1)III-nitrideIII族氮化物
1.Research Applications in III-nitrides with Cathodoluminescence Unitized Systems;阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
2)III-nitride nanowiresIII族氮化物纳米线
3)III-Nitride semiconductorsIII族氮化物半导体
4)III-V group elements compound semiconductorIII-V族化合物半导体
5)nitride[英]['naitraid][美]['na?tra?d]Ⅲ族氮化物
1.Progress of Investigation on the Transport Properties of Ⅲ-nitrides and Their Two-dimensional Electron Gas;Ⅲ族氮化物及其二维电子气输运特性的研究进展
2.Current collapse and two dimensional electron gas in Ⅲ-nitride HFET;Ⅲ族氮化物HFET中的电流崩塌和二维电子气
英文短句/例句
1.Field Emission Characteristics of Ⅲ-Nitride Semiconductor Films;Ⅲ族氮化物半导体薄膜场发射性能研究
2.First Principles Study for Typical Ⅲ Nitrides Semiconductor Materials;典型Ⅲ族氮化物半导体材料第一性原理研究
3.Research on Ⅲ-nitrides Transport Characteristic by Using Monte Carlo Method基于蒙特卡罗分析Ⅲ族氮化物输运特性的研究
4.The Synthesis of Ⅲ Nitrides and AlN-based Diluted Magnetic Semiconductor Nanomaterials and Their High-pressure StudiesⅢ族氮化物及AlN基稀磁半导体纳米材料的制备与高压物性研究
5.Controllable Synthesis and Optical Properties of Micron and Nanoscale Ⅲ-Ⅴ Phosphides and NitridesⅢ-Ⅴ族磷化物和氮化物的控制合成及光学性质研究
6.Synthesis and Characterization of Au(Ⅲ) Pt(Ⅳ) and Pd(Ⅱ) Complexes with Aromatic Amine N-oxide金(Ⅲ)、铂(Ⅳ)和钯(Ⅱ)的芳香胺氮氧化物配合物的合成与表征
7.Monte Carlo Simulation of Electron Transport Properties in Ⅲ-Ⅴ Compound Semiconductors;Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体输运性质的蒙特卡罗模拟
8.Solvothermal Synthesis of Metastable Structures of Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2 Ternary Sulphides and Its CharacterizationsⅠ-Ⅲ-Ⅵ_2族硫化物亚稳结构的溶剂热合成与表征
9.STUDY ON THE COMPLEX OF BI(Ⅲ) WITH CPAPB铋(Ⅲ)与对溴偶氮氯膦配合物的研究
10.A Progress of Ⅲ-Ⅴ Compound Semiconductor Devices Grown Directly on Si Substrate在硅衬底上直接生长Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件的进展
11.^Study on the Polarographic Adsorptive Wave of Isonuclear Complex of Bi(Ⅲ) and Sc(Ⅲ) with Some Bisazodyes Containing AsO3H2双偶氮胂型试剂与铋(Ⅲ)-钪(Ⅲ)异核络合物极谱吸附波的研究
12.STUDIES ON THE NUTRIENT PHYSIOLOGY OF THE CHINESEKALE (Brassica alboglabra Bailey)Ⅲ. EFFECT OF N AND K FERTILIZER ON BIOCHEMICAL SUBSTANCES DURING FLOWER STALK FORMATION OF THE CHINESE KALE芥兰营养生理的研究——Ⅲ.氮钾营养对芥兰菜薹形成过程体内生化物质的影响
13.Hemoglobin catalyzed Arsenazo Ⅲ fading reaction for the determination of hydrogen peroxide血红蛋白催化偶氮胂Ⅲ褪色测定过氧化氢
14.Study on the Complex of Bi(Ⅲ) with PAN铋(Ⅲ)与1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚配合物的研究
15.Biogenic amine is a kind of low molecular compounds belonging to nitric fatty group or heterocycle group.生物胺是一类含氮的脂肪族或杂环类低分子化合物。
16.nitride oxide structure氮化物 氧化物结构
17.oxide nitride masking氧化物 氮化物掩蔽
18.STUDY OF HYDROCARBON TYPE AND NITROGENOUS COMPOUNDS OF SHENGLI (CHINA) AND CALIFORNIAN (USA) GAS OIL胜利和加利福尼亚直馏柴油馏分的烃族组成和含氮化合物的研究
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6)group Ⅲ nitrides族氮化物材料
延伸阅读
III-V族化合物半导体分子式：CAS号：性质：元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的化合物半导体材料。III-V族化合物的表示式为A(III)B(V)，如BN，BP，BAs，BSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InAs，InN，InP和InSb。其中BN，AlN，GaN和InN是纤维锌矿结构，其余十二种为闪锌矿结构。III-V族化合物的一个重要特点是含有一个V族的挥发性组元，在它们熔点时，存在一个V族元素的离解压，以磷化物离解压为最高。III-V族半导体化合物制备方法有以下几种：液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)，水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE)，气相外延(VPE)，分子束外延(MBE)，化学束外延(LBE)和金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)等。III-V族化合物半导体材料在光电子器件，光电集成，超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上得到重要应用，有广阔前景。
