一种提高娜塔栎种子发芽率的方法与流程

文档序号:19490167发布日期:2019-12-24 13:39阅读:1202来源:国知局

本发明属于苗木繁殖技术领域,具体涉及一种提高娜塔栎种子发芽率的方法。



背景技术:

娜塔栎(quercusnuttallii),壳斗科栎属树种。落叶乔木,主干直立,大枝平展略有下垂,塔状树冠。树高25-30m,冠幅8-12m。叶椭圆形,长10-20cm,宽5-13cm,顶部有硬齿,正面亮深绿色,背面暗绿色,有丛生毛;秋季叶亮红色或红棕色;树皮灰色或棕色、光滑。每年11月初开始变红,第二年2月落叶,是冬季观叶的好树种。娜塔栎原产于北美,在美国东南部有较大分布。适应性强,极耐水湿,抗城市污染能力强,气候适应性强,耐寒、旱,喜排水良好的沙性壤土。目前,该树种的繁育以种子繁殖为主,土壤中病原菌和地下害虫较多,加之土壤通气性较差等因素,使得播种后的娜塔栎的发芽率较低,极大的影响了娜塔栎的成活率、降低经济效益。



技术实现要素:

发明目的:针对现有技术中存在的不足,本发明的目的是提供一种提高娜塔栎种子发芽率的方法,具有促进种子提早发芽,提高发芽率,降低苗木生产工序和成本的优点。

技术方案:为了解决上述问题,本发明所采用的技术方案如下:

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:

一种提高娜塔栎种子发芽率的方法,先用高锰酸钾溶液对种子浸泡消毒,再用赤霉素溶液浸泡处理,解除娜塔栎种子的休眠。本发明对高锰酸钾溶液和赤霉素溶液的用量没有特殊限定,以能达到浸泡种子为准。

所述提高娜塔栎种子发芽率的方法,对娜塔栎种子进行消毒前先进行预处理:将种子与湿沙混合层积堆置,并进行低温越冬处理。

一种提高娜塔栎种子发芽率的方法,具体包括以下步骤:

(1)将种子用0.5%高锰酸钾溶液浸泡10-15min,然后用蒸馏水冲洗3-5次;

(2)将步骤(1)的种子用浓度为100-200mg/l赤霉素溶液,在温度为30-40℃条件下浸泡12-24h,再用清水冲洗干净,播种。

所述提高娜塔栎种子发芽率的方法,对娜塔栎种子进行消毒前先进行预处理:将娜塔栎种子与湿沙混合,层积堆置,并覆2-3层塑料薄膜越冬,越冬温度为0-10℃,湿度为60%-80%,层积时间为30d,种子和湿沙体积比为1∶3,在沙子的底部垫一层砖,以利于通风排水。因采集或购买的种子未到播种季节,采用这样的贮藏方式,可以有效帮助提高发芽率,为后面的处理提供充分的准备。

所述提高娜塔栎种子发芽率的方法,对娜塔栎种子进行消毒前先进行预处理:将娜塔栎种子与湿沙混合,层积堆置,并覆2-3层塑料薄膜越冬,越冬温度为0-5℃,湿度为70%-80%,层积时间为30d,种子和湿沙体积比为1∶3,在沙子的底部设一层砖,以利于通风排水。

所述提高娜塔栎种子发芽率的方法,种子待胚根刚刚露头时进行播种,种子种植土壤条件参数:ph值在6.5-7.5,ec值在0.2-0.6ms·cm-1

所述提高娜塔栎种子发芽率的方法,采用0.5%高锰酸钾溶液浸泡15min进行消毒。

所述提高娜塔栎种子发芽率的方法,用浓度为200mg/l赤霉素溶液,在温度为40℃条件下浸泡24h,进行刺激处理解除娜塔栎种子的休眠。

一种提高娜塔栎种子发芽率的方法,包括以下步骤:

(1)将娜塔栎种子与湿沙混合,层积堆置,并覆3层塑料薄膜越冬,越冬温度为0-5℃,湿度为70%-80%,种子和湿沙体积比为1∶3,在沙子的底部设一层砖,层积时间为30d;

(2)将步骤(1)的种子用0.5%高锰酸钾溶液浸泡15min,然后用蒸馏水冲洗5次;

(3)将步骤(2)种子用浓度为200mg/l赤霉素溶液,在温度为40℃条件下浸泡24h,再用清水冲洗干净;

(4)将步骤(3)种子待胚根刚刚露头时进行播种,种子发芽率达89%以上。

所述提高娜塔栎种子发芽率的方法,种子种植土壤条件参数:ph值在6.5-7.5,土壤ec值为0.2-06ms·cm-1

有益效果:现有的技术相比,本发明的优点包括:

(1)本发明是将娜塔栎层积处理后用高锰酸钾溶液消毒,显著降低土壤中的病虫为害,再用赤霉素解除娜塔栎种子的休眠,种子无需经过长时间冷湿处理,可直接播种萌发。

(2)本发明降低了土壤中的病虫为害和育苗工序和成本,促进种子提早发芽,提高种子发芽率,延长苗木的生长周期,在娜塔栎育苗生产中具有重要的指导意义,发芽率提高到90%左右。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合具体实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。

实施例1

(1)将娜塔栎种子与湿沙混合,层积堆置,并覆2层塑料薄膜越冬,越冬温度控制在5-10℃,湿度控制在60%-70%,种子和湿沙体积比为1:3,在沙子的底部垫一层砖,以利于通风排水,层积时间为30d,备用;

(2)将步骤(1)的种子用0.5%高锰酸钾溶液浸泡10min,然后用蒸馏水冲洗3次,备用;

(3)将步骤(2)种子用浓度为100mg/l赤霉素溶液,在温度为30℃条件下浸泡12h,再用清水冲洗干净;

(4)将步骤(3)种子待胚根刚刚露头时进行播种,种子种植土壤条件参数:ph值为6.5,土壤电导率(ec值)为0.2ms·cm-1,种子发芽率达80.9%。

实施例2

(1)将娜塔栎种子与湿沙混合,层积堆置,并覆2层塑料薄膜越冬,越冬温度控制为0-5℃,湿度控制在70%-80%,种子和湿沙体积比为1∶3,在沙子的底部垫一层砖,以利于通风排水,层积时间为30d,备用;

(2)将步骤(1)的种子用0.5%高锰酸钾溶液浸泡15min,然后用蒸馏水冲洗5次,备用;

(3)将步骤(2)中的种子用浓度为100mg/l赤霉素溶液,在温度为30℃条件下浸泡12h,再用清水冲洗干净;

(4)将步骤(3)中的种子待胚根刚刚露头时进行播种,种子种植土壤条件参数:ph值为7.4,土壤ec值为0.6ms·cm-1,种子发芽率达83.5%。

实施例3

(1)将娜塔栎种子与湿沙混合,层积堆置,并覆2层塑料薄膜越冬,越冬温度控制为0-5℃,湿度控制在70%-80%,种子和湿沙体积比为1∶3,在沙子的底部垫一层砖,以利于通风排水,层积时间为30d,备用;

(2)将步骤(1)的种子用0.5%高锰酸钾溶液浸泡15min,然后用蒸馏水冲洗5次,备用;

(3)将步骤(2)种子用浓度为100mg/l赤霉素溶液,在温度为30℃条件下浸泡12h,再用清水冲洗干净;

(4)将步骤(3)种子待胚根刚刚露头时进行播种,种子种植土壤条件参数:ph值为7.0,土壤ec值为0.4ms·cm-1,种子发芽率达84.2%。

实施例4

(1)将娜塔栎种子与湿沙混合,层积堆置,并覆3层塑料薄膜越冬,越冬温度控制为0-5℃,湿度控制在70%-80%,种子和湿沙体积比为1∶3,在沙子的底部垫一层砖,以利于通风排水,层积时间为30d,备用;

(2)将步骤(1)的种子用0.5%高锰酸钾溶液浸泡15min,然后用蒸馏水冲洗5次,备用;

(3)将步骤(2)种子用浓度为200mg/l赤霉素溶液,在温度为40℃条件下浸泡24h,再用清水冲洗干净;

(4)将步骤(3)种子待胚根刚刚露头时进行播种,种子种植土壤条件参数:ph值为7.0,土壤ec值为0.4ms·cm-1,种子发芽率达89.3%。

从实施例2和3可以看出,只有土壤的参数不一样,种子发芽率分别为83.5%和84.2%,土壤参数对种子发芽率稍有影响,但是影响不是很明显;实施例1和2中实验条件的区别为土壤的参数和高锰酸钾溶液的处理时间,最终结果是实施例1的种子发芽率为80.9%,实施例2的种子发芽率为83.5%,说明高锰酸钾溶液的处理时间对娜塔栎种子的发芽率影响比较大;实施例3和4中土壤条件完全相同,区别是赤霉素溶液的浓度和处理条件有差别,最终结果中实施例3的种子发芽率为83.5%,实施例4的种子发芽率为89.3%,差别很大,说明赤霉素溶液的处理条件对种子发芽率影响比较大。

实施例5

(1)将娜塔栎种子与湿沙混合,层积堆置,并覆3层塑料薄膜越冬,越冬温度控制为0-5℃,湿度控制在70%-80%,种子和湿沙体积比为1∶3,在沙子的底部垫一层砖,以利于通风排水,层积时间为30d,备用;

(2)将步骤(1)的种子用40%福尔马林100倍液浸泡15min,然后用蒸馏水冲洗5次,备用;

(3)将步骤(2)种子用1%过氧化氢溶液,在温度为40℃条件下浸泡24h,再用清水冲洗干净;

(4)将步骤(3)种子待胚根刚刚露头时进行播种,种子种植土壤条件参数:ph值在7.0,土壤ec值为0.4ms·cm-1,种子发芽率达66.9%。

实施例6

(1)将娜塔栎种子与湿沙混合,层积堆置,并覆3层塑料薄膜越冬,越冬温度控制为0-5℃,湿度控制在70%-80%,种子和湿沙体积比为1∶3,在沙子的底部垫一层砖,以利于通风排水,层积时间为30d,备用;

(2)将步骤(1)的种子用40%福尔马林100倍液浸泡10min,然后用蒸馏水冲洗5次,备用;

(3)将步骤(2)种子用1%柠檬酸溶液,在温度为40℃条件下浸泡48h,再用清水冲洗干净;

(4)将步骤(3)种子待胚根刚刚露头时进行播种,种子种植土壤条件参数:ph值在7.0,土壤ec值为0.4ms·cm-1,种子发芽率达70.2%。

实施例5和实施例6作为实施例1-4的对比例,实验方法同实施例4,差别是采用40%福尔马林100倍液作为杀菌剂,采用1%过氧化氢或1%柠檬酸溶液作为打破种子休眠的处理剂,种子发芽率与实施例1-4中的结果相差较大,说明先用高锰酸钾溶液对种子浸泡消毒,再用赤霉素溶液浸泡处理,解除娜塔栎种子的休眠,可以有效提高娜塔栎种子发芽率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式。应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,凡采用等同替换或者等效变换方式所获得的技术方案,也应视为本发明的保护范围。

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