1)SOI绝缘体上的硅
1.The partially depleted SOI (PDSOI) NMOSFET and CMOSFET\'s latch characteristics are studied in this paper.本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性。
英文短句/例句
1.Etched-Diffraction-Grating Based Planar Optical Multi/Demultiplexer on Silicon-On-Insulator;基于绝缘体上的硅材料的刻蚀光栅式分波合波器研究
2.silicon on insulator material绝缘体上硅结构材料
3.laser recrystallized silicon on insulator激光再结晶的绝缘体上硅结构
4.laser processed silicon on insulator激光处理的绝缘体上硅结构
5.The Research of Large-signal Model for RF LDMOSFETs绝缘体上硅射频LDMOS的大信号模型研究
6.The combiner is fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) substrate.在一个绝缘体上硅的基板上实现了该器件。
7.soi integrated circuit绝缘体上硅结构集成电路
8.Research on Relaxation of SiGe/SOI and Fabrication of SSOI Materials;SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备
9.silicon insulated gate fet硅绝缘栅场效应晶体管
10.Ultrafast Carrier Dynamics in Surface of Silicon-on-Insulator绝缘衬底上硅表面载流子的超快动力学研究
11.isolator (-ter)绝缘体;绝缘体;绝缘物;绝缘物;绝缘子;绝缘子
12.isolated silicon gate cmos绝缘硅栅互补金属氧化物半导体
13.Application of Moldflow software in silicone rubber insulator processingMoldflow软件在硅橡胶绝缘子加工中的应用
14.any of various minerals consisting of hydrous silicates of aluminum or potassium etc. that crystallize in forms that allow perfect cleavage into very thin leaves; used as dielectrics because of their resistance to electricity.由含水硅酸铝或硅酸钾等组成的矿物，呈晶体状，能分裂成极薄的片状，具有良好的电绝缘性。
15.isolated patient lead接在病号身上的绝缘线
16.vacuum treatment真空处理-绝缘液体的
17.bridging of insulator绝缘体的搭桥（圆网制造）
18.rubber base isolatio以橡胶为原料的绝缘体
相关短句/例句
SiGe-on-insulator绝缘体上的硅锗
1.SiGe-on-insulator fabricated by oxidation enhanced SIMOX;氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
3)SGOI绝缘体上的锗硅
4)Silicon-On-Insulator (SOI)绝缘体上的硅(SOI)
5)silicon film on insulator绝缘体上的硅膜
6)silicon on insulator绝缘体上硅
1.According to the results of finite-element analysis with ANSYS, a piezoresistive pressure sensor based on silicon on insulator (SOI) was designed.根据有限元工具ANSYS的分析结果,设计了一种半导体压阻式压力传感器——绝缘体上硅(SOI)压力传感器,并完成了制作。
2.With the help of finite element analysis tool, ANSYS, a high-temperature piezoresistive pressure sensor based on silicon on insulator was designed.采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试。
延伸阅读
绝缘体上外延硅绝缘体上外延硅silicon on insulator 绝缘体上外延硅Sixieon。n insulator在绝缘衬底上制备半导体薄膜的生长技术。简称501。早期发展的绝缘衬底是蓝宝石。由于蓝宝石上外延硅存在衬底的自掺杂、载流子迁移率低、衬底和外延层界面应力大和衬底价格昂贵等缺点，得不到广泛应用。 501是在硅单晶衬底上形成5102绝缘层作衬底，并在绝缘层上进行硅外延增加厚度，用腐蚀法在该衬底上形成隔离硅岛后加工成电路。 较典型的501技术包括以下3种。①区熔再结晶技术。1979年由美国林肯实验室开拓。可采用激光或石墨加热器，近年又发展电子束、卤素钨灯加热等。这项技术经历图形外延、侧向籽晶外延和区熔再结晶。②氧离子注入(S IMOX)。以离一子束向硅单晶片注入高剂量氧离子，退火后形成埋层5102，再进行硅外延。用于超大规模集成电路SIMOX的最佳条件是:加热至500℃以上，以150一200 keV能量进行高浓度氧离子注入，注入浓度1一 2x101犯m一3，注入后在大于1250℃高温下退火。衬底和器件质量取决于注入能量、束流和温度等。③隔离硅外延。近年由林肯实验室发展的。它克服了材料缺陷如突出物、圆片翘曲和表面粗糙，提高了501材料质量。 用501结构材料加工大规模集成电路可降低互补金属一氧化物一半导体(CMOS)器件衬底的寄生电容，提高开关速度，增强抗宇宙射线能力和增加集成度。已应用于CMOS随机存贮器、运算器等。但501技术至今尚未进入商品化。今后除寻求发展新技术外，必须努力提高原有各种技术的实用性，如更好地控制硅膜中的缺陷和杂质，提高工艺的可靠性，进一步降低成本等，使之早日实现商品化。 (莫金现)
