技术领域：
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种直流电压转换电路及液晶显示装置。
背景技术：
：随着显示技术的发展，液晶显示装置由于具有体积小、功耗低等优点而得到广大用户的青睐。液晶显示装置通常包括电路板、背光模组及液晶显示面板。电路板用于驱动背光模组及液晶显示面板。背光模组用于为液晶显示面板提供光线，液晶显示面板用于显示文字、图像等信息。电路板中通常包括用于直流电压转换电路。所述直流电压转换电路通常将第一电压转换为第二电压，并将所述第二电压输出至液晶显示装置中WOA(WireOnArray，阵列外布线)的VGH线。由于种种原因(比如，液晶显示中的导电粒子)，导致VGH线与WOA中的VGL线或者VGH线与VCOM线发生短路。当VGH线与WOA中的VGL线或者VGH线与VCOM线发生短路时，VGH线电流增加，从而导致WOA中的走线或者液晶显示装置中的其他元件被烧毁。技术实现要素：本发明提供一种直流电压转换电路，所述直流电压转换电路应用于液晶显示装置中，其中，所述直流电压转换电路包括倍压电路及保护电路，所述倍压电路包括倍压输入端及倍压输出端，所述倍压输入端用于接收第一电压，所述倍压电路用于将所述第一电压转换为第二电压，所述第二电压经由所述倍压输出端输出至所述液晶显示装置中的VGH线，所述保护电路包括侦测单元、电流电压转换单元、比较单元及控制单元，所述侦测单元用于侦测所述VGH线与传输线之间的电流，以得到侦测电流，所述电流电压转换单元用于根据所述侦测电流得到侦测电压，所述比较单元用于将所述侦测电压与参考电压进行比较，当所述侦测电压大于所述参考电压时，所述控制单元发出控制信号关断所述倍压电路，其中，所述传输线包括液晶显示装置中的VGL线或者液晶显示装置中的VCOM线。其中，当所述传输线为VGL线时，所述侦测单元包括第一侦测子单元，所述第一侦测子单元用于侦测所述VGH线与所述VGL线之间的电流，以得到第一侦测电流，所述电流电压转换单元用于根据所述第一侦测电流得到第一侦测电压，所述比较单元用于将所述第一侦测电压与第一参考电压进行比较，当所述第一侦测电压大于所述第一参考电压时，所述控制单元关断所述倍压电路。其中，所述第一侦测子单元包括第一电阻及第一薄膜晶体管，所述第一电阻的一端电连接所述VGL线，所述第一电阻的另一端电连接所述第一薄膜晶体管的源极，所述第一薄膜晶体管的栅极接收第一栅极信号，所述第一薄膜晶体管的漏极电连接所述VGH线，当所述第一栅极信号控制所述第一薄膜晶管导通时，所述第一侦测子单元输出第一侦测电流。其中，当所述传输线为VCOM线时，所述侦测单元还包括第二侦测子单元，所述第二侦测子单元用于侦测所述VGH线与所述VCOM线之间的电流以得到第二侦测电流，所述电流电压转换单元用于根据所述第二侦测电流得到第二侦测电压，所述比较单元用于将所述第二侦测电压与第二参考电压进行比较，当所述第二侦测电压大于所述第二参考电压时，所述控制单元关断所述倍压电路，其中，所述第二侦测子单元与所述第一侦测子单元不同时工作。其中，所述第二侦测子单元包括第二电阻及第二薄膜晶体管，所述第二电阻的一端电连接所述VCOM线，所述第二电阻的另一端电连接所述第二薄膜晶体管的源极，所述第二薄膜晶体管的栅极接收第二栅极信号，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述VGH线，当所述第二栅极信号控制所述第二薄膜晶体管导通时，所述第二侦测子单元输出所述第二侦测电流。其中，所述保护电路还包括选择器，所述选择器包括选择信号控制端、第一选择信号输入端、第二选择信号输入端及选择信号输出端，所述选择信号输出端用于接收选择信号，所述第一选择信号输入端用于加载所述第一参考电压，所述第二选择信号输入端用于加载所述第二参考电压，当所述第一侦测子单元工作时，所述选择信号用于控制所述选择器选择所述第一参考电压，并将所述第一参考电压经由所述选择信号输出端输出，当所述第二侦测子单元工作时，所述选择信号用于控制所述选择器选择所述第二参考电压，并将所述第二参考电压经由所述选择信号输出端输出。其中，所述电流电压转换单元包括光电耦合器、第三电阻及第四电阻，所述光电耦合器包括第一耦合输入端、第二耦合输入端、第一耦合输出端及第一耦合输出端，所述第一耦合输入端作为所述电流电压转换电路的输入端，电连接所述倍压电路的输出端，所述第二耦合输入端电连接所述VGH线，以接收所述侦测电流，所述第一耦合输出端电连接所述第三电阻至一电源，所述第二耦合输出端电连接所述第四电阻至地，所述第二耦合输出端与所述第四电阻之间的节点作为所述电流电压转换单元的输出端。其中，所述比较单元包括比较器，所述比较器的同相输入端电连接至所述电流电压转换单元的输出端以接收所述侦测电压，所述比较器的反相输入接收所述参考电压，所述比较器用于将所述侦测电压与所述参考电压进行比较，当所述侦测电压大于所述参考电压时，所述比较器发出第一判断信号，所述第一判断信号用于触发所述控制单元发出所述控制信号。其中，所述控制单元包括第五电阻和第三薄膜晶体管，所述第五电阻的一端电连接至一电源，所第五电阻的另一端电连接至所述第三薄膜晶体管的源极，所述第三薄膜晶体管的栅极电连接至所述比较单元的输出端，所述第三薄膜晶体管的漏极接地，所述第五电阻与所述第三薄膜晶体管的源极之间的节点作为所述控制单元的输出端，当所述侦测电压大于所述参考电压时，所述第三薄膜晶体管导通。相较于现有技术，本发明的直流电压转换电路包括倍压电路及保护电路。所述倍压电路包括倍压输入端及倍压输出端。所述倍压输入端用于接收第一电压，所述倍压电路用于将所述第一电压转换为第二电压，所述第二电压经由所述倍压输出端输出至所述液晶显示装置中的VGH线。所述保护电路包括侦测单元、电流电压转换单元、比较单元及控制单元。所述侦测单元用于侦测VGH与传输线之间的电流，以得到侦测电流。所述电流电压转换单元用于根据所述侦测电流得到侦测电压。所述比较单元用于将所述侦测电压与参考电压进行比较，当所述侦测电压大于所述参考电压时，所述控制单元发出控制信号关断所述倍压电路。其中，所述传输线包括液晶显示装置中的VGH线或者液晶显示装置中的VCOM线。由此可见，本发明的直流电压转换电路能够在液晶显示装置中的VGH线与VGL线发生短路或者是VGH线与VGL线发生短路时，切断倍压电路，从而保护液晶显示装置中的其他走线或者其他元件不被烧毁。本发明还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括前述任意实施方式所述的直流电压转换电路。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明一较佳实施方式的直流电压转换电路的电路框图。图2为本发明一较佳实施方式的直流电压转换电路的电路结构图。图3为本发明一较佳实施方式中的第一栅极信号与第二栅极信号的时序图。图4为本发明一较佳实施方式的液晶显示装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。请一并参阅图1、图2和图3，图1为本发明一较佳实施方式的直流电压转换电路的电路框图；图2为本发明一较佳实施方式的直流电压转换电路的电路结构图，图3为本发明一较佳实施方式中的第一栅极信号与第二栅极信号的时序图。所述直流电压转换电路10应用于液晶显示装置中。所述直流电压转换电路10包括倍压电路100及保护电路300。所述倍压电路100包括倍压输入端110及倍压输出端120。所述倍压输入端110用于接收第一电压，所述倍压电路100用于将所述第一电压转换为第二电压，所述第二电压经由所述倍压输出端120输出至所述液晶显示装置中的VGH线。所述保护电路300包括侦测单元310、电流电压转换单元320、比较单元330及控制单元340。所述侦测单元310用于侦测VGH与传输线之间的电流，以得到侦测电流。所述电流电压转换单元320用于根据所述侦测电流得到侦测电压。所述比较单元330用于将所述侦测电压与参考电压进行比较，当所述侦测电压大于所述参考电压时，所述控制单元340发出控制信号关断所述倍压电路100。其中，所述传输线包括液晶显示装置中的VGL线或者液晶显示装置中的VCOM线。在本实施方式中，所述倍压电路100的控制信号接收端130接收所述控制信号。当所述传输线为VGL线时，所述侦测单元310包第一侦测子单元311。此时，将所述侦测电流命名为第一侦测电流，所述侦测电压命名为第一侦测电压，所述参考电压命名为第一参考电压。所述第一侦测子单元311用于侦测所述VGH线与所述VGL线之间的电流，以得到第一侦测电流。所述电流电压转换单元320用于根据所述第一侦测电流得到第一侦测电压。所述比较单元330用于将所述第一侦测电压与第一参考电压进行比较。当所述第一侦测电压大于所述第一参考电压时，所述控制单元340关断所述倍压电路100。所述第一侦测子单元311包括第一电阻R220及第一薄膜晶体管Q71。所述第一电阻R220的一端电连接所述VGL线，所述第一电阻R220的另一端电连接所述第一薄膜晶体管Q71的源极。所述第一薄膜晶体管Q71的栅极接收第一栅极信号(在图3中用G1表示)，所述第一薄膜晶体管Q71的漏极电连接所述VGH线。当所述第一栅极信号控制所述第一薄膜晶体管Q71导通时，所述第一侦测子单元311输出所述第一侦测电流。其中，所述第一电阻R220的阻值为MΩ级别。在本实施方式中，所述第一薄膜晶体管Q71为N型薄膜晶体管(N-MetalOxideSemiconductor,NMOS)，此时，当所述第一薄膜晶体管Q71的栅极接收到的第一栅极信号为高电平信号时，所述第一薄膜晶体管Q71导通。可以理解地，在其他实施方式中，所述第一薄膜晶体管Q72为P型薄膜晶体管(P-MetalOxideSemiconductor,PMOS)，此时，当所述第一薄膜晶体管Q72的栅极接收到的第一栅极信号为低电平信号时，所述第二薄膜晶体管Q72导通。当所述传输线为VCOM线时，所述侦测单元310还包括第二侦测子单元312。此时，将所述侦测电流命名为第二侦测电流，所述侦测电压命名为第二侦测电压，所述参考电压命名为第二参考电压。所述第二侦测子单元312用于侦测所述VGH线与所述VCOM线之间的电流以得到第二侦测电流。所述电流电压转换单元320用于根据所述第二侦测电流得到第二侦测电压。所述比较单元330用于将所述第二侦测电压与第二参考电压进行比较。当所述第二侦测电压大于所述第二参考电压时，所述控制单元关断所述倍压电路100。其中，所述第二侦测子单元312与所述第二侦测子单元311不同时工作。换句话说，当所述第二侦测子单元312工作时，所述第一侦测子单元311不工作。当所述第一侦测子单元311工作时，所述第二侦测子单元312不工作。当所述第一薄膜晶体管Q71导通时，所述第一侦测子单元311工作；当所述第一薄膜晶体管Q71截止时，所述第一侦测子单元311不工作。所述第二侦测子单元312包括第二电阻R227及第二薄膜晶体管Q72。所述第二电阻R227的一端电连接所述VCOM线，所述第二电阻R227的另一端电连接所述第二薄膜晶体管Q72的源极。所述第二薄膜晶体管Q72的栅极接收所述第二栅极信号(在图3中用G2表示)，所述第二薄膜晶体管Q72的漏极电连接所述VGH线。当所述第二栅极信号红枣所述第二薄膜晶体管Q72导通时，所述第二侦测子单元312输出第二侦测电流。其中，所述第一电阻R220的阻值为MΩ级别。在本实施方式中，当所述第二薄膜晶体管Q72导通时，所述第二侦测子单元312工作；当所述第二薄膜晶体管Q72截止时，所述第二侦测子单元311不工作。所述保护电路300还包括选择器350。所述选择器360包括选择信号输出端A0、第一选择信号输入端Vref1、第二选择信号输入端Vref2及选择信号输出端351。所述选择信号输入端A0用于接收选择信号，所述第一选择信号输入端Vref1用于加载第一参考电压，所述第二选择信号输入端Vref2用于加载第二参考电压。当所述第一侦测子单元311工作时，所述选择信号用于控制所述选择器350选择所述第一参考电压，并将所述第一参考电压经由所述选择信号输出端351输出。当所述第二侦测子单元312工作时，所述选择信号用于控制所述选择器350选择所述第二参考电压，并将所述第二参考电压经由所述选择信号输出端351输出。所述电流电压转换单元320包括光电耦合器321、第三电阻R223及第四电阻R224。所述光电耦合器321包括第一耦合输入端321a、第二耦合输入端321b、第一耦合输出端321c及第二耦合输出端321d。所述第一耦合输入端321a作为所述电流电压转换单元320的输入端，电连接至所述倍压电路100的输出端120，所述第二而耦合输入端321b电连接所述VGH线，以接收所述侦测电流。所述第一耦合输出端321c电连接所述第三电阻R223至一电源VCC，所述第二耦合输出端321d电连接所述第四电阻R224至地。所述第二耦合输出端321d及所述第四电阻R224之间的节点作为所述电流电压转换单元320的输出端，以输出所述侦测电压。所述光电耦合器321的作用是将所述第一耦合输入端321a及所述第二耦合输入端321b接收到的侦测电流进行放大且光耦合到所述光电耦合器321的第一耦合输出端321c及第二耦合输出端321d，所述侦测电流经过所述光电耦合器321的放大之后，再经过所述第四电阻R224得到所述侦测电压。所述光电耦合器321还用于防止与所述第一耦合输入端321a及所述第二耦合输入端321b连接的电子元件对所述第一耦合输出端321c与所述第二耦合输出端321d连接的电子元件的相互干扰，以提高整个保护电路300过流保护时的精度。所述比较单元330包括比较器331。所述比较器331的同相输入端电连接至所述电流电压转换单元320的输出端以接收所述侦测电压，所述比较器331的反相输入端接收所述参考电压。所述比较器331用于将所述侦测电压与所述参考电压进行比较，当所述侦测电压大于所述参考电压时，所述比较器331发出第一判断信号，所述第一判断信号用于触发所述控制单元340发出所述控制信号。所述控制单元350包括第五电阻R229和第三薄膜晶体管Q79。所述第五电阻R229的一端电连接至一电源VCC，所述第五电阻R229的另一端电连接至所述第三薄膜晶体管Q70的源极。所述第三薄膜晶体管Q79的栅极电连接至所述比较单元330的输出端，所述第三薄膜晶体管Q79的漏极接地。所述第五电阻R229与所述第三薄膜晶体管Q79之间的节点作为所述控制单元350的输出端，当所述侦测电压大于所述参考电压时，所述第三薄膜晶体管Q79导通。在本实施方式中，所述第三薄膜晶体管Q79为NMOS，当所述第三薄膜晶体管Q79的栅极接收高电平信号时，所述第三薄膜晶体管Q79在所述高电平的控制下导通。下面对本发明的包括保护电路300的直流电压转换电路10的工作原理进行介绍。当液晶显示装置显示视频或者图像时的每一帧图片时，所述第一侦测子单元311对所述VGH线与所述VGL线进行一次扫描以确定所述VGH线与所述VGL线之间是否短路，所述第二侦测子单元312对所述VGH线与所述VCOM线进行一次扫描，以确定所述VGH线与所述VCOM线之间是否短路。当液晶显示装置显示视频或者图像时的每一帧图片时，所述第一侦测子单元311对所述VGH线与所述VGL线进行扫描时，所述第二侦测子单元312不对所述VGH线与所述VCOM线进行扫描。当所述第二侦测子单元312对所述VGH线与所述VCOM线进行扫描时，所述第一侦测子单元311对所述VGH线与所述VGL线不进行扫描。下面以所述第一侦测子单元311先对所述VGH线与所述VGL线进行扫描，当所述第一侦测子单元311对所述VGH线与所述VGL线扫描结束后，所述第二侦测子单元312对所述VGH线与所述VCOM线进行扫描为例进行说明。当所述第一侦测子单元311对所述VGH线与所述VGL线进行扫描时，第一栅极信号加载在所述第一薄膜晶体管Q71的栅极，由于本实施方式中第一薄膜晶体管Q71为NMOS，高电平的第一栅极信号控制所述第一薄膜晶体管Q71导通。所述选择器350输出第一参考电压至所述比较单元330。当所述VGH线与所述VGL线之间发生短路(比如，VGH线与所述VGL线之间存在导电粒子而产生的短路)时，所述VGH线与所述VGL线之间的等效电阻R219很小(通常为Ω级别)，所述VGH线与所述VGL线之间的等效电阻R219与所述第一电阻R220并联。所述等效电阻R219与所述第一电阻R220并联后的电阻也很小，此时，所述第一侦测电流较大。因此，所述电流电压转换电路320根据所述第一侦测电流得到的第一侦测电压也较大。当所述第一侦测电压大于所述第一参考电压时，所述比较器331输出高电平信号。所述控制单元340中的第三薄膜晶体管Q79的栅极接收所述比较器331输出的高电平信号，所述第三薄膜晶体管Q79导通，进而输出一低电平信号，所述低电平信号加载所述倍压电路100的使能端，使得所述倍压电路100关断。当所述VGH线与所述VGL线之间没有发生短路时，所述第二侦测子单元312对所述VGH线与所述VGL线进行扫描，第二栅极栅极信号加载在所述第二薄膜晶体管Q72的栅极，由于本实施方式中的第二薄膜晶体管Q72为NMOS，高电平的第一栅极信号控制所述第二薄膜晶体管Q72导通。所述选择器350输出第二参考电压至所述比较单元330。当所述VGH线与所述VCOM线之间发生短路(比如，VGH线与所述VCOM线之间存在导电粒子而产生的短路)时，所述VGH线与所述VCOM线之间的等效电阻R222很小(通常为Ω级别)，所述VGH线与所述VCOM线之间的等效电阻R222与所述第二电阻R227并联。所述等效电阻R227与所述第二电阻R227并联后的电阻也很小，此时，所述第二侦测电流较大。因此，所述电流电压转换地阿奴320根据所述第二侦测电流得到的第二侦测电流也较大。当所述第二侦测电压大于所述第二参考电压时，所述比较器331输出高电平信号。所述控制单元340中的第三薄膜晶体管Q79的栅极接收所述比较器331输出的高电平信号，所述第三薄膜晶体管Q79导通，进而输出一低电平信号，所述低电平信号加载所述倍压电路100的使能端，使得所述倍压电路100关断。可以理解地，虽然本实施方式中以第一侦测子单元311先对所述VGH线与所述VGL线进行扫描，当所述第一侦测子单元311对所述VGH线与所述VGL线扫描结束后，所述第二侦测子单元312对所述VGH线与所述VCOM线进行扫描为例进行说明，在其他实施方式中，也可以为所述第二侦测子单元312先对所述VGH线与所述VCOM线进行扫描，所述第一侦测子单元311再对所述VGH线与所述VGL线进行扫描。相较于现有技术，本发明的直流电压转换电路10包括倍压电路100及保护电路300。所述倍压电路100包括倍压输入端110及倍压输出端120。所述倍压输入端110用于接收第一电压，所述倍压电路100用于将所述第一电压转换为第二电压，所述第二电压经由所述倍压输出端120输出至所述液晶显示装置中的VGH线。所述保护电路300包括侦测单元310、电流电压转换单元320、比较单元330及控制单元340。所述侦测单元310用于侦测VGH与传输线之间的电流，以得到侦测电流。所述电流电压转换单元320用于根据所述侦测电流得到侦测电压。所述比较单元330用于将所述侦测电压与参考电压进行比较，当所述侦测电压大于所述参考电压时，所述控制单元340发出控制信号关断所述倍压电路100。其中，所述传输线包括液晶显示装置中的VGL线或者液晶显示装置中的VCOM线。由此可见，本发明的直流电压转换电路10能够在液晶显示装置中的VGH线与VGL线发生短路或者是VGH线与VGL线发生短路时，切断倍压电路100，从而保护液晶显示装置中的其他走线或者其他元件不被烧毁。本发明还提供了一种液晶显示装置1，请参阅图4，图4为本发明一较佳实施方式的液晶显示装置的结构示意图。所述液晶显示装置1包括前面所述的直流电压转换电路，在此不再赘述。在本实施方式中，所述液晶显示装置1包括但不仅限于包括但不仅限于智能手机(SmartPhone)、互联网设备(MobileInternetDevice，MID)、电子书、平板电脑、便携式播放站(PlayStationPortable,PSP)或者个人数字助理(PersonalDigitalAssistant，PDA)等便携式设备。以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。当前第1页1 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