6](I)选准穴位；
[0017]上述治疗仪通过穴位导入电刺激，因此穴位的选择要对症、准确，例如:治疗近视眼选择“睛明”、“攒竹”为主穴位，球后、四白、承泣、鱼跃、太阳为配穴。
[0018](2)清理穴位及治疗仪的电极A、电极B，在穴位上抹上导电液或生理盐水，将电极A、电极B压紧在穴位上；循环执行步骤(3)-(4)，执行(10-15)分钟；
[0019](3)开启治疗仪，接通开关SI，单片机通过编程在1/01 口和1/02 口分别输出脉冲宽度受伪随机码调制、脉冲相互不同步重叠的伪随机序列，1/01 口输出高电平，晶体管Q5、晶体管Q6、晶体管Q7饱和导通，电极A为负、电极B为正；1/02输出高电平，晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4饱和导通，电极A为正、电极B为负，实现穴位电刺激换向；与此同时，所述单片机的PWM 口输出伪随机调节的调宽脉冲通过电阻R2驱动开关晶体管Ql饱和导通，电感L储能，当伪随机调节的调宽脉冲归零时，开关晶体管Ql截止，电感L产生自感电压，经二极管Dl整流，经电容Cl滤波，转变成直流电压，由于调宽脉冲宽度受单片机产生的伪随机序列调制，电感L储存的能量伪随机变化，升压电压伪随机变化，电极A、电极B治疗脉冲的幅度伪随机变化；
[0020]由于1/01 口、1/02 口的输出脉冲不同步重叠，所以电极脉冲输出只有A正B负，A负B正和开路三种状态。
[0021](4)当刺激强度不足时，接通开关S2，1/03 口输入低电平，伪随机调节的调宽脉冲在保持调节度不变的情况下总体宽度逐渐增加，随机变化电压逐渐升高，直到用户能承受的极限强度时，断开开关S2，当强度过高，用户不能承受时，接通开关S3，1/04 口输入低电平，伪随机调节的调宽脉冲在保持调节度不变的情况下总体宽度逐渐降低，随机变化电压逐渐降低，直到用户能忍受时断开S3。
[0022]所述治疗仪的电源电压控制在36v以内。
[0023]由于上述治疗仪的电刺激脉冲的输出功率受限，所以安全性强，无副作用，但选穴治疗时，两个治疗电极之间的直线连线不能经过心脏，对心脏病用户尤其要注意。
[0024]本发明的有益效果为:
[0025]1、本发明单片机赋予伪随机编码程序，电极A、电极B输出极性可变的脉冲幅度、脉冲宽度、脉冲周期都受伪随机编码调制、幅度可调的电刺激脉冲序列，用它对穴位进行刺激，能消除相应器官部位的自由基积累，自由基水平的动态平衡可保障组织细胞不受损伤和干细胞的DNA信息的正确传递、转录和复制。
[0026]2、本发明产生的随机变化的电刺激脉冲的最短周期为333ms (3Hz)，与人体的肌肉收缩生理参数相匹配，使电刺激作用较深；随机变化的电刺激脉冲宽度为(5-20)ms，每个电刺激脉冲占有时间都大于细胞兴奋的上升支时间，使每个脉冲都能引起细胞的一次兴奋。
[0027]3、组织细胞的每个兴奋周期引起一次细胞内外K+、Na+离子的迀移震荡，这种迀移震荡能修复、改善胞膜的通透性，使物质运送能力提高，新陈代谢能力增强，特别是兴奋激活了干细胞的活性，唤醒休眠干细胞，干细胞的复制、繁殖能力，使组织年轻化。
[0028]4、细胞质、细胞间质在脉动电场的作用下，其物理、化学、生理特性得到改善，渗透压力、水合能力、酶的活性、生长因子和配体的分泌状态都得到改善；细胞的营养供给和废物排放能力大幅提高，细胞的生存微环境显著改善，成体干细胞的更新和分化能力得以加强。
[0029]5、电刺激兴奋引起的肌肉、血管的大幅随机收缩、舒张运动能有效的解除肌肉疲劳，血管的兴奋舒缩不但加强了血液流动，而且动脉、静脉毛细血管间的物质交换能力得到提高，营养吸收和废物排泄能力强了，微循环改善了、血流量增加了，为新陈代谢增强提供强劲的动力和充足的物质条件。
【附图说明】
[0030]图1为伪随机脉冲序列电刺激治疗仪电路图。
[0031]图1中，⑴伪随机电压升压电路；(2)治疗电极换向开关电路；(3)单片计算机系统。
【具体实施方式】
[0032]下面结合说明书附图和实施例对本发明作进一步限定，但不限于此。
[0033]实施例1
[0034]—种伪随机脉冲序列电刺激治疗仪，包括伪随机电压升压电路⑴、治疗电极换向开关电路(2)及单片计算机系统(3)，所述单片计算机系统(3)包括8位带PffM 口的单片机，所述单片机的PWM 口输出的伪随机调节的调宽脉冲经所述伪随机电压升压电路(I)升压，将电池电压转变成随机变化电压，所述单片机的1/01 口、1/02 口分别输出脉冲调宽伪随机序列，控制所述治疗电极换向开关电路(2)形成幅度、占空比和周期均随机变化的治疗脉冲，实现脉冲换向。
[0035]所述单片计算机系统(3)还包括电容C2、电容C3、晶体CR、电阻R11、电阻R12、开关S2、开关S3，所述单片机的PffM 口连接所述伪随机电压升压电路(I)，所述单片机分别连接所述电容C2的一端、所述电容C3的一端，所述电容C2的一端与所述电容C3的一端之间连接所述晶体CR，所述电容C2的另一端、所述电容C3的另一端汇总后连接所述伪随机电压升压电路(I)，所述单片机的1/03 口分别连接所述电阻Rll的一端及所述开关S2，所述电阻Rll的另一端连接所述伪随机电压升压电路(I)，所述单片机的1/04 口分别连接所述电阻R12的一端及所述开关S3，所述电阻R12的另一端连接所述伪随机电压升压电路(I)，所述单片机的1/01 口、1/02 口分别连接所述治疗电极换向开关电路(2)。
[0036]所述单片机的PffM 口输出伪随机调节的调宽脉冲的宽度宽，储能多，自感电动势高，整流滤波后直流电压高，脉宽窄直流电压低，单片机1/03 口和1/04 口设定为输入口，开关S2和开关S3均断开时，1/03 口和1/04 口均为高电平输入，输出幅度维持当时值不变，当开关S2接通时，所述单片机的1/03 口输入变为低电平，伪随机调节的调宽脉冲在保持调制度不变的情况下总体宽度逐渐增加，随机变化电压逐渐升高，直到用户能承受的极限强度时断开S2，当输出脉冲强度超过了用户耐受力时，接通开关S3，所述单片机的1/04 口输入低电平，伪随机调节的调宽脉冲在保持调节度不变的情况下总体宽度逐渐降低，随机变化电压的总体逐渐降低，直到用户能忍受时断开S3。
[0037]所述伪随机电压升压电路(I)包括电源B、开关S1、电阻R1、电阻R2、开关晶体管Q1、电感L、二极管Dl、电容Cl，所述单片机的PffM 口连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接所述开关晶体管Ql的基极，所述电阻Rl的一端分别连接所述电源B的及所述电容Cl，所述电阻Rl的另一端连接所述开关晶体管Ql的基极，所述开关晶体管Ql的发射极分别连接所述电源B的及所述电容Cl，所述开关晶体管Ql的集电极分别连接所述电感L及所述二极管D1，所述电容C2的另一端、所述电容C3的另一端汇总后连接所述电源B的，所述电源B、所述开关S1、所述电感L、所述二极管D1、电容Cl依次环形连接，所述电阻Rll及所述电阻R12并联连接汇总后连接所述电感L。
[0038]所述单片机的PffM 口