LaF 3LaF3
1.The sensors of Sn, SnF 2 LaF 3 Pt was prepared with Sn ?SnF 2 reference electrode.以氟化镧 (掺杂 )的单晶片和多晶电解质管分别作为固体电解质 ,Sn、SnF2 为参比电极 ,Pt网为待测电极 ,构成Sn ,SnF2 LaF3Pt气体敏感元件。
2.The conductive abilities and characteristics of LaF 3 and doped LaF 3 were analyzed, and the influence of doped on the its conductivity was discussed.对LaF3及LaF3(掺杂 )作为固体电解质的导电能力和特性进行了分析。
3)LaF3 filmsLaF3薄膜
4)LaF3 single-layer coatingsLaF3单层膜
1.LaF3 single-layer coatings were prepared by thermal boat evaporation at different deposition rates.用热舟蒸发方法在不同的沉积速率下制备了LaF3单层膜,并对部分单层膜进行了真空退火。
5)LaF_3 nanoparticlesLaF3纳米粒子
1.Oleic acid(OA) surface modified LaF_3 nanoparticles were prepared in alcohol-water mixture solvent.在醇-水混合溶剂中合成了表面为油酸修饰的LaF3纳米粒子,并用透射电子显微镜、红外光谱和X射线粉末衍射仪对修饰LaF3纳米粒子进行了表征。
6)nano-LaF_3 bulk material纳米LaF3块体材料
1.The ionic conductivity of nano-LaF_3 bulk material was studied with com.采用真空高压固结法在真空度10-4Pa条件下常温加压至1GPa制备了纳米LaF3块体材料。
延伸阅读
glistening object of LaF3:Ce分子式：CAS号：性质：掺Ce3+的LaF3闪烁体的一些特性非常类似于CeF3。密度介于BaF2和BGO间，它的主要衰减时间是26.5ns，但还有一个3ns快的和一个185ns慢的成分。这两成分随Ge3+浓度减少而增加。因LaF3:Ce发射峰主要在约300nm处，需采用石英或UV玻璃窗口光电倍增管，适用于现代医学图像显示技术等。
