氮氧化硅,silicon oxynitride
SiON[英]['sai?n][美]['sa??n]氮氧化硅
1.During SiON hard mask layer wet removing process after polysilicon etching,hot phosphoric acid(H3PO4) easily induces surface particle.在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒。
3)Silicon oxynitride氧氮化硅
4)Si 2N 2O氧氮化硅
1.In this paper,the rotating cylinder method and the crucible method are used to study the cryolite resistence of Si 3N 4 bonded SiC?Si 2N 2O bonded SiC and Sialon bonded SiC.采用旋转圆柱法和坩埚法 ,研究了氮化硅结合碳化硅、氧氮化硅结合碳化硅、塞隆结合碳化硅材料的抗冰晶石侵蚀性能 ,结果表明 ,氮化硅结合碳化硅材料综合性能最
5)(carbon) silicon (oxy)nitride氮(碳/氧)化硅
6)silicon oxynitride and oxide glasses氮氧化硅与氧化硅玻璃
1.The difference of properties between silicon oxynitride and oxide glasses is not mainly from the difference of stretching force constant, or of ion.计算表明氮氧化硅与氧化硅玻璃之间在性能上的差异,主要不是由SiN和SiO键的伸缩力常数之间的差异所引起的,也不是由SiN和SiO键的离子键强度之间的差异所引起的。
延伸阅读

硅-氧化钠-五氧化二钒系湿敏材料分子式:CAS号:性质:一种感湿体材料。主晶相为硅粉,氧化钠和五氧化二钒起助熔体和黏结作用。680℃固相烧结法制取。游离硅粒保证瓷体的低电阻率,氧化钠和五氧化二钒有利于吸收水分,受潮后使硅粒之间的电阻值显著下降。材料响应速度慢,吸湿时间≥5min,脱湿时间≥l0min,宜用于中湿和湿度变化不太快的场合。制作的湿敏元件体积小、机械强度好、阻值范围可调,工作寿命长。