除尘装置及太阳能电池生产系统的制作方法

1.本实用新型涉及除尘设备技术领域，特别是涉及一种除尘装置及太阳能电池生产系统。


背景技术：

2.太阳能电池在生产过程中，需要对硅片进行切割，在切割过程中会产生大量的硅粉尘，若不及时对硅粉尘进行去除，易引发火灾。同时，硅粉尘附着在激光振镜和硅片上后，易导致振镜切割异常以及硅片脏污，从而降低产品良率，因此，需要利用除尘装置对硅粉尘进行去除。传统的除尘装置通常采用抽真空的方式对硅粉尘进行抽吸去除，依然存在硅片被脏污的问题。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对硅片被脏污的问题，提供一种除尘装置及太阳能电池生产系统。
4.其技术方案如下：
5.一方面，提供了一种除尘装置，包括抽真空组件及离子发生元件，所述抽真空组件用于对硅片进行抽真空除尘处理，所述离子发生元件用于对硅片进行去离子处理，沿硅片输送方向，所述离子发生元件设置于所述抽真空组件的前方。
6.下面进一步对技术方案进行说明：
7.在其中一个实施例中，所述抽真空组件包括箱体、连通管及抽真空元件，所述箱体设有真空腔，所述连通管用于连通所述真空元件与所述真空腔。
8.在其中一个实施例中，所述连通管包括第一管段及第二管段，所述箱体具有相对间隔设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁设有与所述真空腔连通的第一开口，所述第二侧壁设有与所述真空腔连通的第二开口，所述第一管段用于连通所述第一开口与所述抽真空元件，所述第二管段用于连通所述第二开口与所述抽真空元件。
9.在其中一个实施例中，所述抽真空组件还包括第一集尘罩，通过所述第一集尘罩将所述第一管段与所述第一开口连通；和/或所述抽真空组件还包括第二集尘罩，通过所述第二集尘罩将所述第二管段与所述第二开口连通。
10.在其中一个实施例中，所述除尘装置还包括收集组件，所述收集组件设有集尘腔，所述收集组件设置于所述连通管与所述抽真空元件之间，使所述集尘腔与所述连通管及所述抽真空元件均连通。
11.在其中一个实施例中，所述收集组件包括收集箱及第一过滤件，所述收集箱设有所述集尘腔，所述第一过滤件设置于所述集尘腔内并将所述集尘腔分隔为第一腔室和第二腔室，所述连通管和所述抽真空元件中的其中一个与所述第一腔室连通而另外一个与所述第二腔室连通。
12.在其中一个实施例中，所述收集组件还包括去除元件，所述去除元件设置于所述
集尘腔内，所述去除元件用于对所述第一过滤件上的硅粉尘进行去除。
13.在其中一个实施例中，所述除尘装置还包括喷射元件，所述喷射元件设置于所述真空腔内，所述喷射元件用于对所述硅片进行喷射除尘处理。
14.在其中一个实施例中，所述除尘装置还包括第二过滤件，所述箱体的底部设有排水槽，所述第二过滤件设置于所述排水槽内。
15.另一方面，提供了一种太阳能电池生产系统，包括所述的除尘装置。
16.上述实施例的除尘装置及太阳能电池生产系统，能够利用抽真空组件对切割过程中产生的硅粉尘进行抽吸而达到除尘的效果，避免硅粉尘附着在激光振镜和硅片上，保证切割能够准确的进行，减少碎片、划伤、崩边、隐裂等不良率问题，也保证硅片在后续处理过程中的品质，产品良率高。利用离子发生元件先对硅片进行去离子处理，从而对硅片表面上的静电进行去除，能够有效的降低硅片的表面吸附杂质和颗粒的可能性，再将硅片送入真空腔内进行切割，结合抽真空组件对硅片进行抽真空除尘处理，能够有效的避免硅粉尘附着在硅片的表面上，不仅保证切割过程中硅片表面的完整性，提升切割效果以及切割良率，也能保证切割后的硅片在后续加工过程中的良率，提高产品品质。
附图说明
17.构成本技术的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。
18.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为一个实施例的除尘装置的结构示意图；
20.图2为图1的除尘装置的抽真空组件及离子发生元件的位置示意图；
21.图3为图1的除尘装置的抽真空组件的结构示意图。
22.附图标记说明：
23.100、抽真空组件；110、箱体；111、第一侧壁，112、第二侧壁；120、连通管；121、第一管段；122、第二管段；130、抽真空元件；141、第一集尘罩；142、第二集尘罩；150、收集组件；151、集尘腔；1511、第一腔室；1512、第二腔室；152、收集箱；153、第一过滤件；154、去除元件；160、喷射元件；170、排水槽；180、第二过滤件；200、离子发生元件；1000、硅片；2000、激光切割机。
具体实施方式
24.为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
25.如图1及图2所示，在一个实施例中，提供了一种太阳能电池生产系统，其包括除尘
装置，从而利用除尘装置能够对硅片1000的切割进行除尘处理，能够避免硅粉尘脏污硅片1000，提升产品良率。
26.需要进行说明的是，在实际生产过程中，太阳能电池生产系统还包括用于对硅片1000进行输送的输送带、用于对硅片1000进行切割的激光切割机2000等，由于其可以属于现有装置，在此不再赘述。
27.可以理解的是，硅片1000还可以通过机械手进行抓取转运，硅片1000还可以通过其他现有的方式进行切割，不得理解为对本技术实施例的限定。
28.可选地，除尘装置包括抽真空组件100及离子发生元件200。
29.其中，抽真空组件100设有真空腔，利用抽真空组件100能够对硅片1000进行抽真空除尘处理。
30.具体地，将硅片1000送至真空腔内利用激光切割机2000进行切割，从而能够利用抽真空组件100对切割过程中产生的硅粉尘进行抽吸而达到除尘的效果，避免硅粉尘附着在激光振镜和硅片1000上，保证切割能够准确的进行，减少碎片、划伤、崩边、隐裂等不良率问题，也保证硅片1000在后续处理过程中的品质，产品良率高。
31.可以理解的是，去硅片1000进行切割处理可以与对硅片1000进行抽真空除尘处理同步进行，保证硅粉尘不会附着在激光振镜和硅片1000上。
32.如图1至图3所示，更具体地，抽真空组件100包括箱体110、连通管120及抽真空元件130。
33.其中，箱体110设有真空腔，利用连通管120将真空元件与真空腔进行连通，从而使得抽真空元件130进行抽吸时能够对真空腔进行抽真空处理，进而能够对真空腔内的硅粉尘进行抽吸而达到除尘的效果。
34.可选地，连通管120可以为波纹管，能够进行灵活的伸缩，便于使用。当然，在其他实施例中，连接管也可以为其他满足抽真空条件的管道。
35.可选地，抽真空元件130可以为抽风机或其他能够实现抽风功能的元件。
36.具体地，抽真空元件130为抽风机，连通管120为波纹管，抽风机位于箱体110的一侧，利用波纹管将抽风机与箱体110的真空腔进行连通。
37.在实际使用过程中，可以直接将硅片1000方式在箱体110的真空腔内进行切割，也可以将硅片1000运输在工作台，再将箱体110罩设在工作台上后使得硅片1000处于真空腔内再对硅片1000进行切割。
38.为了保证除尘效果，可以从箱体110相对的两个侧壁上进行抽吸，保证抽吸的均匀性和有效性，能够提升除尘效果。
39.如图3所示，具体地，箱体110包括相对间隔设置的第一侧壁111和第二侧壁112。其中，第一侧壁111上设有与真空腔连通的第一开口(未标注)，第二侧壁112上设有与真空腔连通的第二开口(未标注)。并且，连通管120包括第一管段121和第二管段122，从而利用第一管段121将第一开口与抽真空元件130进行连通，利用第二管段122将第二开口与抽真空元件130进行连通，对硅片1000进行切割时，抽真空元件130启动，第一开口和第二开口从两侧均能够对真空腔进行抽吸，保证切割过程中产生的硅粉尘能够被快速的吸走，能够有效的避免硅粉尘附着在激光振镜和硅片1000上。
40.其中，第一侧壁111和第二侧壁112可以是左侧壁和右侧壁，也可以是前侧壁和后
侧壁，只需满足位于切割方向的两侧即可。
41.其中，第一管段121和第二管段122均可以为波纹管或其他满足抽真空条件的管道。
42.在实际切割过程中，硅粉尘极易在真空腔内发生扩散，从附着在振镜和硅片1000上。
43.如图1至图3所示，可选地，所述抽真空组件100还包括第一集尘罩141，利用第一集成罩将第一管段121与第一开口进行连通，从而使得真空腔内第一开口处的硅粉尘通过第一集尘罩141快速进入第一管段121而被吸出，能够有效的避免硅粉尘在真空腔内发生扩散，有效的避免硅粉尘附着在振镜和硅片1000上。
44.其中，第一集尘罩141的轮廓可以为喇叭口形，能够加快气流流速，对硅粉尘的收集和抽吸效果更好，有效避免硅粉尘发生扩散。当然，在其他实施例中，第一集尘罩141也可以为方框，能够扩大抽吸面积，加强抽吸效果，避免硅粉尘发生扩散。
45.如图1至图3所示，可选地，所述抽真空组件100还包括第二集尘罩142，利用第二集成罩将第二管段122与第二开口进行连通，从而使得真空腔内第二开口处的硅粉尘通过第二集尘罩142快速进入第二管段122而被吸出，能够有效的避免硅粉尘在真空腔内发生扩散，有效的避免硅粉尘附着在振镜和硅片1000上。
46.其中，第二集尘罩142的轮廓可以为喇叭口形，能够加快气流流速，对硅粉尘的收集和抽吸效果更好，有效避免硅粉尘发生扩散。当然，在其他实施例中，第二集尘罩142也可以为方框，能够扩大抽吸面积，加强抽吸效果，避免硅粉尘发生扩散。
47.当然，在实际使用过程中，能够同时设置第一集尘罩141和第二集尘罩142，使得真空腔内的硅粉尘能够被快速的吸出，能够有效的避免硅粉尘在真空腔内发生扩散，有效的避免硅粉尘附着在振镜和硅片1000上。
48.此外，还可以对抽吸出来的硅粉尘进行收集以重复进行利用等。
49.如图1所示，可选地，所述除尘装置还包括收集组件150。
50.如图1所示，其中，收集组件150设有集尘腔151。并且，所述收集组件150设置于所述连通管120与所述抽真空元件130之间，使所述集尘腔151与所述连通管120及所述抽真空元件130均连通。如此，抽真空元件130启动，真空腔内的硅粉尘通过连通管120进入集尘腔151内，从而对硅粉尘进行收集。
51.其中，收集组件150对硅粉尘的收集，可以通过过滤的方式实现，也可以通过吸附的方式实现。
52.如图1所示，具体到本技术的实施例中，收集组件150包括收集箱152及第一过滤件153。
53.如图1所示，其中，收集箱152设有集尘腔151。第一过滤件153采取插接、螺接或卡接等方式设置于集尘腔151内；并且，第一过滤件153将集尘腔151分隔为第一腔室1511和第二腔室1512。而且，连通管120和抽真空元件130中的其中一个与第一腔室1511连通而另外一个与第二腔室1512连通。
54.为了便于说明本技术实施例的原理，以连通管120连通第一腔室1511而抽真空元件130连通第二腔室1512为例进行说明，不得理解为对本技术实施例的限定。在其他实施例中，也可以是连通管120连通第二腔室1512而抽真空元件130连通第一腔室1511。
55.如图1所示，具体地，第一腔室1511位于第二腔室1512的下方，即第一腔室1511和第二腔室1512呈上下布置，连通管120连通位于下方的第一腔室1511，抽真空元件130连通位于上方的第二腔室1512。如此设置，抽真空元件130启动时，真空腔内的硅粉尘随气流进入连通管120内，接着从连通管120内流出至第一腔室1511内，然后硅粉尘随气流上升过程中与第一过滤件153接触，利用第一过滤件153对气流中的硅粉尘进行过滤而使得硅粉尘留存于第一腔室1511内以进行收集，被过滤后的气流进入第二腔室1512内并最终进入抽真空元件130内而排出至大气中，从而能够避免硅粉尘污染大气。
56.其中，第一过滤件153可以为过滤网、过滤膜的形式，只需满足能够对气流中的硅粉尘进行过滤并不会影响气流的通过即可。
57.需要进行说明的是，第一腔室1511和第二腔室1512还可以呈左右分布，能够根据实际使用情况进行灵活的调整或设计。
58.并且，还可以在第一腔室1511内设置呈漏斗状的料斗，便于对硅粉尘进行收集。
59.可以进行理解的是，抽真空元件130与第二腔室1512也可以借助相应的管道进行连通。
60.另外，考虑到长时间使用后，硅粉尘大量附着在第一过滤件153上而影响过滤效果以及影响抽真空元件130的抽吸效果。如图1所示，所述收集组件150还包括去除元件154。所述去除元件154采用螺接或卡接等方式设置于所述集尘腔151内，从而能够利用所述去除元件154对所述第一过滤件153上的硅粉尘进行去除，避免第一过滤件153长时间使用后被堵塞。
61.其中，去除元件154可以通过喷气的方式对第一过滤件153上的硅粉尘进行去除，例如，去除元件154可以设置为电磁脉冲阀，将电磁脉冲阀设置在第一过滤件153的上方，通过周期性或随时开启电磁脉冲阀对第一过滤件153进行喷气，从而达到去除第一过滤件153上的硅粉尘的效果；去除元件154也可以通过振动的方式对第一过滤件153上的硅粉尘进行去除，例如，去除元件154可以设置为振动器，振荡器与第一过滤件153传动连接，通过振荡器带动第一过滤件153振动以达到去除第一过滤件153上的硅粉尘的效果。
62.如图2所示，并且，沿硅片1000输送方向(如图2的a方向所示)，离子发生元件200设置在抽真空组件100的前方，即在硅片1000加工工序中，去离子处理工序位于抽真空除尘处理工序的上一工序，也即先对硅片1000进行去离子处理，再对硅片1000进行抽真空除尘处理。如此设计，利用离子发生元件200先对硅片1000进行去离子处理，从而对硅片1000表面上的静电进行去除，能够有效的降低硅片1000的表面吸附杂质和颗粒的可能性，再将硅片1000送入真空腔内进行切割，结合抽真空组件100对硅片1000进行抽真空除尘处理，能够有效的避免硅粉尘附着在硅片1000的表面上，不仅保证切割过程中硅片1000表面的完整性，提升切割效果以及切割良率，也能保证切割后的硅片1000在后续加工过程中的良率，提高产品品质。
63.其中，离子发生元件200可以为离子发射器、直流离子风机等能够去除硅片1000表面上的静电以避免硅片1000对杂质和颗粒进行吸附的元件。
64.具体到本技术的实施例中，离子发生元件200设置为直流离子风机，硅片1000在输送至箱体110的真空腔内前，直流离子风机利用空气电离产生大量正负电荷，形成一股吹向硅片1000的正负电荷的气流，使硅片1000表面的电荷被中和，有效降低硅片1000的表面吸
附杂质和颗粒的可能性，再将经过去离子处理的硅片1000输送至箱体110的真空腔内进行切割和抽真空除尘处理，使得切割过程在干净的硅片1000界面上进行，改善切割效果，提高切割良率。
65.如图1至图3所示，此外，除尘装置还包括喷射元件160。
66.具体地，喷射元件160设置于所述真空腔内，从而利用喷射元件160对切割中的硅片1000进行喷射除尘处理，能够进一步避免硅粉尘附着在振镜和硅片1000上。
67.更具体地，喷射元件160喷射出呈雾气状态的水，从而能够吸附硅粉尘并对硅粉尘进行沉淀，能够有效避免硅粉尘附着在振镜和硅片1000上，保证切割效果，提升产品良率。
68.其中，喷射元件160可以为喷头或喷嘴，只需满足能够喷出呈雾气状态的水而对硅粉尘进行吸附与沉淀即可。喷射元件160可以采取插接或螺接等方式与真空腔的内侧壁进行连接，使得喷射元件160的喷射口位于硅片1000的上方并朝向切割轨迹即可。
69.如图3所示，考虑到真空腔内的排水问题，还可以在箱体110的底部设置相应的排水槽170，使得呈雾气状态的水变为水滴后能够通过排水槽170排出。并且，由于水滴中混杂有硅粉尘颗粒，为了保证排出的顺畅以及避免硅粉尘对水源造成污染，还可以在排水槽170内采取插接或螺接等方式设置第二过滤件180，利用第二过滤件180对水滴中的硅粉尘进行过滤，便于收集。
70.其中，第二过滤件180可以为过滤网、过滤膜的形式，只需满足能够对水滴中的硅粉尘进行过滤并不会影响水流的通过即可。
71.并且，为了保证水滴能够顺畅的排出而不会造成聚集，还可以将水箱的底部设置成一侧高而另一侧低的形式，例如可以是右侧高而左侧低，使得水流能够往相对较低的那一侧流动而顺畅的排出，结合第二过滤件180的过滤，便于对硅粉尘进行收集，也不会对外界造成污染。
72.上述实施例的除尘装置，能够使得真空腔内的洁净度得到大大改善，切割不良大大减少，良率提升明显，不良比例从6.02％降至0.13％，降幅达97.8％；切割过程中的切割面更加光滑平整，镀膜钝化效果更加优良，电池效率提升0.09％；切割故障率大幅降低，人工维护成本大大降低，产能提升，每班次可提升切割产量5600片。
73.需要说明的是，“某体”、“某部”可以为对应“构件”的一部分，即“某体”、“某部”与该“构件的其他部分”一体成型制造；也可以与“构件的其他部分”可分离的一个独立的构件，即“某体”、“某部”可以独立制造，再与“构件的其他部分”组合成一个整体。本技术对上述“某体”、“某部”的表达，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本技术的保护的范围的限制，只要包含了上述特征且作用相同应当理解为是本技术等同的技术方案。
74.需要说明的是，本技术“单元”、“组件”、“机构”、“装置”所包含的构件亦可灵活进行组合，即可根据实际需要进行模块化生产，以方便进行模块化组装。本技术对上述构件的划分，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本技术的保护的范围的限制，只要包含了上述构件且作用相同应当理解是本技术等同的技术方案。
75.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装
置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。本实用新型中使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
76.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
77.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
78.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
79.需要说明的是，当元件被称为“固定于”、“设置于”、“固设于”或“安设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。进一步地，当一个元件被认为是“固定传动连接”另一个元件，二者可以是可拆卸连接方式的固定，也可以不可拆卸连接的固定，能够实现动力传递即可，如套接、卡接、一体成型固定、焊接等，在现有技术中可以实现，在此不再累赘。当元件与另一个元件相互垂直或近似垂直是指二者的理想状态是垂直，但是因制造及装配的影响，可以存在一定的垂直误差。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
80.还应当理解的是，在解释元件的连接关系或位置关系时，尽管没有明确描述，但连接关系和位置关系解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。
81.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
82.以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。