一种籽晶和插销料切割底托的制作方法

本实用新型涉及籽晶切割零配件的技术领域，特别是一种籽晶和插销料切割底托。

背景技术：

众所周知，籽晶是单晶硅拉制中必不可少的种子，而单晶拉制过程中二次加料、三次加料对插销料的需求也在日益增大，现有切割插销料的籽晶底托是圆棒底托，由于底托接触面与磁力台接触面小造成在切割过程中倒料和整体移动，成品率较低，产量无法得到充足的保障。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种克服现有技术的不足，结构简单、使用方便的能够解决籽晶切割过程中整体倒料和移动问题的籽晶和插销料切割底托。

为了完成上述目的，本实用新型采取的技术手段是：

一种籽晶和插销料切割底托，包括圆形的铁质底托，还包括固定在底托上方的铝质圆柱形晶托，晶托的下表面与底托的上表面紧密贴合使晶托和底托成为一体式结构，晶托的直径与底托的直径大小相等且至少为220mm。

所述的晶托和底托通过固定螺栓固定成为一体式结构，固定螺栓的个数为四个且均匀分布在晶托和底托的结合面处。

所述的晶托和底托的高度比为10：1，底托的厚度至少为20mm。

所述的底托上表面的外圆周处设置有一圈向下的底托凹槽，在底托上表面的圆心处设置有一个向上的底托凸台，所述的晶托下表面的外圆周处设置有一圈向下的晶托凸缘，在晶托下表面的圆心处设置有一个向上的晶托凹槽，底托凹槽与晶托凸缘相互形成凹凸配合，底托凸台与晶托凹槽相互形成凹凸配合。

所述的底托凸台与底托的直径比为1：4，底托凸台的高度至少为7mm。

所述的底托凹槽的深度至少为7mm，底托凹槽的宽度与底托的直径比为1：20。

所述的底托凹槽的深度与晶托凸缘的高度相等，底托凸台的高度与晶托凹槽的深度相等。

本实用新型的有益效果是：针对原切割中存在的弊端进行了合理、科学的设计，增加了铝质的晶托，并将铝质的晶托和铁质的底托固定为一体式结构，将底托的直径增大到至少220mm，不但减少了繁琐的粘接步骤且增大了底部与磁力台接触面积，彻底解决了切割过程中整体倒料和移动的问题，大大增加了产量。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是图1的仰视图。

图3是图2的A-A剖面图。

图4是图2另一个实施例的A-A剖面图。

图中，1、底托，2、晶托，3、固定螺栓，4、底托凹槽，5、底托凸台，6、晶托凸缘，7、晶托凹槽。

具体实施方式

本实用新型为一种籽晶和插销料切割底托，针对原切割中存在的弊端进行了合理、科学的设计，增加了铝质的晶托，并将铝质的晶托和铁质的底托固定为一体式结构，将底托的直径增大到至少220mm，不但减少了繁琐的粘接步骤且增大了底部与磁力台接触面积，彻底解决了切割过程中整体倒料和移动的问题，大大增加了产量。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步说明。

具体实施例1，如图1至图3所示，一种籽晶和插销料切割底托，包括圆形的铁质底托1，还包括固定在底托1上方的铝质圆柱形晶托2，晶托2的下表面与底托1的上表面紧密贴合使晶托2和底托1成为一体式结构，晶托2的直径与底托1的直径大小相等且至少为220mm。所述的晶托2和底托1通过固定螺栓3固定成为一体式结构，固定螺栓3的个数为四个且均匀分布在晶托2和底托1的结合面处，所述的晶托2和底托1的高度比为10：1，底托1的厚度至少为20mm，优选的，将底托1的高度设计为20mm，晶托2的高度设计为200mm，底托1的直径设计为220mm。

具体实施例2，作为对本实用新型的改进，如图4所示，为了增加晶托2和底托1结合的稳定性，在底托1上表面的外圆周处设置有一圈向下的底托凹槽4，在底托1上表面的圆心处设置有一个向上的底托凸台5，所述的晶托2下表面的外圆周处设置有一圈向下的晶托凸缘6，在晶托2下表面的圆心处设置有一个向上的晶托凹槽7，底托凹槽4与晶托凸缘6相互形成凹凸配合，底托凸台5与晶托凹槽7相互形成凹凸配合，底托凸台5与底托1的直径比为1：4，底托凸台5的高度至少为7mm，所述的底托凹槽4的深度至少为7mm，底托凹槽4的宽度与底托1的直径比为1：20，所述的底托凹槽4的深度与晶托凸缘6的高度相等，底托凸台5的高度与晶托凹槽7的深度相等。

加用该装置后不但完全避免了倒料和整体移动问题而且可以由原来的10根线加到13根线进行切割，因而成品由原来的100颗/根提高到120颗/根以上，一台开方设备月可增加产量15000颗以上，保障了拉晶车间的需求量。