1)Augmented[英][?:g'mentid][美][?g'm?nt?d]增强型
1.Spline Method for High-Precision Inter-Satellite Relative Positioning Based on Augmented Single-Frequency GPS;基于增强型单频GPS的高精度星间相对定位样条方法
2.Spline Method for High-Precision Inter-Satellite Relative Positioning Based on Augmented DGPS;基于增强型DGPS高精度星间相对定位的样条方法
英文短句/例句
1.enhancement mos增强型金氧半导体掐
2.enhanced buffer tube cable增强型缓冲套管电缆
3.normally off fet增强型场效应晶体管
4.signal enhancement shallowlayer seismograph信息增强型浅层地震仪
5.enhanced virtual tape server增强型虚拟磁带服务器
6.CDMA 1X Advanced: Four-Fold Increase in Voice CapacityCDMA2000 1x增强型技术:将语音容量增至4倍
7.enhancement depletion mos增强型 耗尽型模式金属氧化物半导体
8.Loot an enhanced items. Enhanced items are any item of green or better rarity.拾取一件增强型物品，增强型物品为绿色或者更稀罕的。
9.Ⅴ type of annular intensification in 134 cases.Ⅴ多发结节状或环状增强型 13 4例 ;
10.GBA Game Boy Advanced任天堂增强型手提游戏机
11.enhancement MOS device增强型金属氧化物半导体器件
12.microcomputerized and enhanced external counter pulsation device微机化增强型体外反搏装置
13.enhancement mode fet integrated circuit增强型场效应晶体管集成电路
14.E-WDM Enhanced Windows Driver Model增强型视窗驱动程序模块
15.enhanced dynamic random access memory增强型动态随机存取存储器
16.enhanced non-return-to-zero change on one增强型逢“１”变化不归零制
17.enhancement mode junction fet增强型结式场效应晶体管
18.enhancement type schottky barrier fet增强型肖特基势垒场效应晶体管
相关短句/例句
enhancement-mode增强型
1.The material structure of GaAs-based InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMTs was optimized to obtain the positive threshold voltage of an enhancement-mode PHEMT.优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压。
2.An extraction method of the component parameter values of an enhancement-mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT small signal equivalent circuit is presented,and these component parameter values are extracted by using the EEHEMT1 model of IC-CAP software.介绍了增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法,并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数。
3)enhancement type增强型
1.Introduces the design and basic process of WVP1N06 Si N channel enhancement type power field effect transisto介绍了研制 WVP1N0 6硅 N沟增强型功率场效应管的设计及基本工艺。
4)Type of reinforcement增强类型
5)enhanced PID增强型PID
1.The enhanced PID position control arithmetic and unattached tilt roll control are applied in system.系统采用增强型PID位置控制算法、独立倾辊控制等改进技术 ,提高了系统的响应速度 ,实现了带材厚度 μm级控制 ,现场运行取得了良好效
6)rein-forced models增强模型
延伸阅读
增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路 耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。 特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。 结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。 采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
