1)MOCVD金属有机化学气相沉积
1.The Influential Factors of MOCVD Growth of InP in Opals;金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared by MOCVD process;金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
英文短句/例句
1.The Praparation and Chemical Mechanism of Functional Graded Materials Using Metal Organic Chemistry Vapour Deposition;金属有机化学气相沉积法制备功能梯度材料的方法和机理的研究
2.Research on Preparing Yttria Coatings by Metalorganic Chemical Vapor Deposition;金属有机化学气相沉积法制备氧化钇涂层的探索研究
3.Growth of ZnO Films on Different Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition不同衬底上氧化锌薄膜的金属有机化学气相沉积方法生长(英文)
4.Metal Organic Chemical Vapor Deposition( MOCVD) is a key technology in growing thin-films.金属有机化学气相沉积(OCVD)一门制备薄膜材料的关键技术。
5.Synthesis and Characterization of Novel Copper（Ⅰ）Complexes as Precursors for Metal-Organic Chemical Vapor Deposition;Cu（Ⅰ）金属有机化学气相沉积前驱物的合成与表征
6.A New Preparation Technology of Mica Pearlescent Pigment by Metal Organic Chemistry Vapour Deposition (MOCVD) and Their Application;金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备云母珠光颜料新工艺及应用研究
7.Iridium Film Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究
8.The triangular pits eliminate of (110) a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究
9.metallo organic chemical vapor deposition有机金属化学汽相淀积
10.Simulation and optimization design in MOCVD reactor金属有机化学气相沉淀反应器结构的模拟优化
11.Morphology and defect of a-GaN grown by metal orgamic chemical vapor deposition利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
12.Fluorides CVD Methods for Refractory Metal In CIS Countries (Ⅰ)独联体国家的难熔金属氟化物化学气相沉积技术（上）
13.Carbon nanotube reinforced metal matrix composites fabricated by in-situ chemical vapor deposition原位化学气相沉积法制备碳纳米管增强金属基复合材料
14.thermally activated chemical vapour deposition热活化化学气相沉积
15.plasma activated chemical vapour deposition等离子体化学气相沉积
16.epitaxial CVD growth外延化学气相沉积生长
17.Effects of deposition parameters on CVD nanocrystalline diamond thin films沉积参数对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响
18.Diamond thin films grown up by microwave plasma CVD微波等离子体化学气相沉积金刚石簿膜
相关短句/例句
Metalorganic chemical vapor deposition金属有机化学气相沉积
1.Phosphorus-doped p-type ZnO thin films are prepared on glass substrates by metalorganic chemical vapor deposition.利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜。
2.p-type zinc oxide (ZnO) thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱。
3)metal-organic chemical vapor deposition金属有机化学气相沉积
1.High quality ZnO films are successfully grown on Si(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition at 300℃.采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜。
2.The ZnO films, grown on sapphire or silicon substrates, have been investigated by several methods such as Molecular Beam Epitaxy, Sputtering, and metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and so on.生长ZnO薄膜材料的方法很多,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、原子层外延、磁控溅射和蒸发等其中MBE、MOCVD和PLD等方法生长的ZnO薄膜质量较高。
4)MOCVD有机金属化学气相沉积
1.Effect of Growth Cycle on SiO_2-InP Fabricated by MOCVD;生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO_2-InP光子晶体的影响
5)AP-MOCVD大气开放式金属有机化学气相沉积
6)MOCVD金属有机化合物化学气相沉积
1.Ir/C cluster films were prepared by MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) on quartz plate substrates using iridium-acetylacetonate as the precursor.以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜。
延伸阅读
《拜耳斯坦有机化学手册》 最完备的有机化合物手册。第 1版为曾留学德国的俄国人Ф.Ф.拜耳斯坦所编，因此得名。该手册提供各种有机化合物的资料和数据，对它们的物理性质、化学行为和外观，作了详细说明，并列有它们的制备和鉴别方法，内容丰富，数据齐全，并附有资料来源。该手册为有机化学研究工作中常用的重要工具书。 简史 第1版创编于1862年,共2卷,1881～1882年出版。第2版共3卷,1885～1889年出版。第3版共4卷,1892～1899年出版;后增加补编4卷和索引1卷,1900～1906年出版。自1896年起,由德国化学会负责编辑第4版。1918～1937年，由B.普拉格和P.杰考布森主编，出版了27卷，所收集文献的期限为1910年1月1日以前。1938～1940年，由F.里希特主编，出版了第28卷(主题索引)和29卷（分子式索引）。第30和31两卷内容为天然有机物。此31卷称为正编,代号为"H"，共收集20万种有机化合物的资料。1928～1938年，还出版了第1补编，收集了 1910～1919年的文献，也是27卷，各卷的内容分别与正编各卷相对应，代号为"EⅠ"。1941～1957年，出版了第2补编,收集了1920～1929年的文献，代号为"EⅡ"。其中第28卷为主题索引，第29卷为分子式索引，包括正编和第1、 2补编的内容。第3补编改由拜耳斯坦研究所负责编辑。前3卷仍由里希特主编，第4卷起,改由H.-G.鲍特主编，1958年开始出版，收集1930～1949年的文献，代号为"EⅢ"。第4补编从1972年开始出版，收集1950～1959年的文献，代号为"EⅣ"；自第17卷起，和第3补编合编为第3／第4补编，代号为"EⅢ/Ⅳ"；出齐后将达230册。现已开始编写的第5补编将收集1960～1979年的文献，并改用英文出版。 内容编排 该手册第 4版中将所包括的有机化合物分为4部,每部又分为若干卷。各化合物按其结构或取代基分别给一系统编号，全书共有4877个系统编号。其划分简介于下表： 每一有机化合物的著录项目有：化合物名称、分子式、结构式、历史概况、在自然界的存在、生成、制备、物理性质、化学性质、生理作用、工业用途、分析方法和数据、分子化合物和盐类、结构未定的反应产物、衍生物、文献。 索引 分为主题索引和分子式索引两种。分子式索引在正编中采用里希特体系，即主要按C、H、O、N、Cl、Br、I、F、S、P顺序,其余按字顺排列。自第2补编起改用希尔体系，即除C、H外均按字顺排列。 参考书目 O. Weissbach,The Beilstein Guide: A Manual for the Use of Beilsteins Handbuch der organischen Chemie,Springer-Verlag, Berlin,1976.
