本发明涉及一种斑玉蕈的培养方法，特别涉及一种应用富氢水增加斑玉蕈菌丝抗逆境的方法；属于食用菌栽培技术领域。
背景技术：
斑玉蕈（Hypsizygus marmoreus），又名蟹味菇、海鲜菇、鸿喜菇、玉蕈，其味道鲜美，肉厚质嫩，口感甚佳，在日本有“香在松茸，味在玉蕈”之说，在国内也得到消费者的青睐。由于斑玉蕈独特的口感及呈味物质，被冠以“菇中第一脆”的美誉。现在，栽培食用菌的主要原料都是来自植物的下脚料，比如木屑，玉米芯，麸皮等等。而这些原料很容易在生长过程中被污染。这些污染物可能会对食用菌的生长，生殖和代谢造成严重的抑制，这些抑制作用反过来会导致食用菌产量的减少。如果这些污染物比如重金属，累积到农作物中，它们也可能聚集到食用菌的子实体中，这样可能会通过食物链威胁到人类的健康。
面对这种局势，如果通过人工干预外部添加诱导剂提高食用菌菌丝对环境中一些胁迫因素的抵抗力，是提高斑玉蕈工业化生产和安全的关键。这样不仅可以增加食用菌生产过程中的稳定性，同时提高食用菌的安全性。
氢气是一种无色无味和无毒的气体，已经在很多研究中得到了应用。自从H2被发现是一种潜在的新的抗氧化剂在疾病的治疗中，H2在38种疾病和生理实验中被报道具有显著的治疗效果。在植物中，研究发现富氢水可以增强对抗环境的逆境，这些逆境包括镉、铝、钼、盐和干旱等。另外，研究发现富氢水可以降低镉在苜蓿种子中的累积。
技术实现要素：
本发明针对食用菌现有栽培生产中原料的不稳定、复杂性，找到了一种能显著性地提高食用菌抵抗逆境环境，提高其在逆境环境中的生长速度，提高其产量和栽培经济效益的天然物质，并确定了富氢水添加的时间。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种应用富氢水增加斑玉蕈菌丝抗逆境的方法，所述斑玉蕈在逆境环境的培养过程中，向所述逆境环境中添加富氢水；所述逆境环境是指斑玉蕈的培养环境中含有阻碍所述斑玉蕈生长的胁迫物质。
优选的技术方案为：所述胁迫物质是镉盐、NaCl和H2O2中的至少一种。
优选的技术方案为：所述镉盐是CdCl2。
优选的技术方案为：所述胁迫物质存在于斑玉蕈的生长所处环境中的气氛、培养基、培养液中。
优选的技术方案为：每隔8~30小时，向所述逆境环境中添加富氢水。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种应用富氢水增加斑玉蕈菌丝抗逆境的工艺步骤，其特征在于：包括下列步骤：
第一步：斑玉蕈工厂化生产用塑料瓶，装料后灭菌，接种菌种，再进行培养；
第二步：对斑玉蕈进行搔菌与出菇培养，利用机械搔菌设备进行搔菌，再添加富氢水，然后将其转移到出菇房进行出菇培养；
第三步：采收，出菇22天后，菇盖大小为1.5-2cm，即可采收。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：
1、本发明与以往提高食用菌菌丝抗逆性的方法相比，其操作简便，效果更突出，增加了食用菌栽培过程中的稳定性和提高了食用菌在逆境环境中的生长速度。该方法只需要在搔菌后，添加一定浓度的富氢水，可以提高斑玉蕈菌丝的生长速度，增强其生产的稳定性。
2、本发明的富氢水提高斑玉蕈菌丝抵抗镉逆境，增加菌丝生长速度和提高菌丝生物量效果显著。
附图说明
图1为逆境环境添加富氢水和未添加富氢水对照。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述：
实施例一：一种应用富氢水增加斑玉蕈菌丝抗逆境的方法
1、PDA培养基的配制：准确称取PDA粉末3.9g，放入250 ml的三角瓶中，再向三角瓶中加入100 ml蒸馏水，然后在121℃，压强是0.1MPa下灭菌15 min。待灭菌后的PDA培养基冷却至不烫手，向培养基中添加预先配制好的CdCl2，NaCl和H2O2母液，使其终浓度分别为50μm，1%和2mM，然后倒平板。对照组是什么也不加的PDA培养基。
2、PDA的接种和培养
将步骤2中的PDA培养基接入斑玉蕈菌株SIEFF3133菌块，菌块直径为0.6 cm，放入发菌室在25℃左右暗室培养15天。
3、转接培养
将步骤2中的生长到15天的斑玉蕈菌株分别再转接到平板直径为6 cm的PDA平板中间，对照组和富氢水组。再将对照组和富氢水组分为两组，分别向不同组中添加3ml 双蒸水和富氢水，确保加入平板中的水淹没菌块。每12小时更换一次平板中的双蒸水和富氢水。在25 ℃左右暗室培养5天。
4、采收和数据统计
对培养结束的平板进行划线，用游标卡尺测量菌落直径，计算菌丝生长速度，同时对菌落形态进行观察并拍照，结果如图1所示。图1中，顶部的四张图片分别为水、双氧水、Na离子和Cd离子培养环境下，再用水进行培养（即不添加富氢水），斑玉蕈菌丝的图片。中部的的四张图片分别为水、双氧水、Na离子和Cd离子培养环境下，再用富氢水进行培养，斑玉蕈菌丝的图片。图片中的HRW表示富氢水，其表示的意思是用富氢水进行抗逆境培养。结果显示，向斑玉蕈的培养环境中添加富氢水，可以提高斑玉蕈菌丝的长度和生长速度，增强其生产的稳定性。
实施例二：一种应用富氢水增加斑玉蕈菌丝抗逆境的方法
1、PDB培养基的配制：准确称取PDA粉末1.2 g，放入250 ml的三角瓶中，再向三角瓶中加入50 ml蒸馏水，然后在121℃，压强是0.1MPa下灭菌15 min。灭菌后的培养基中再接种5ml液体斑玉蕈菌种，150rpm，25℃左右培养6天，再向培养基中添加预先配制好的CdCl2，NaCl和H2O2母液，使其终浓度分别为50 μm，1%和2 mM，再继续培养48小时。
2、添加富氢水
加入镉继续培养48小时后，分别添加25 ml蒸馏水和富氢水到不同培养瓶，形成对照组和富氢水组。每12小时添加一次，联系添加4次后再继续培养2天。
3、菌丝收集和数据分析
等培养结束后，用无纺布过滤菌丝，再用蒸馏水冲洗数次，将收集的菌丝放入60℃烘干至恒重，计算平均每个处理的菌丝干重，计算方差。结果显示，添加富氢水可以提高食用菌菌丝的生长速度，增强其生产的稳定性。
实施例三：一种应用富氢水增加斑玉蕈菌丝抗逆境的工艺步骤
包括下列步骤：
第一步：斑玉蕈工厂化生产用塑料瓶，装料后灭菌，接种菌种，再进行培养；
第二步：对斑玉蕈进行搔菌与出菇培养，利用机械搔菌设备进行搔菌，再添加富氢水，然后将其转移到出菇房进行出菇培养；
第三步：采收，出菇22天后，菇盖大小为1.5-2cm，即可采收。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。