管
5)MOSFET['m?sfet]金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。
6)loss/metal oxide semiconductor field effect transistor损耗/金属氧化物半导体场效应晶体管
延伸阅读
金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。
