γ-γ' coatingγ-γ'涂层
3)γ/γ' interfaceγ/γ'相界
1.By using the discrete variational Xα (DV-Xα) method, the electronic and bonding structures of γ/γ' interfaces with and without Ir addition in Ni-base single crystal superalloys were calculated in the framework of the first-principles theory.采用非相对论第一原理分子轨道DV-Xα模型簇方法,计算了Ni基单晶超合金γ/γ'相界的电子结构,并从键重替聚居数(QAB)、界面原子层间的部分键合强度,以及界面原子局域环境总键合强度几个方面,对Ir合金化前后γ/γ'界面的结构稳定性、脆化特性、相间断裂的难易程度等几个方面对γ/γ'相界的结构特性进行了分析。
4)γ/γ interfacesγ/γ界面
5)the ratio of percentage of γ' and γγ'、γ″相
1.Acorrding to the type of the phase and the composition, the ratio of percentage of γ' and γ" phase in these GH4169 alloys which were treated under different condition was given.用阳极选择性电解脱溶相分离方法及原子吸光法测定GH4169合金中δ、NbC、(γ′+γ″)相含量,并根据析出相的类型和组成,测定不同变形量GH4169合金中γ′、γ″相含量的比值为W_γ:W_γ≈1:3。
6)γ-γ coincidenceγ-γ符合
1.γ-γ coincidencesand DCO ratios were measured using eight anticompton Ge detectors and one planar.利用７５ＭｅＶ的１８Ｏ束流，通过７０Ｚｎ（１８Ｏ，４ｎ）反应布居了８４Ｓｒ核的高自旋态，测量了激发函数，γ－γ符合及ＤＣＯ比值和γ射线强度，观察到了１２条新能级，近３０条新γ跃迁，建立了新的能级纲图，与Ｄ。
延伸阅读
CaO-TiO2-SiO2 ceramics分子式：CAS号：性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
