软x射线照射花粉培育无籽西瓜的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及无籽西瓜的培育方法，具体涉及一种软X射线照射花粉培育无籽西瓜 的方法。
【背景技术】
[0002] 西瓜（Citrullus lanatus)，又名水瓜、寒瓜，为萌芦科西瓜属西瓜种。以胎坐发育 而成的果瓢为产品，富含人体所需要的多种营养元素。每100克西瓜瓢中约含蛋白质1.3 克，碳水化合物4. 2克，粗纤维0. 3克，妈6晕克，憐10晕克，铁0. 2晕克，维生素 A原（胡 萝卜素）0. 17毫克，维生素 Bl 0. 02毫克，维生素 B2 0. 02毫克，维生素 C 3毫克，热量92. 1 千焦，另含各种氨基酸、有机酸、无机盐和微量元素锌、钾等。所含糖类包括蔗糖、果糖和葡 萄糖。西瓜果瓢脆嫩，味甜多汁含有丰富的矿物盐和多种维生素，是夏季主要的消暑果品。 据联合国粮农组织（FAO)统计报告（2000)，在全世界大宗水果的排名中，西瓜第五位，是全 世界普遍栽培的、经济价值很高的重要园艺作物。
[0003] 无籽、少籽西瓜以其品质优良、食用方便、抗病、耐贮运而受到消费者的欢迎。实 现西瓜无籽可以通过多种途径进行，除了现在生产上推广的三倍体无籽西瓜外，还利用弱X 射线照射的花粉授粉产生二倍体无籽果实等多种途径获得无籽或少籽果实。
[0004] 何水涛（中国瓜菜，2007(1) :53-56)报道了利用弱X射线照射的花粉授粉产生二 倍体无籽果实，具体是将二倍体西瓜的雄花（花粉）采摘后，马上将其放入农业专用的软 X线照射装置中，进行软X线照射，然后用经过照射的花粉，在雌花上进行人工授粉，诱 导单性结实，果实膨大后形成无籽西瓜。试验中雌花开花前套袋，授粉后雌花重新套袋， 以防止昆虫传粉，其过程如下：雄花（花粉）一软X线照射一授粉一单性结实一无籽西瓜。 并指出利用软X线照射花粉，其剂量至少要在600Gy以上，考虑到照射时间，实用的剂量 一般认为以800Gy为宜。
[0005] 文本指出，用软X线照射花粉形成的无籽西瓜，同一品种果实间秕籽的大小和数 量也有差异。栽培经验表明：温度的高低对秕籽形成有影响。为了验证这一经验，设立了 低温栽培区（最低温度15°C以上）和较高温度栽培区（最低温度20°C以上）试验。结果 表明：富士光品种在低温栽培区单果秕籽数平均为177粒，在较高温度栽培区单果秕籽数 平均为84粒，说明温度低时秕籽多。
[0006] 文本还指出，将经软X线照射过的雄花和花药在5°C下贮藏，调查花粉的发芽率， 结果表明：贮藏Id(天）后，雄花和花药的花粉发芽率比不经软X线照射的花粉的对照都 减少了一半（为25% );贮藏2d后，2种花粉的发芽率均降到10%以下；贮藏6d后，花粉 基本上不再发芽，对照也是如此。另外，经软X线照射过的花粉和不照射的花粉其发芽率 也没有差异。虽然文中指出照射过的花粉和未经照射的花粉一样具有活性，但它们的活性 均不高，即便是未经储藏的照射过的花粉，其活性也仅为50%。
[0007] 再有，文中的研宄结果表明：经软X线照射过的花粉不经贮藏，其坐果率为 18. 8%，未经照射也未经贮藏的花粉坐果率为18. 2% ;照射过的花粉贮藏2d后，坐果率 为23. 3% ;贮藏4d后，坐果率为22. 2% ;贮藏6d后，坐果率为20. 0%，说明照射过的花 粉即使贮藏6d，坐果率也未降低。虽然文中声明，由于试验在授粉时碰到低温，所以坐果率 普遍偏低，但是这样的坐果率还是较低的。
【发明内容】
[0008] 本发明要解决的技术问题是提供一种软X射线照射花粉培育无籽西瓜的方法。按 本发明所述方法对花粉进行软X线照射，可有效提高花粉的发芽率；用所得花粉按现有常 规操作进行授粉操作后，可以有效提高坐果率，进一步地，经常规诱导单性结实后西瓜可提 前3~7天成熟，糖度提高2~3度，所得成品西瓜中无籽西瓜占85%以上。
[0009] 本发明所述的软X射线照射花粉培育无籽西瓜的方法，包括获取二倍体雄花花粉 的步骤以及用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤，其中：
[0010] 所述用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤是将获取的二倍体雄花花粉平铺于 器皿中，置于软X射线照射装置中，控制照射剂量为800GY，照射时间为50~70min。
[0011] 经上述照射剂量和时间照射的二倍体雄花花粉，发芽率得到有效提高，达80%以 上；将照射后的二倍体雄花花粉再按照现有常规的软X射线照射花粉培育无籽西瓜方法进 行后续操作（如授粉、诱导单性结实等操作），西瓜可提前3~7天成熟，糖度提高2~3 度，所得成品西瓜中无籽西瓜占85%以上。
[0012] 上述技术方案的用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤中，在用软X射线照射二 倍体雄花花粉时，优选控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为150~ 250mm，这样可以进一步提高所得成品西瓜中无籽西瓜的占有率。申请人的实验表明，在上 述距离范围内，成品西瓜中无籽西瓜占95%以上。更优选是控制二倍体雄花花粉所在的平 面与软X射线发生源的距离为180~220mm。
[0013] 本发明所述技术方案中，所述用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤中，在用软 X射线照射二倍体雄花花粉时，优选是控制二倍体雄花花粉在的器皿中的平铺厚度为1~ 3mm 〇
[0014] 本发明所述技术方案中，所述用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤中，优选是 控制照射时间为55~65min。
[0015] 本发明所述技术方案中，还包括授粉的步骤、诱导单性结实等操作，这些操作与现 有常规技术相同。
[0016] 本发明的特点在于：
[0017] 1、采用本发明所述照射剂量和时间照射的二倍体雄花花粉，发芽率得到有效提 尚，达80 %以上；
[0018] 2、将采用本发明所述方法照射后的二倍体雄花花粉按现有常规操作进行授粉操 作后，可以有效提高坐果率，达85 %以上；
[0019] 3、所得二倍体雄花花粉按现有常规操作进行授粉、诱导单性结实后，西瓜可提前 3~7天成熟，糖度提高2~3度，所得成品西瓜中无籽西瓜占85%以上，所得无籽西瓜中 白秕籽少。
【具体实施方式】
[0020] 下面结合具体实施例对本发明作进一步的详述，以更好地理解本发明的内容，但 本发