1)T-grooveT型槽
1.Numerical evaluation of micro-channel flow characteristics in T-groove dry gas sealT型槽干气密封内微流动特性的数值计算
2.In recent years,with the rapid development of seal technology, a new seal pattern,named T-groove dry gas seal,is presented .近年来,随着密封技术的不断发展,出现了新的密封型式——T型槽干气密封。
英文短句/例句
1.Technical Research on the T-Groove Dry Gas Seals of the Compressor;压缩机用T型槽干气密封技术的研究
2.Numerical evaluation of micro-channel flow characteristics in T-groove dry gas sealT型槽干气密封内微流动特性的数值计算
3.Research on Distribution Law of Steady-state Temperature for the Rotating Ring of T-shape Groove Dry Gas SealT型槽干气密封动环稳态温度分布规律研究
4.Bolts for T-SlotGB/T37-1988T型槽用螺栓
5.carbide T-slot milling cutter硬质合金T形槽铣刀
6.The surface of the table is cut with T slots so that workholding devices such as the vise can be clamped to them.工作台的表面切有T形槽以便工件夹具，如台钳，能固定在T形槽上。
7.carbide welded T-groove milling cutter硬质合金焊接式T形槽铣刀
8.Machine tool table--T-slots and corresponding boltsGB/T158-1996机床工作台T形槽和相应螺栓
9.Analysis of the Properties of a Trough PV/T System at Varying Temperatures槽式PV/T系统随温度变化的特性分析
10.Application of 70 kt/a natural circulation electrolyzer7万t/a自然循环电槽的应用及配套装置的改进
11.Design of wide-band magic T combined with CPW / slotline一种共面波导/槽线结构的宽频带魔T设计
12.The circular arc wiring duct also called it separates wiring duct /the insulation wiring duct /seal type wiring duct /arc the circular arc wiring duct /walk wiring duct.圆弧线槽也称之为圆弧型隔线槽/绝缘线槽/密封式线槽/弧线槽/走地线槽。
13.production-scale cell生产用电解槽,大型电解槽
14.Slot-type Design for 10KA Rare Earth Molten Salt Electrolysis Cell;10KA底部阴极稀土熔盐电解槽槽型设计
15.large-sized generator rotor slotting machine大型电机转子槽铣床
16.Baltimore groove contacts巴尔蒂摩型凹槽接触
17.interlocking tile联结的大型屋面槽瓦
18.grooving appliance, gas-operated, of the welding appliance type熔焊装置型气动开槽机
相关短句/例句
T grove type shrinkageT型槽缩松
3)T_slot BoltT型槽螺栓
4)T-root grooveT型叶根槽
1.In order to determine the stress intensity factors (SIFs) for a semi-elliptical surface crack at the T-root groove of a turbine disc under centrifugal forces, three-dimensional finite element method was employed to solve the displacement field of the cracked disc.为确定在离心力作用下汽轮机叶轮T型叶根槽半椭圆表面裂纹的应力强度因子,采用三维有限元法求解含裂叶轮的位移场。
5)Tee slot millingT型槽铣削
6)T-slot pistonT型槽活塞
延伸阅读
V型槽金属-氧化物-半导体集成电路 在硅片表面上刻蚀出V型凹槽,并利用双扩散或外延生长等工艺在槽内制作的MOS集成电路，称为 VMOS电路。 基本原理 有些化学试剂对硅单晶的不同晶面有不同的腐蚀速率,即各向异性的腐蚀特性。使用某些专门的腐蚀液,如N2H4和H2O各占50％的溶液、18克分子浓度的KOH等，对硅的腐蚀速率为[100]＞[110]＞[111],[100]晶面的腐蚀速率几乎是[111]晶面的100倍。使用SiO2作为腐蚀掩模,可以在[100]晶面的硅片上腐蚀出由四个会聚的[111]晶面组成的孔,形状如同倒置的金字塔。腐蚀深度与氧化层开口宽度之比为 0.707，每一个腐蚀出的[111]面与硅片表面成54.74°角。使用另外的腐蚀液，对不同电阻率的硅有不同腐蚀速率，可使腐蚀前沿成为截顶的倒置金字塔形的腐蚀坑。前者腐蚀坑的剖面为 V形槽，后者则为U形槽。 结构 经过外延生长、双扩散或离子注入等工艺加工的硅片,经过腐蚀可制成VMOS或UMOS场效应晶体管,其结构如下图。N+硅衬底上的N-层是靠外延生长得到的。P型层和N+层用双扩散法或离子注入法获得。其他栅极和氧化层的制做与常规MOS工艺相同。这种MOS晶体管的沟道是口字形,位于P型区的倾斜表面上。V型（或U型）槽有一定倾角，所以沟道长度约为P型层厚度的1.5倍。在沟道与漏之间设置N-外延层，是为了增加击穿电压并减少输出电容。 应用和发展 VMOS电路的优点是利用立体结构提高集成密度，获得自对准（由扩散层深度而不是由光刻分辨率决定）的短沟道结构，可用于高密度大规模集成电路。它能与E/D NMOS或 DMOS电路（见双扩散金属-氧化物-半导体集成电路）技术兼容。但是,这种工艺比较复杂，[111]晶面沟道的电子迁移率低,除少数高密度的只读存储器产品外，对其他产品尚未推广应用。另一方面，VMOS晶体管由于沟道短，宽长比可以做得很大，没有二次击穿效应，而且可用于多数载流子器件的抗辐射方面，在作为高频大功率有源器件方面有重要进展。设计的主要问题是既要有低的导通电阻，又要有高的击穿电压。对于VMOS结构高频功率管，通过选择合适的外延层（电阻率和厚度）、采用多 V型槽并联、加离子注入保护环和台面结构等方法可以解决这一问题。采用UMOS结构可使槽底平坦，减少电场集中效应，能提高击穿电压。同时，在栅极加正电压时，栅漏覆盖区变为累积层，也有利于扩展电阻的减小。击穿电压高达几百伏的VMOS晶体管已经研制成功。
