1.一种中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统包括用于产生带电粒子束的加速器、与带电粒子束发生反应产生中子射束的中子产生部以及射束整形体，所述射束整形体包括收容部、邻接于所述中子产生部的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、与所述缓速体邻接的热中子吸收体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽、邻近于射束整形体的屏蔽装置和射束出口，所述收容部设有连接于加速器的真空管，所述中子产生部设于所述真空管的端部，所述真空管将经加速器加速后的带电粒子传输至所述中子产生部以使中子产生部与带电粒子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束限定一根主轴，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述中子产生部在第一位置和第二位置之间运动，在第一位置，所述中子产生部与带电粒子束发生反应以产生中子，在第二位置，所述中子产生部自射束整形体脱落，所述射束整形体和所述屏蔽装置使得所述中子产生部从第一位置运动到第二位置的过程中始终处于屏蔽中以防止从所述中子产生部泄露的辐射照射到工作人员。
2.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述真空管至少包括连接于加速器的第一真空管部、收容于射束整形体收容部并容纳有中子产生部的第二真空管部以及连接第一真空管部和第二真空管部的第三真空管部，所述第三真空管部能够拆卸以提供中子产生部从收容部运动出的空间，在第二位置，所述中子产生部能够与第二真空管部一同从收容部运动出而自射束整形体脱落。
3.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述屏蔽装置包括底壁以及连接于底壁且相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述底壁和两个侧壁形成具有第一开口、第二开口以及第三开口的U型结构，所述第一开口邻近于第一真空管部，第二开口邻近于第二真空管部，第三真空管部穿过第三开口。
4.根据权利要求3所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述屏蔽装置还包括与底壁相对设置的顶壁、连接底壁、顶壁的第三侧壁以及第四侧壁，所述第三侧壁和第四侧壁相对设置，所述底壁、顶壁以及四个侧壁形成屏蔽空间，所述顶壁能够绕第二侧壁或者第四侧壁向远离屏蔽空间的方向转动，所述第一侧壁和第三侧壁分别能够绕底壁向远离屏蔽空间的方向转动，以使所述屏蔽装置呈U型结构。
5.根据权利要求4所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：当屏蔽装置位于第一真空管部和第二真空管部之间时，所述屏蔽装置呈U型结构；当中子产生部与第二真空管部一同位于屏蔽装置时，所述屏蔽装置形成屏蔽空间以对中子产生部进行屏蔽。
6.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述真空管外周与收容部的内壁之间填充有填充物，所述中子捕获治疗系统还包括位于收容部内且对中子产生部进行冷却的冷却装置，所述填充物填充于所述真空管外周与收容部的内壁而包裹住所述冷却装置，当中子产生部运动至屏蔽装置内时，所述冷却装置及填充物随中子产生部一同运动至屏蔽装置内。
7.根据权利要求6所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述填充物为能够吸收中子或反射中子的材料。
8.根据权利要求6所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述冷却装置包括位于真空管的端部而与所述中子产生部平面接触的第一冷却部、位于第一冷却部两侧并分别与第一冷却部连通的第二冷却部和第三冷却部，所述第二冷却部和第三冷却部沿平行于中子射束轴线的方向延伸且分别位于真空管的上下两侧而与第一冷却部形成匚型结构。
9.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统还包括位于所述真空管下方的容置装置，所述中子产生部从收容部运动到屏蔽装置内后落入所述容置装置，所述容置装置为屏蔽材料制成。
10.根据权利要求9所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述容置装置包括底部以及连接于底部的四个侧部，所述底部及四个侧部连接形成具有开口的容置空间，所述容置装置还还设有两个遮蔽于所述开口的转动部，所述转动部的一端连接侧部，另一端能够相对于所连接的侧部向容置空间内转动，在自然状态下，所述两个转动部遮蔽于所述容置空间上方而形成容置装置的顶部；在外力作用下，所述转动部向容置空间转动而收容于容置空间；当外力消除时，所述转动部恢复至自然状态。