一种微聚超声治疗头的制作方法

本实用新型涉及超声技术领域，尤其是指一种微聚超声治疗头。

背景技术：

根据聚焦超声使用环境，目前国内外对于聚焦超声特别是高强度聚焦超声的治疗评估或者实时评估采用的方法是b超监控或者是mri监控，这个方式目前在消融领域应用是非常广泛的，这是在医院使用非常多，但是非医院环境下的超声应用就没有以上手段，比如目前有些超声技术应用于美容领域时采用盲打的方式，没有任何的监控手段，仅靠医生或者操作的经验开展，采用剂量较低，或者功率较小的超声聚焦技术，但是安全性和有效性得不到保障，因此对于微聚超声或者低剂量的聚焦超声进入家庭或者时美容院环境时，对超声的计量监控就显得尤为重要。此外，目前的超声换能器只能采用中间开圆形孔，限制了监控的方式，采用圆形孔，放置b超探头，会预留出很多的间隙和空白区域。因此，现有的超声换能器存在形状单一，限制超声治疗头监控方式的问题。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种微聚超声治疗头，用于解决现有的超声换能器存在形状单一，限制超声治疗头监控方式的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：包括超声换能器及探头，所述超声换能器与探头间隔设置，所述超声换能器与探头间距为2－5mm，所述超声换能器上开设有通孔，所述通孔形状与所述探头形状相适配，所述探头用于接收超声换能器发出的超声。

进一步的，所述超声换能器设有多个温度检测点，所述温度检测点沿所述超声换能器周均匀分布。

进一步的，还包括传感器，所述传感器靠近所述超声换能器设置。

进一步的，还包括耦合水囊，所述耦合水囊内置于所述超声换能器。

进一步的，所述超声换能器包括壳体及内置于所述壳体的第一压电陶瓷晶片层和第二压电陶瓷晶片层，所述第一压电陶瓷晶片层与第二压电陶瓷晶片层间隔设置，且所述第一压电陶瓷晶片层与所述第二压电陶瓷晶片层间距可调节，用于区域聚焦。

进一步的，所述第一压电陶瓷晶片层与所述第二压电陶瓷晶片层通过胶合连接，所述第一压电陶瓷晶片层相对所述第二压电陶瓷晶片层倾斜设置。

进一步的，所述第一压电陶瓷晶片层及第二压电陶瓷晶片层均包括贴合于所述壳体内表面的多个压电陶瓷晶片，所述压电陶瓷晶片沿所述壳体周均匀分布。

进一步的，所述第一压电陶瓷晶片层与所述第二压电陶瓷晶片层之间的倾斜度为30°－45°

进一步的，所述压电陶瓷晶片为扇形。

进一步的，所述超声换能器还包括多个支点，所述支点分布于所述壳体内部。

本实用新型的有益效果在于：通过设置超声换能器及探头，超声换能器与探头间隔设置，超声换能器与探头间距为2－5mm，超声换能器上方开设有通孔，通孔形状与探头形状相适配，探头用于接收超声换能器发出的超声。根据探头形状，设置适合的超声换能器，开拓了超声治疗头的监控方式，提升微聚超声技术效果。

附图说明

下面结合附图详述本实用新型的具体结构

图1为本实用新型微聚超声治疗头的第一实施例的结构示意图。

图2为本实用新型微聚超声治疗头第一实施例中超声换能器圆形通孔与探头适配结构示意图。

图3为本实用新型微聚超声治疗头第一实施例中超声换能器方形通孔与探头适配结构示意图。

图4为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第二实施例结构示意图。

图5为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第二实施例的仰视图。

图6为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第二实施例的俯视图。

图7为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第三实施例结构示意图。

图8为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第三实施例的仰视图。

图9为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第三实施例的俯视图。

标号如下：

1－壳体；2－第一填充剂；3－第一压电陶瓷晶片层；4－第二填充剂；5－第二压电陶瓷晶片层；6－第三填充剂；7－耦合水囊；8－探头；10－超声换能器；11－通孔；12－温度检测点。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

请参阅图1，图1为本实用新型微聚超声治疗头的第一实施例的结构示意图。

包括超声换能器10及探头8，所述超声换能器10与探头8间隔设置，所述超声换能器10与探头8间距为2－5mm，所述超声换能器10上方开设有通孔11，所述通孔11形状与所述探头8形状相适配，所述探头8用于接收超声换能器10发出的超声。

具体的，本实用新型的超声换能器采用微聚超声与低能量超声信号接收一体化设计，在超声换能器10发生超声的同时，探头8同时不间断接收反射回来的声波，能实现治疗的同时，能接收由微聚超声聚集组织后反射回来的信号，然后传递至主机的处理系统进行数据处理。

进一步的，所述探头8与超声换能器10上层之间保留距离2～5mm，该距离能有效减少超声反射对超声信号接收器的损伤。超声接收的信号与探头8联通，能根据组织信号发生的变化调整微聚超声发射的时间、间隔时间、打击次数等相关剂量。

进一步的，所述通孔11形状与所述探头8形状相适配，即本实用新型能根据探头8形状决定超声换能器10的通孔11形状及通孔11孔径。

实施例1

请参阅图2，图2为本实用新型微聚超声治疗头第一实施例中超声换能器圆形通孔与探头适配结构示意图。

本实施例中，超声换能器10的通孔11形状为圆形，与之相适应的探头8形状也为圆形。符合目前流行技术中超声换能器采用圆形孔。

图3为本实用新型微聚超声治疗头第一实施例中超声换能器方形通孔与探头适配结构示意图。

本实施例中，超声换能器10的通孔11形状为方形，与之相适应的探头8形状为圆形。方形通孔的超声换能器10能避免出现类似圆形通孔的超声换能器，放置探头时会预留出很多的缝隙和空白区域的问题。因此方形通孔的超声换能器开拓了超声治疗头的监控方式。当然这里的形状不限于方形，根据需要可以设置相应的形状。

实施例2

进一步的，请参阅图4，图4为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第二实施例结构示意图。

一种超声换能器，包括壳体1及内置于所述壳体1的第一压电陶瓷晶片层3和第二压电陶瓷晶片层5，所述第一压电陶瓷晶片层3与第二压电陶瓷晶片层5间隔设置，且所述第一压电陶瓷晶片层3与所述第二压电陶瓷晶片层5间距可调节，用于区域聚焦。

具体的，所述第一压电陶瓷晶片层3与所述第二压电陶瓷晶片层5间距可以调节，双层压电陶瓷晶片具有双层聚焦的优势。本实施例还包括外接控制装置，通过外接控制装置中的软件控制实现聚焦焦域调整。

具体的，所述第一压电陶瓷晶片层3与所述第二压电陶瓷晶片层5通过胶合连接，所述第一压电陶瓷晶片层3相对所述第二压电陶瓷晶片层5倾斜设置。所述第一压电陶瓷晶片层3与所述第二压电陶瓷晶片层5之间采用斜坡结构切割的方式，使得外侧一层的超声通道不被内侧高出的基地层所阻挡。

优选的，所述第一压电陶瓷晶片层3与所述第二压电陶瓷晶片层5之间的倾斜度为30°－45°

进一步的，请参阅图5及图6，图5为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第二实施例的仰视图，图6为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第二实施例的俯视图。具体的，所述第一压电陶瓷晶片层3及第二压电陶瓷晶片层5均包括贴合于所述壳体1内表面的多个压电陶瓷晶片，所述压电陶瓷晶片沿所述壳体周均匀分布。本实施例中所述第一压电陶瓷晶片层3包括第一填充剂2及多个压电陶瓷晶片，压电陶瓷晶片为花瓣式，多个花瓣式压电陶瓷晶片通过第一填充剂2粘合至壳体1内表面，多个花瓣式压电陶瓷晶片完整拼接且高度一致，保证所述第一压电陶瓷晶片层3完整及均匀分布于所述壳体1内表面。第二压电陶瓷晶片层5包括第二填充剂4及多个花瓣式压电陶瓷晶片，多个花瓣式压电陶瓷晶片通过第二填充剂4粘合至壳体1内表面。第二压电陶瓷晶片层5的贴合方式与第一压电陶瓷晶片层3的贴合方式类似，进而保证第一压电陶瓷晶片层3及第二压电陶瓷晶片层5均匀密布设置于壳体1内表面，实现超声换能器能有效的传输超声波。

本实施例中，所述壳体为半球形，第一压电陶瓷晶片层3及第二压电陶瓷晶片层5中的花瓣式压电陶瓷晶片，尺寸可以根据聚焦需求调整。在半球形壳体1内，由花瓣式压电陶瓷晶片按顺序排列于半球几何结构内部，第一压电陶瓷晶片层3及第二压电陶瓷晶片层5均可采用不同尺寸排列。花瓣式压电陶瓷晶片之间的缝隙采用ab胶进行缝合，密封胶水于压电陶瓷晶片边界不超过5mm。

优选的，所述花瓣式压电陶瓷晶片为扇形。

进一步的，所述第一压电陶瓷晶片层3与所述第二压电陶瓷晶片层5的高度差为1－5mm。本实用新型还包括第三填充剂6，所述第一压电陶瓷晶片层3与所述第二压电陶瓷晶片层5间距通过所述第三填充剂6填充，所述第三填充剂6的厚度为1－5mm。

进一步的，还包括多个支点，所述支点分布于所述壳体1内部。

优选的，本实用新型在所述第一压电陶瓷晶片层3与所述第二压电陶瓷晶片层5之间采用柔性吸声橡胶实现高度差，即填充两者之间的间距。同时也可以采用硅胶填充剂实现高度差，半球形壳体1内分布有8－16个支点，可以实现所述第一压电陶瓷晶片层3与所述第二压电陶瓷晶片层5高度差的自由调节。

优选的，多个支点分布于用于所述第一压电陶瓷晶片层3与半球形壳体1粘合的第一填充剂2中。

进一步的，所述壳体1的材料可以为钢材，壳体1呈中空设置。所述壳体1上方开设有通孔，通孔的形状可以为圆形、正方形、长方形等多种形状。这里的通孔适合内置声波信号接收的探头，孔的直径可以为0－50mm。

进一步的，请参阅图4，本实用新型的超声换能器采用内置耦合水囊7，能实现实时传递超声声波能量，与超声换能器为一体结构。

实施例3

请参阅图7，图7为本实用新型微聚超声治疗头的第三实施例的结构示意图。

所述超声换能器设有多个温度检测点12，所述温度检测点12沿所述超声换能器周均匀分布。本实用新型的温度检测点12分布在超声治疗头六个方位，围绕圆周中心60度均匀分布，能有效检测治疗过程中整个超声治疗头的周围的温度变化情况，能根据温度变化的差异性调整治疗参数。

请参阅图8及图9，图8为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第三实施例的仰视图。图9为本实用新型微聚超声治疗头中超声换能器的第三实施例的俯视图。优选的，多个温度检测点12分布于超声换能器的壳体内表面的第一压电陶瓷晶片层与第二压电陶瓷晶片层之间。

进一步的，还包括传感器，所述传感器靠近所述超声换能器设置，所述传感器为热敏传感器。所述温度检测点12位于压电压电陶瓷晶片十字缝隙位置，热敏传感器在超声换能器表面直径为1～2mm，与超声换能器的压电陶瓷晶片同时喷涂防水材料，能实现与超声换能器一样的防水级别，且在不占用压电陶瓷晶片空间；同时六个温度检测点采用桥式线路，能根据每个点的温度差异来评估水温的变化以及特定区域的温度。

综上所述，本实用新型提供的微聚超声治疗头，通过设置超声换能器及探头，超声换能器与探头间隔设置，超声换能器与探头间距为2－5mm，超声换能器上方开设有通孔，通孔形状与探头形状相适配，探头用于接收超声换能器发出的超声。本实用新型提供的超声换能器，通过设置于半球形内部的第一压电陶瓷晶片层3和第二压电陶瓷晶片层5，按照上下部间隔分布，两层压电陶瓷晶片层之间的距离进行调整，达到双层聚焦的效果。第一压电陶瓷晶片层3和第二压电陶瓷晶片层5形状均设置为花瓣式，实现换能器形成微聚焦焦域。超声换能器上设有多个温度检测点，能有效检测治疗过程中整个超声治疗头的周围的温度变化情况，能根据温度变化的差异性调整治疗参数。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。