1)CNTFET碳纳米管场效应晶体管
1.The most important device in them is the device based on carbon nanotubes named as carbon nanotubes field effect transistors(CNTFET).由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。
英文短句/例句
1.Fabrication and Electrical Characterization of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors;碳纳米管场效应晶体管的制备与性能测量
2.Electrical properties of the deformed carbon nanotube field-effect transistors形变碳纳米管场效应晶体管的电学性质
3.Electrical properties of carbon nanotube field-effect transistors in applied axial magnetic field外加轴向磁场下碳纳米管场效应晶体管的电学性质
4.Fabrication and IV Characteristics of ZnO Nanowire-based Field Effect TransistorsZnO纳米线场效应晶体管的制备及IV特性研究
5.double diffused mos fetdmos场效应晶体管
6.metal insulator semiconductor fetmis场效应晶体管
7.The Technology and Research on Properties of Sic Field-Effect Transistor;碳化硅场效应晶体管技术与特性研究
8.polysilicon fet多晶硅场效应晶体管
9.Electrical and optical properties of single As-doped ZnO nanowire field effect transistors单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性
10.vertical junction fet垂向结型场效应晶体管
11.n-channel transistorｎ沟道场效应晶体管
12.vertical channel fet垂直沟道场效应晶体管
13.linear load field effect transistor线性负载场效应晶体管
14.multichannel fet多通道场效应晶体管
15.gallium arsenide fet砷化镓场效应晶体管
16.multiple gate finger fet多梳形栅场效应晶体管
17.single gate FET单栅极场效应晶体管
18.ion implanted fet离子注入场效应晶体管
相关短句/例句
Carbon nanotube field effect transistor(CNTFET)碳纳米管场效应管
1.Obvious changes in the Carbon nanotube field effect transistor(CNTFET) characteristics have been detected after NOMA functionalization and after Con A adsorption to the NOMA coating layer,which demenstrates the possobility of noncovalent glycosylated functionalization of SWNTs with simple molecue NOMA and sugar-lectin recognition detection by CNTFET.以NOMA-SWNT管束为导通沟道构建了碳纳米管场效应管(CNTFET)器件,检测了麦芽糖和伴刀豆凝集素蛋白(Con A)的特异性识别作用。
3)transistor[英][tr?n'z?st?(r)][美][tr?n'z?st?]碳纳米管晶体管
4)carbon nanotube crystal碳纳米管晶体
1.In this paper,we performed the first-principles calculations of the effects of the uniaxial pressure on electronic structures of the (6,6) single-walled carbon nanotube crystal (SWNTC).计算研究发现:由碳纳米管(6,6)组成的四方结构晶体(t相)具有金属特性,电子可以沿碳纳米管管壁运动;在单向压力作用下,t相发生结构相变形成非成键相,随着压力的进一步增大,碳纳米管间产生键合,形成了成键相;单向压力对碳纳米管(6,6)晶体的能带结构影响主要表现在π能带和π*能带,伴随着单向压力的增加,碳纳米管晶体的电学性质经历从金属到半导体再到活泼金属的转变;非成键相的电子被局域在碳纳米管附近使晶体具有半导体特性,而成键相的电子不仅可以沿着碳纳米管管壁运动,还可以在碳纳米管之间(即成键方向)运动,从而使成健相晶体具有活泼的金属特性。
5)SiC-MOSFET碳化硅场效应晶体管
6)SiC MOSFET碳化硅MOS场效应晶体管
延伸阅读
场效应晶体管场效应晶体管fieldeffecttransistor利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。
