一种玉米多层精准施肥及种植方法与流程

文档序号:21533334发布日期:2020-07-17 17:24阅读:399来源:国知局
一种玉米多层精准施肥及种植方法与流程

本发明涉及玉米种植技术领域,尤其涉及一种玉米多层精准施肥及种植方法。



背景技术:

随着深松技术的推广,多层施肥技术逐渐开始推广。在大型拖拉机的带动下,深松铲可以深松到地表下25~32cm,通过设计多个施肥管或多个高度的出肥口,可以实现肥料多层施入土壤,满足玉米不同生育时期的需要。与传统单层施肥(深度10cm左右)相比,多层施肥的施肥深度和层次增加,对于保障玉米中后期肥料供应具有重要作用。

目前多层施肥技术研究中,需要对施肥层数、施肥深度、不同施肥层肥料占比进行研究,寻找出能保障肥料供应充足、减少肥料损失、提高肥料利用率、平衡土壤养分空间平衡、提高玉米产量品质、增加种植效益的最优技术方案。其中,如何实现精准施肥是成为了一个技术难题。现有方法及其存在问题如下:①如果采用盆栽方法进行,需要先混匀土后,装盆时可以按照层次施入肥料,最后播种。该方法存在以下两个问题:一是刚填入的土比较松散,浇水瓷实后,实际的土层会便浅,实际的肥料深度会小于设计深度;二是使用盆栽方法,土壤比较松散,上下层土壤肥力一致,与田间耕作土壤比较紧实、上下层土壤肥力存在差异的实际情况不符。②如果采取使用深松施肥播种机进行试验,第一遍施入深层肥料,第二遍施入中层肥料,最后施入上层肥料并同时播种。在理论上是可以实现的,但是实际操作中存在以下几个问题:一是播种机行走轮(肥料靠行走轮给予动力才能施用)在田间转动时存在一定的滑动,播种实际移动的距离长于依照行走轮转动圈数计算出的距离,导致实际施肥量低于设计施肥量,且地形地貌时变化较大时,施肥量上下浮动较大,导致施肥量不准确、肥料分布不均匀;二是拖拉机的轮子在第一遍施肥时已经压出一条浅沟,第二遍和第三遍施肥时,拖拉机会走第一次相同的路线,导致了第二次、第三次施肥时的深度不准确,也无法调整,导致施肥深度不准确。

因此需要提供一种针对玉米种植的多层精准施肥及种植方法。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种玉米多层精准施肥及种植方法,从而解决现有技术中存在的前述问题。

为了实现上述目的,本发明采用一种玉米多层精准施肥方法,包括以下步骤:

s1,在播种有玉米的玉米播种行两侧相同距离处设置肥料行;

s2,在所述肥料行上设置肥料穴,且每个玉米播种穴周围设置有多层肥料穴;

设置多层肥料穴时,首先大直径的移苗器,取出第一层土柱,放置旁边;然后依次使用较小直径的土钻,依次取出下层土柱,得到多层肥料穴;

s3,施肥时首先将最底层待施肥料放入肥料穴中,然后将最底层土柱放入肥料穴中,再依次将每层待施肥料放置在肥料穴中,采用对应的土柱覆盖直到第一层土柱放入施肥穴中,压平土层。

优选地,步骤s2中每个玉米播种穴周围设置四个等距离的多层肥料穴,且该多层肥料穴为两层肥料穴或三层肥料穴,

两层施肥穴的制作方法是:使用大直径的移苗器,取出第一层土柱,放置旁边;然后使用较大直径的土钻,取出第二层土柱,放置旁边;

三层施肥穴的制作方法是:使用大直径的移苗器,取出第一层土柱,放置旁边;然后使用较大直径的土钻,取出第二层土柱,放置旁边;再使用小直径的土钻,取出第三层土柱,放置旁边。

优选地,步骤s3中,当施肥穴为两层施肥穴时,第一层施肥深度为8~10cm,第二层施肥深度为15~17cm,第一层施肥量大于第二层施肥量;

当施肥穴为三层施肥时,第一层施肥深度为8~10cm,第二层施肥深度为15~17cm,第三层施肥深度22~25cm;第一层施肥量、第二层施肥量和第三层施肥量的比例依次减少。

优选地,当施肥穴为两层施肥穴时,第一层施肥深度为8cm,第二层施肥深度为15cm,第一层施肥量与第二层施肥量的比例为2:1;

当施肥穴为三层施肥时,第一层施肥深度为8cm,第二层施肥深度为15cm,第三层施肥深度22cm;第一层施肥量、第二层施肥量和第三层施肥量的比例为7:5:3。

本发明还公开了一种采用多层精准施肥的玉米种植方法,包括以下步骤:

a1,整平待播种土地,浇水,开沟设置播种行;

a2,在播种行上按照一定距离设置播种穴种植玉米;

a3,在距离播种行的两侧相同距离处设置肥料行,肥料穴设置在所述肥料行上且每个播种穴周围设置有四个等距离的多层肥料穴;

a4,对已施肥后的土地浇水、除草、间苗和定苗。

优先地,步骤s1中浇水的时机是在播种前一天进行浇水,主要是为了方便取土打穴,使得钻出的土块成型;

播种之前在播种行撒施甲拌磷防治地下害虫;播种行的设置间距为60cm;播种行深度为3~5cm。

优选地,步骤a2中播种穴之间的间距为25~30cm,具体距离根据玉米品种特性和地力条件而定;为了保证田间不缺苗,每个播种穴中放置3粒玉米种,为了利于间苗定苗种子呈品字型分布,粒距1~2cm。

优选地,步骤a3中所述肥料行与所述播种行的间距为10cm,所述施肥穴间的间距与播种穴之间间距相同。

优选地,步骤a4中所述的浇水方式为滴灌,每行1根滴灌带,均匀铺设布置,利于保证试验浇水的均匀性;

当玉米苗3叶时,进行间苗和补苗;当玉米苗5叶时,进行定苗。

更优选的,在整个种植过程中,还包括除草、悬挂防鸟网等,以保证玉米生长环境良好。

优选地,所述多层施肥穴的施肥过程为:

当两层施肥时,则首先使用大直径的移苗器,取出第一层土柱,放置旁边;然后使用较小直径的土钻,取出第二层土柱;把第二层肥料放进穴底部,把第二层土柱原样放入穴中,用标有刻度的木棍压实,并使深度满足第一层施肥深度要求;最后,放入第一层肥料,把第一层土柱放入穴中,用脚踩实压平;

当三层施肥时,则首先使用大直径的移苗器,取出第一层土柱,放置旁边;然后使用直径8cm的土钻,取出第二层土柱,放置旁边;再使用小直径的土钻,取出第三层土柱;把第三层肥料放进穴底部,然后放回第三层土柱,用带刻度的木棍压实,并使深度满足第二层施肥深度要求;再放入第二层肥料,把第二层土柱放入穴内,用带刻度的木棍压实,并使深度满足第一层施肥深度要求;最后,放入第一层肥料,把第一层土柱放入穴中,用脚踩实压平。

本发明的有益效果是:

本发明提供了一种玉米多层精准施肥及种植方法,本方法采用精准施肥方法,具有以下优点:

没有搅动上下层土壤,保持土壤原状;施肥量精准计算到每株玉米2个施肥穴,每个施肥穴多层施肥,保证了肥料用量的高度精准。

在进行设置施肥穴时,使用直径由大到小的土钻依次取由浅到深的土柱,防止了上下层土壤混杂和肥料混杂,且利于提高田间操作效率,保证了施肥深度的高度精准。

每株玉米周围四个肥料穴均匀分布,施肥穴与玉米的距离均匀一致,施肥行与玉米行距离一致,保证了施肥位置高度精准。

附图说明

图1是实施例1中多层精准施肥的玉米种植示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

实施例1

本实施例公开一种玉米多层精准施肥方法,包括以下步骤:

s1,在播种有玉米的玉米播种行两侧相同距离处设置肥料行;

s2,在所述肥料行上设置肥料穴,且每个玉米播种穴周围设置有多层肥料穴;

设置多层肥料穴时,首先大直径的移苗器,取出第一层土柱,放置旁边;然后依次使用较小直径的土钻,依次取出下层土柱,得到多层肥料穴;

s3,施肥时首先将最底层待施肥料放入肥料穴中,然后将最底层土柱放入肥料穴中,再依次将每层待施肥料放置在肥料穴中,采用对应的土柱覆盖直到第一层土柱放入施肥穴中,压平土层。

本实施例中每个玉米播种穴周围设置四个等距离的多层肥料穴,且该多层肥料穴为两层肥料穴或三层肥料穴,

当两层施肥时,首先使用大直径的移苗器,取出第一层土柱,放置旁边;然后使用较小直径的土钻,取出第二层土柱;把第二层肥料放进肥料穴底部,把第二层土柱原样放入穴中,用标有刻度的木棍压实,并使深度满足第一层施肥深度要求;最后,放入第一层肥料,把第一层土柱放入穴中,用脚踩实压平;第一层施肥深度为8~10cm,第二层施肥深度为15~17cm,第一层施肥量大于第二层施肥量。

本实施例中的第一层施肥深度为8cm,第二层施肥深度为15cm,第一层施肥量与第二层施肥量的比例为2:1。

当三层施肥时,则首先使用大直径的移苗器,取出第一层土柱,放置旁边;然后使用直径8cm的土钻,取出第二层土柱,放置旁边;再使用小直径的土钻,取出第三层土柱;把第三层肥料放进穴底部,然后放回第三层土柱,用带刻度的木棍压实,并使深度满足第二层施肥深度要求;再放入第二层肥料,把第二层土柱放入穴内,用带刻度的木棍压实,并使深度满足第一层施肥深度要求;最后,放入第一层肥料,把第一层土柱放入穴中,用脚踩实压平。

第一层施肥深度为8~10cm,第二层施肥深度为15~17cm,第三层施肥深度22~25cm;第一层施肥量、第二层施肥量和第三层施肥量的比例依次减少。

本实施例中的第一层施肥深度为8cm,第二层施肥深度为15cm,第三层施肥深度22cm;第一层施肥量、第二层施肥量和第三层施肥量的比例为7:5:3。

实施例2

本实施例公开了一种多层精准施肥的玉米种植方法,包括以下步骤:

a1,整平待播种土地,在播种前一天进行浇水,开沟设置播种行;

a2,播种之前在播种行撒施甲拌磷防治地下害虫,在播种行上按照一定距离设置播种穴种植玉米,穴距根据玉米品种特性设定,播种行的设置间距为60cm;播种行深度为3~5cm;

a3,在距离播种行的两侧相同距离处设置肥料行,肥料穴设置在所述肥料行上且每个播种穴周围设置有四个等距离的多层肥料穴;按照实施例1中的施肥方法进行施肥。

a4,对已施肥后的土地浇水、除草、间苗和定苗。

步骤a2中播种穴之间的间距为25~30cm,具体距离可根据玉米品种特性和地力条件而定;为了保证田间不缺苗,每个播种穴中放置3粒玉米种,为了利于间苗定苗种子呈品字型分布,粒距1~2cm。

步骤a3中所述肥料行与所述播种行的间距为10cm,所述施肥穴间的间距与播种穴之间间距相同,且所述施肥穴中为两层施肥或三层施肥。

步骤a4中所述的浇水方式为滴灌,每行1根滴灌带,均匀铺设布置,利于保证试验浇水的均匀性;

当玉米苗3叶时,进行间苗和补苗;当玉米苗5叶时,进行定苗。

在整个种植过程中,还包括除草、悬挂防鸟网等,以保证玉米生长环境良好。

具体试验方式:

本试验方式为了证明本发明中采取的种植方法效果良好,因此设计了8种施肥方式:

1、设计试验方案:共设计试验处理8个,分别为处理1:不施肥;处理2:常规单层施肥,深度8cm;处理3:两层施肥,8cm和15cm深度肥料量比例为1:1;处理4:两层施肥,8cm和15cm深度肥料量比例为1:2;处理5:两层施肥,8cm和15cm深度肥料量比例为2:1;处理6:三层施肥,8cm、15cm、22cm深度肥料量比例为1:1:1;处理7:三层施肥,8cm、15cm、22cm深度肥料量比例为3:5:7;处理8:三层施肥,8cm、15cm、22cm深度肥料量比例为7:5:3。

玉米品:种为金海5号,肥料为金正大公司生产的掺混肥,肥料养分为n:p2o5:k2o=26:9:9,总施肥量为50kg/亩。共8个小区,小区行长6.67m,5行区,行距60cm,株距27.8cm,合密度4000株/亩,小区观察走道为1m。

2、平整试验地。平整小麦地原有的畦埂及其他不平整的地方,使试验区域平整一致。

3、为了准确给出施肥量,称取肥料。根据试验设计,经计算需要称取1.5g肥料320份、2.5g肥料1220份、3.5g肥料320份、3.75g肥料320份、5.0g肥料320份、7.5g肥料160份。

使用4层卫生纸进行简单包裹,用少量胶水封口后口朝下放在桌面上,1~2分钟后收集起来,同一个施肥量的肥料放置在同一塑料袋内,并写上肥料重量标签和份数。

4,浇水造墒。需要在田间施肥前一天适量浇水,使得钻土能够成型。

5,田间规划。根据实验方案,在播种行上纵向拉上绳子,在播种行两头和第5株玉米处横向拉上绳子。

6,开沟播种。使用小撅头在纵向绳子下方开沟,深度3~5cm左右。在播种行撒施甲拌磷防治地下害虫;严格按照播种杆从播种行第1株开始播种,每穴3粒,种子呈品字型分布,粒距1~2cm。

7,打孔施肥。首先用红油漆在直径10cm移苗器外部第一层施肥深度处(8cm)画一圈作为标记,在直径8cm土钻外部第二层施肥深度处(15cm)画一圈作为标记,在直径5cm土钻外部第三层施肥深度处(22cm)画一圈作为标记。

试验处理2是单层施肥处理,使用直径10cm的移苗器在施肥位置取出第一层8cm深度的土柱,把称好的肥料放进施肥穴底部,然后把土柱原样(上下头不能颠倒)放回施肥穴,用脚踩实压平。

试验处理3、处理4、处理5是两层施肥,则首先使用直径10cm的移苗器,取出第一层8cm深度的土柱,放置旁边;然后使用直径8cm的土钻,取出第二层8cm-15cm深度的土柱;把第二层肥料放进穴底部,把第二层土柱原样放入穴中,用标有刻度的木棍压实,并使深度满足第一层施肥深度要求;最后,放入第一层肥料,把第一层土柱放入穴中,用脚踩实压平。

试验处理6、处理7、处理8是三层施肥,则首先使用直径10cm的移苗器,取出第一层8cm深度土柱,放置旁边;然后使用直径8cm的土钻,取出第二层8cm-15cm深度土柱,放置旁边;再使用直径5cm的土钻,取出第三层15cm-22cm深度的土柱;把第三层肥料放进穴底部,然后放回第三层土柱,用带刻度的木棍压实,并使深度满足第二层施肥深度要求;再放入第二层肥料,把第二层土柱放入穴内,用带刻度的木棍压实,并使深度满足第一层施肥深度要求;最后,放入第一层肥料,把第一层土柱放入穴中,用脚踩实压平。

试验结果

当玉米成熟后,对各个不同施肥处理后的玉米生长过程中的数据进行测试整理,得到以下结果:

(1)不同施肥方式玉米产量的比较

从表1可以看出,处理5、处理8(本发明中的施肥方式)的百粒重分别为34.483g和34.043g,显著高于常规处理2,分别增加2.366g和1.996g,增幅达到7.4%和6.0%。

处理8的玉米籽粒产量最高,比常规处理2增产8.76%。施肥处理显著高于无肥处理1。从整体趋势来看,两层施肥籽粒产量高于单层施肥产量,三层施肥产量高于两层施肥产量;中上层高施肥量处理(处理5,8cm:10cm=2:1;处理8,8cm:15cm:22cm=7:5:3)增加了玉米百粒重,提高了籽粒产量。

表1不同施肥方式玉米产量的比较

(2)不同施肥方式对玉米n素积累与分配的比较

从表2可以看出,在吐丝期,三层施肥处理显著增加了玉米根、茎、叶中n的积累量,全株n积累量以处理8最多,比常规施肥处理2增加了14.5%;两层施肥处理与常规处理2持平或略有降低。n在主要根系中积累量的全株占比为2.8%-3.6%;n在茎中积累量的全株占比为45.5%-47.9%,处理4>2>6>8>3>7>1>5,处理间差异不显著;n在叶片中积累量的全株占比为48.5%-51.0%,处理5>7>1>3>2>6>8>4,处理4显著低于其它处理。

在成熟期,营养器官部分(根+茎+叶)中n积累量以处理5最高,处理5、处理3、处理8的n积累量高于常规处理2,其它处理均低于处理2;籽粒中n积累量以处理5最高,其中处理5、处理8、处理7、处理6高于对照处理2,其他处理均低于处理2。全株n积累量以处理5最高,处理8、处理3次之,比常规施肥处理2分别增加了11.8%、6.0%和4.4%。

表2不同处理n养分积累(kg/hm2)与分配的比较

在成熟期,n在主要根系中积累量的全株占比为2.0%-2.9%,以处理3最高;n在茎中积累量的全株占比为13.8%-16.4%,处理6>7>3>8>7>5>2>1,处理2和处理1显著低于其它处理;n在叶片中积累量的全株占比为19.1%-16.4%,处理3>5>2>1>8>4>6>7;n在籽粒中积累量的全株占比(即n肥收获指数)为57.0%-62.5%,处理7>4>1=6>8>2>5>3,处理5和处理3显著低于其它处理。成熟期营养体部分n积累量的全株占比37.5%-43.0%,处理3>5>2>8>6=1>4>7,处理3和处理5显著高于其它处理。

(3)不同施肥处理后p素积累与分配比较

在吐丝期,处理2和处理1主要根系中p积累量显著低于其他处理,茎叶中的p积累量以处理8、处理7、处理5最高,处理8、处理7、处理5的全株p积累量比常规处理2分别增加了13.0%、9.3%、9.2%。

在吐丝期,p在主要根系中积累量的全株占比为2.4%-4.0%;p在茎中积累量的全株占比56.8%-59.7%,处理4>8>6>1>7>3>2>5,处理5显著低于其它处理;p在叶片中积累量的全株占比为37.1%-40.3%,处理2>7>5>3>1>8>6>4,处理4显著低于其它处理。

表3不同施肥处理p养分积累(kg/hm2)与分配的比较

在成熟期,营养器官部分(根+茎+叶)中p积累量以处理3最高,处理1最低,其中处理3、处理5、处理8的p积累量显著高于常规处理2;籽粒中p积累量以处理5最高,所有施肥处理均显著高于对照处理2和空白处理1。全株p积累量以处理5最高,处理8处理次之,比常规施肥处理2分别增加了22.4%、18.8%和14.1%。

在成熟期,p在主要根系中积累量的全株占比为0.9-1.6%,以处理3最高;p在茎中积累量的全株占比为5.3%-9.0%,处理6>7>3>2>4>5>1>8,处理8显著低于其它处理;p在叶片的中积累量的全株占比为11.2%-16.9%,处理3>8>4>5>2>1>6>7,处理3、处理8、处理4显著高于其它处理;p在籽粒中积累量的全株占比(即p肥收获指数)为74.3%-79.8%,处理7>1>5>6>2>8>4>3,处理3显著低于其它处理。总体上看,成熟期营养体部分p积累量的全株占比20.2%-25.7%,处理3>4>8>2>6>5>1>7,处理3显著高于其它处理。

(4)不同施肥处理方式k素积累与分配的比较

在吐丝期,三层施肥处理玉米全株k积累量显著高于其它处理,根、茎、叶中k积累量均以处理8最高,处理8的全株k积累量比常规施肥处理2增加了46.1%,比空白处理1增加了66.3%。

表4不同施肥处理玉米k养分积累(kg/hm2)与分配

在吐丝期,k在主要根系中积累量的全株占比为2.3%-4.1%,处理和处理7最低;k在茎中积累量的全株占比48.2%-54.0%,处理8>1>3>4>7>6>5>2,处理2显著低于其它处理;k在叶片中积累量的全株占比为42.9%-48.8%,处理2>6>5>7>1>4>3>8,处理1、4、3、8显著低于其它处理。

在成熟期,营养器官部分(根+茎+叶)中k积累量以处理8最高,处理1最低,其中处理8、处理3、处理5的k积累量显著高于常规处理2;籽粒中k积累量以处理8最高,处理5次之。全株k积累量以处理8最高,处理5、处理3次之,比常规施肥处理2分别增加了22.0%、9.7%和8.3%。

在成熟期,k在主要根系中积累量的全株占比为3.4-5.3%,处理3最高显著高于其它处理;k在茎中积累量的全株占比为42.8%-53.7%,处理7>8>5>6>1>3>2>4,处理7、处理8显著高于其它处理,多层施肥处理显著高于其它处理;k在叶片的中积累量的全株占比为26.1%-37.7%,处理2>4>3>1>5>8>6>7,排序与k在茎中积累量排序基本相反,多层施肥处理显著低于其它处理;k在籽粒中积累量的全株占比(即k肥收获指数)为14.2%-17.1%,处理6>5>1>4>7>8>3>2,处理2显著低于其它处理。总体上看,成熟期营养体部分p积累量的全株占比为82.9%-85.8%,处理2>3>8>7>4>1>5>6。

(5)不同处理肥料养分的转运量与转运效率的比较

养分转运量(kg/hm2)=吐丝期根+茎+叶养分积累量-收获期根+茎+叶养分积累量,养分转运效率(%)=(养分转运量/吐丝期根+茎+叶养分积累量)×100%。

表5不同施肥处理肥料养分转运的比较

三层施肥处理的n养分转运量均显著高于常规处理2,而处理3、处理5显著低于其它处理;三层施肥处理的n养分转运效率均高于对照处理1和常规处理2,其中处理8、处理7、处理6分别比常规处理2增加了6.4、3.0、2.5个百分点;单层和两层施肥处理均低于空白处理1,其中处理3、处理5分别比处理2低6.7、7.0个百分点。

三层施肥处理的p养分转运量较高,处理3和处理1显著低于其它处理。处理7的p转运效率比常规处理2显著高5个百分点,而处理3比处理2显著低10.4个百分点。

三层施肥处理k养分的转运量显著高于其它处理,处理3显著低于其它处理。三层施肥处理的k养分转运效率显著高于常规处理2,处理6、处理7、处理8分别比处理2高19.9、18.8、14.2个百分点,处理3显著低于其它处理。

(6)不同施肥处理养分当季利用率和百公斤籽粒需肥量的比较

肥料养分当季利用率(%)=100%×(收获期施肥处理全株养分积累量-收获期空白处理养分积累量)/养分施用量。百公斤籽粒需肥量(kg)=(收获期施肥处理全株养分积累量/养分施用量)×100。

处理5、处理8、处理3的n养分当季利用率显著高于常规处理2,分别高11.5、5.8和4.3个百分点;处理4最低,比处理2低4.1个百分点。p养分当季利用率以处理5最高,处理2最低,其中处理5、处理8、处理3比常规处理2分别增加21.1%、17.6%、13.2个百分点。k养分当季利用率以处理8最高,其中处理8、处理5、处理3分别比常规处理2高57.6、25.2、19.7个百分点。

通常认为每生产100kg玉米籽粒,需要n:p2o5:k2o为3:1:3,何萍和金继运提出春玉米每生产100kg籽粒需要n1.954kg、p0.376kg(合p2o50.861kg)、k1.390kg(合k2o1.675kg)。

本研究中处理2的100kg籽粒需肥量分别为n2.280kg、p2o50.760kg、k2o2.101kg,n:p2o5:k2o=3.0:1:2.8,分析结果与通常认为结果近似。与春玉米需肥量相比,夏玉米的n和k2o需求量稍高,p2o5需求量稍低,可能夏玉米生育期短有关。

从表6中可以看出,处理5百公斤籽粒需肥量中n、p2o5显著高于其他处理,比处理2多需n0.122kg、p2o50.117kg。处理8的p2o5、k2o需肥量显著高于处理2,比处理2多需p2o50.07kg、k2o0.261kg,而n少需0.058kg。从三种养分需求比例来看,多层施肥处理均降低了n和k2o的养分需求比例。

表6养分当季利用率和百公斤籽粒需肥量

经过上述实验方式的研究和分析,可以得出如下结论:

①从整体分析来看,三层施肥处理的吐丝期根茎叶n、k积累量、养分转运量和转运效率均明显高于其他处理;三层施肥处理的籽粒n、k积累量总体较高。三层施肥处理的百粒重、籽粒产量高于两层、单层施肥处理。

②处理8在吐丝期n、p、k积累量、在收获期的养分转运量和全株养分积累量、养分当季利用率均为最高或较高水平,百粒重和籽粒产量显著高于其它处理。因此,处理8为本研究推荐的最佳施肥技术方式,即:三层施肥,8cm、15cm、22cm深度肥料量比例为7:5:3。

③处理5在吐丝期养分积累量处于中等水平,但在收获期的籽粒和全株n、p、k积累量均处于最高或较高水平,n、p当季利用率最高、k当季利用率稍低于处理8,百粒重和籽粒产量均为较高水平,因此,处理5为本研究推荐的第二个施肥技术方式,即:两层施肥,8cm、15cm深度肥料量比例为2:1。

通过采用本发明公开的上述技术方案,得到了如下有益的效果:

本发明提供了一种玉米多层精准施肥及种植方法,本方法中采用的多层精准施肥方法,具有以下优点:

没有搅动上下层土壤,保持土壤原状;施肥量精准计算到每株玉米2个施肥穴,每个施肥穴多层施肥,保证了肥料用量的高度精准。

使用直径由大到小的土钻取由浅到深的土柱,防止了上下层土壤混杂和肥料混杂,且利于提高田间操作效率,保证了施肥深度的高度精准。

每株玉米周围四个肥料穴均匀分布,施肥穴与玉米的距离均匀一致,施肥行与玉米行距离一致,保证了施肥位置高度精准。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视本发明的保护范围。

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