PbWO 4PbWO4
1.This paper presents a study on absorption center of lead tungstate crystals (PbWO 4) by the relativistic self consistent discrete variational embedded cluster method.采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与吸收中心相关的本征缺陷态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了激发能。
2.The influence of Gd 3+ and Y 3+ doping on the low temperature thermoluminescence (TL) of PbWO 4 (PWO) is investigated.通过热释光方法研究了PbWO4(PWO) ,PWO :Y3+ ,PWO :Gd3+ 多晶粉末及PWO ,PWO :Y单晶的低温 (<30 0K)热释光现象 。
3)PbWO_4PbWO4晶体
1.Simulation of the Optical Properties for the Perfect PbWO_4 Single Crystal;无缺陷PbWO4晶体光学性质的模拟计算
2.The electronic structure, dielectric function, complex reflectivity index and absorption spectra on the polarized light in the perfect PbWO_4 (PWO) crystal and the PWO crystal containing a pair of V_(Pb)~(2-)-V_O~(2+) have been calculated using full-potential (linearized) augmented plane-wave ((L)APW)+local orbitals (lo) method.利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对含铅氧空位对的PbWO4晶体进行结构优化处理。
4)PbWO_4 crystalPbWO4晶体
1.In this paper,it is gained that the relative sensitivity and time characteristic of NaI(Tl)、CeF_3、PbWO_4 crystals calibrated by the type CΓC-67 γ generator and the DPF neutron generator.本文总结了在СГС 67型三通道γ加速器和DPF中子源上进行的NaI(Tl)、CeF3、PbWO4晶体的灵敏度、时间响应等特性的标定实验,分析了实验现象,合理地处理数据,给出了实验结果。
5)PbWO 4 crystalPbWO4晶体
1.Etching morphology of (001) faces of PbWO 4 crystal grown by Bridgman method was observed by using optical microscope.利用光学显微镜观察了Bridgman法生长的PbWO4晶体 (0 0 1)晶面的腐蚀形貌 ,讨论了位错蚀坑的形态特征 ,分布规律以及与晶体结晶习性的关系 ,同时还观察了亚晶界的形态 ,初步探讨了位错与亚晶界的成
6)PbWO4 lubricant filmPbWO4润滑膜
延伸阅读
晶体管-晶体管逻辑电路晶体管-晶体管逻辑电路transistor-transistorlogic集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。
