本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板的补偿数据处理方法。
背景技术:
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。
有机发光二极管显示器件由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性,被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。
OLED显示装置通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的有机发光层,设于有机发光层上的电子传输层、及设于电子传输层上的阴极。工作时向有机发光层发射来自阳极的空穴和来自阴极的电子,将这些电子和空穴组合产生激发性电子-空穴对,并将激发性电子-空穴对从受激态转换为基态实现发光。
目前在平面显示面板生产过程中由于生产工艺等原因经常会产生Mura(亮度不均匀),出现亮点或暗点,导致面板的显示品质降低。为了消除OLED显示器Mura,现有技术通常采用补偿表来存储OLED显示器中各像素的补偿信息。放映影像时,驱动板查找补偿表,调整信号,将面板过暗区域的信号调高,过亮区域的信号调低,呈现均匀的显示效果。在补偿表中,每个像素对应于一组补偿信息,每组补偿信息包含一个或多个补偿数据。补偿数据的物理意义视算法而定,通常为特定灰阶的调整值或局域伽马值,也有算法将其设定为待调整的电压值。
在现有技术中,补偿表的大小等于像素数目乘以每组补偿信息的大小,举例来讲,若要补偿4k2k的OLED显示面板(像素列数为3840,像素行数为2160),假设每组补偿信息的大小为24bit,颜色数目为红绿蓝三色,则补偿表所占用的存储空间为2160*3840*24bit*3≈597Mb。补偿表占用大量系统存储空间,并且在生产线上传输、烧录数据的过程耗费大量时间,降低了OLED显示器的运行速度和生产效率。
技术实现要素:
本发明的目的在于提供一种OLED显示面板的补偿数据处理方法,能够减少补偿数据占用的系统存储空间,缩短生产线上传输、烧录数据的时间。
为实现上述目的,本发明提供了一种OLED显示面板的补偿数据处理方法,包括如下步骤:
步骤1、获取OLED显示面板的补偿数据;
步骤2、对所述OLED显示面板的补偿数据做n级小波变换,得到该补偿数据的n级近似矩阵、n级水平细节矩阵、n级垂直细节矩阵、及n级对角线细节矩阵,n为正整数;
步骤3、保存该补偿数据的n级近似矩阵,舍弃n级水平细节矩阵、n级垂直细节矩阵、及n级对角线细节矩阵,从而压缩所述OLED显示面板的补偿数据;
步骤4、选定n级近似矩阵为待解压数据,设m为计数参数,并将m赋值为0;
步骤5、对待解压数据做1级小波变换,得到待解压数据的水平细节矩阵、待解压数据的垂直细节矩阵、及待解压数据的对角线细节矩阵;
步骤6、放大所述待解压数据的水平细节矩阵、待解压数据的垂直细节矩阵、及待解压数据的对角线细节矩阵至待解压数据的尺寸;
步骤7、将放大后的待解压数据的水平细节矩阵、放大后的待解压数据的垂直细节矩阵、放大后的待解压数据的对角线细节矩阵与待解压数据合并重构并进行反小波变换,得到解压后数据;
步骤8、使m=m+1,判断m是否与n相等,若相等,则结束,当前解压后数据即为解压后的OLED显示面板的补偿数据,若不等,则选定当前的解压后数据为待解压数据,并返回步骤5。
所述步骤2及步骤5中进行小波变换的方法为:
首先,选定一对小波基底,所述小波基底包括:母小波向量、及尺度向量,所述尺度向量的频率低于所述母小波向量;
接着用所述尺度向量对所述待变换数据沿行方向进行滤波,并对列进行下采样,下采样时每两列中保留一列,得到第一系数矩阵;用所述母小波向量对所述待变换数据沿行方向进行滤波,并对列进行下采样,下采样时每两列中保留一列,得到第二系数矩阵;
最后用所述尺度向量对所述第一系数矩阵沿列方向进行滤波,并对行进行下采样,下采样时每两行保留一行,得到该待变换数据的近似矩阵;
用所述母小波向量对所述第一系数矩阵沿列方向进行滤波,并对行进行下采样,下采样时每两行保留一行,得到待变换数据的水平细节矩阵;
用所述尺度向量对所述第二系数矩阵沿列方向进行滤波,并对行进行下采样,下采样时每两行保留一行,得到待变换数据的垂直细节矩阵
用所述母小波向量对所述第二系数矩阵沿列方向进行滤波,并对行进行下采样,下采样时每两行保留一行,得到待变换数据的对角线细节矩阵。
所述步骤6中反小波变换的方法为:
首先选定一对与所述小波基底对应的重构小波向量,所述重构小波向量包括:第一重构小波向量、及第二重构小波向量,所述第一重构小波向量的频率低于第二重构小波向量;
接着分别对所述放大后的待解压数据的垂直细节矩阵、以及待解压数据沿行方向进行上采样,上采样时每两行间插入一行零,用所述第一重构小波向量对所述经过上采样后的放大后的待解压数据的垂直细节矩阵、以及经过上采样后的待解压数据分别沿列方向进行滤波,并将二者滤波后的结果相加得到第一重构系数矩阵;
然后分别对所述放大后的待解压数据的水平细节矩阵、以及放大后的待解压数据的对角线细节矩阵沿行方向进行上采样,上采样时每两行间插入一行零,用所述第二重构小波向量对所述经过上采样后的放大后的待解压数据的水平细节矩阵、以及经过上采样后的放大后的待解压数据的对角线细节矩阵分别沿列方向进行滤波,并将二者滤波后的结果相加得到第二重构系数矩阵;
最后分别对所述第一重构系数矩阵、及第二重工系数矩阵进行上采样,上采样时每两行间插入一行零,用第一重构小波向量对经过上采样后的第一重构系数矩阵沿行方向进行滤波,用第二重构小波向量对经过上采样后的第二重构系数矩阵沿行方向进行滤波,并将二者滤波后的结果相加得到解压后数据。
所述步骤5中通过插值的方式将所述待解压数据的水平细节矩阵、待解压数据的垂直细节矩阵、及待解压数据的对角线细节矩阵放大四倍。
所述步骤5采用的插值方式为双线性插值。
所述步骤1中OLED显示面板的补偿数据为图片格式的数据。
所述OLED显示面板的补偿数据的压缩率为1/4n。
所述步骤2中对补偿数据进行一级小波变换,所述OLED显示面板的补偿数据的压缩率为1/4。
本发明的有益效果:本发明提供了一种OLED显示面板的补偿数据处理方法,通过对补偿数据做小波变换,舍弃小波变换得到的细节矩阵,仅存储小波变换得到的近似矩阵,再利用存储的近似矩阵估算细节矩阵,重构小波变换,并进行反小波变换操作,重新得到补偿数据,进而可以实现对补偿数据的压缩与解压,压缩后的补偿数据占用的系统存储空间大大减少,从而缩短生产线上传输、烧录数据的时间,且压缩后的数据具有固定的压缩比,而且解压后重新得到补偿数据与原补偿数据的误差极小,不影响OLED显示面板的显示品质。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图中,
图1为本发明的OLED显示面板的补偿数据处理方法的流程图;
图2为本发明的OLED显示面板的补偿数据处理方法的第一实施例的图像变化过程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1,本发明提供一种OLED显示面板的补偿数据处理方法,包括如下步骤:
步骤1、获取OLED显示面板的补偿数据。
具体地,所述步骤1中OLED显示面板的补偿数据为图片格式的数据。
步骤2、对所述OLED显示面板的补偿数据做n级小波变换,得到该补偿数据的n级近似矩阵、n级水平细节矩阵、n级垂直细节矩阵、及n级对角线细节矩阵,n为正整数。
所述n级小波变换过程为先对补偿数据进行小波变换,得到1级近似矩阵、1级水平细节矩阵、1级垂直细节矩阵、及1级对角线细节矩阵,再对1级近似矩阵进行小波变换得到2级近似矩阵、2级水平细节矩阵、2级垂直细节矩阵、及2级对角线细节矩阵,再对2级近似矩阵进行小波变换得到3级近似矩阵、3级水平细节矩阵、3级垂直细节矩阵、及3级对角线细节矩阵,依次类推直至得到n级近似矩阵、n级水平细节矩阵、n级垂直细节矩阵、及n级对角线细节矩阵。
步骤3、保存该补偿数据的n级近似矩阵,舍弃n级水平细节矩阵、n级垂直细节矩阵、及n级对角线细节矩阵,从而压缩所述OLED显示面板的补偿数据。
具体地,所述OLED显示面板的补偿数据的压缩率为1/4n,例如:1级小波变换即为1/4,2级小波变换即为1/16。
步骤4、选定n级近似矩阵为待解压数据,设m为计数参数,并将m赋值为0。
具体地,所述计数参数用于记录解压次数,数据解压时对经n级小波变换压缩的数据,应该有n次解压过程,解压过程即为下述的步骤5至步骤7的操作。
步骤5、对待解压数据做1级小波变换,得到待解压数据的水平细节矩阵、待解压数据的垂直细节矩阵、及待解压数据的对角线细节矩阵。
步骤6、放大所述待解压数据的水平细节矩阵、待解压数据的垂直细节矩阵、及待解压数据的对角线细节矩阵至待解压数据的尺寸。
步骤7、将放大后的待解压数据的水平细节矩阵、放大后的待解压数据的垂直细节矩阵、放大后的待解压数据的对角线细节矩阵与待解压数据合并重构并进行反小波变换,得到解压后数据。
步骤8、使m=m+1,判断m是否与n相等,若相等,则结束,当前解压后数据即为解压后的OLED显示面板的补偿数据,若不等,则选定当前的解压后数据为待解压数据,并返回步骤5。
具体地,请参阅图2,在本发明的第一实施例中,对所述补偿数据做1级小波变换,小波变换的具体过程为:
首先,选定一对小波基底,所述小波基底包括:母小波向量、及尺度向量,所述尺度向量的频率低于所述母小波向量;
接着用所述尺度向量对所述补偿数据沿行方向进行滤波,并对列进行下采样,下采样时每两列中保留一列,得到第一系数矩阵;用所述母小波向量对所述补偿数据沿行方向进行滤波,并对列进行下采样,下采样时每两列中保留一列,得到第二系数矩阵;
最后用所述尺度向量对所述第一系数矩阵沿列方向进行滤波,并对行进行下采样,下采样时每两行保留一行,得到该补偿数据的近似矩阵;用所述母小波向量对所述第一系数矩阵沿列方向进行滤波,并对行进行下采样,下采样时每两行保留一行,得到补偿数据的水平细节矩阵;用所述尺度向量对所述第二系数矩阵沿列方向进行滤波,并对行进行下采样,下采样时每两行保留一行,得到补偿数据的垂直细节矩阵;所述母小波向量对所述第二系数矩阵沿列方向进行滤波,并对行进行下采样,下采样时每两行保留一行,得到补偿数据的对角线细节矩阵。
保存时,舍弃掉该补偿数据的水平细节矩阵、垂直细节矩阵、及对角线细节矩阵,仅保存该补偿数据的近似矩阵,从而达到压缩补偿数据的目的。
进一步地,当所述OLED显示面板需要使用补偿数据时,系统调用保存的近似矩阵进行解压,首先,选定1级小波变换得到的近似矩阵为待解压数据做1级小波变换,得到近似矩阵的水平细节矩阵、近似矩阵的垂直细节矩阵、及近似矩阵的对角线细节矩阵,接着放大所述近似矩阵的水平细节矩阵、近似矩阵的垂直细节矩阵、及近似矩阵的对角线细节矩阵至近似矩阵的尺寸,也即将近似矩阵的水平细节矩阵、近似矩阵的垂直细节矩阵、及近似矩阵的对角线细节矩阵均放大四倍,具体的放大方法可以选择插值放大,优选双线性插值,最后,将放大后的近似矩阵的水平细节矩阵、放大后的近似矩阵的垂直细节矩阵、放大后的近似矩阵的对角线细节矩阵与近似矩阵合并重构并进行反小波变换,得到解压后的补偿数据。
具体地,在该第一实施例中反小波变换的具体过程为:
首先选定一对与所述小波基底对应的重构小波向量,所述重构小波向量包括:第一重构小波向量、及第二重构小波向量,所述第一重构小波向量的频率低于第二重构小波向量;
接着分别对所述放大后的近似矩阵的垂直细节矩阵、以及近似矩阵沿行方向进行上采样,上采样时每两行间插入一行零,用所述第一重构小波向量对所述经过上采样后的放大后的近似矩阵的垂直细节矩阵、以及经过上采样后的近似矩阵分别沿列方向进行滤波,并将二者滤波后的结果相加得到第一重构系数矩阵;
然后分别对所述放大后的近似矩阵的水平细节矩阵、以及放大后的近似矩阵的对角线细节矩阵沿行方向进行上采样,上采样时每两行间插入一行零,用所述第二重构小波向量对所述经过上采样后的放大后的近似矩阵的水平细节矩阵、以及经过上采样后的放大后的近似矩阵的对角线细节矩阵分别沿列方向进行滤波,并将二者滤波后的结果相加得到第二重构系数矩阵;
最后分别对所述第一重构系数矩阵、及第二重构系数矩阵进行上采样,上采样时每两行间插入一行零,用第一重构小波向量对经过上采样后的第一重构系数矩阵沿行方向进行滤波,用第二重构小波向量对经过上采样后的第二重构系数矩阵沿行方向进行滤波,并将二者滤波后的结果相加得到解压后的OLED显示面板的补偿数据。
在本发明的第一实施例中,比较原始补偿数据和解压后的补偿数据,均方根误差为1.64,均方根误差/原图平均值等于3.24%,可见原始补偿数据和解压后的补偿数据非常接近,基本不会对补偿效果产生影响。
另外,除了对所述补偿数据做1级小波变换外,本发明还可对补偿数据做多级小波变换,例如:在本发明的第二实施例中,对所述补偿数据做3级小波变换,所述3级小波变换过程为先对补偿数据进行小波变换,得到1级近似矩阵、1级水平细节矩阵、1级垂直细节矩阵、及1级对角线细节矩阵,再对1级近似矩阵进行小波变换得到2级近似矩阵、2级水平细节矩阵、2级垂直细节矩阵、及2级对角线细节矩阵,再对2级近似矩阵进行小波变换得到3级近似矩阵、3级水平细节矩阵、3级垂直细节矩阵、及3级对角线细节矩阵,各级小波变换的方法与第一实施例中的小波变换方法相同,此处只是重复多次,不再详细赘述。而解压时,则先解压3级近似矩阵,得到解压后的2级近似矩阵,再解压2级近似矩阵,得到解压后的1级近似矩阵,最后解压1级近似矩阵,得到解压后的OLED显示面板的补偿数据,具体的解压方法与第一实施例相同,此处只是重复多次,不再详细赘述。
综上所述,本发明提供了一种OLED显示面板的补偿数据处理方法,通过对补偿数据做小波变换,舍弃小波变换得到的细节矩阵,仅存储小波变换得到的近似矩阵,再利用存储的近似矩阵估算细节矩阵,重构小波变换,并进行反小波变换操作,重新得到补偿数据,进而可以实现对补偿数据的压缩与解压,压缩后的补偿数据占用的系统存储空间大大减少,从而缩短生产线上传输、烧录数据的时间,且压缩后的数据具有固定的压缩比,而且解压后重新得到补偿数据与原补偿数据的误差极小,不影响OLED显示面板的显示品质。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。