基于老化制程的硅基OLED残影延缓装置及方法与流程

本发明属于oled器件
技术领域：
，更具体地，本发明涉及一种基于老化制程的硅基oled残影延缓装置及方法。
背景技术：
：硅基oled是一种新型显示屏幕，其具有更高亮度、更高对比度。可以很好的使用在vr、ar设备里面。考虑tft滞回效应以及oled器件结构寿命、劣化，在高亮度应用场景下，产品显示一段时间后，再切换到低亮画面，人眼会看到很严重的残影现象，影响产品性能。技术实现要素：本发明提供一种基于老化制程的硅基oled残影延缓装置，旨在延缓硅基oled残影现象的出现。为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种基于老化制程的硅基oled残影延缓装置，所述装置包括：与硅基oled通讯连接的fpga，pmic与老化控制电路连接，老化控制电路与硅基oled的电源引脚连接，其中，老化控制电路如图2所示，该老化控制电路包括：继电器k1及驱动继电器k1的mosfet管q1，q1的栅极与pmic连接，继电器k1的两个常开触点与硅基oledd的电源引脚vddp-in、vddp-out连接；继电器k2及驱动继电器k2的mosfet管q2，q2的栅极与pmic连接，继电器k2的两个常开触点与硅基oled的电源引脚avdd5-in、avdd5-out连接；继电器k3及驱动继电器k3的mosfet管q3，q3的栅极与pmic连接，继电器k3的两个常开触点与硅基oled的电源引脚dvdd/avdd-in、avdd/dvdd-out引脚连接；继电器k4及驱动继电器k4的mosfet管q4，q4的栅极与pmic连接，继电器k4的两个常开触点与硅基oled的电源引脚com-in、com-out引脚连接；继电器k5及驱动继电器k5的mosfet管q5，q5的栅极与pmic连接，继电器k5的两个常开触点与硅基oled的电源引脚vbh-in、vbh-out引脚连接。为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种基于老化制程的硅基oled残影延缓方法，所述方法具体包括如下步骤：老化阶段1：fpga向硅基oled发送视频信号，同时pmic向电源引脚vddp施加大于标准正电压的老化正电压，向电源引脚com施加大于标准老化负电压的老化负电压；老化阶段2：fpga停止向硅基oled发送视频信号，依次执行如下操作：操作1)控制oled正偏-oled屏点亮，正偏电压为老化阶段1中的老化正电压；操作2)控制硅基oled反偏-oled屏熄屏，反偏电压为硅基oled击穿电压的70％；操作3)控制硅基oled关闭；将操作1)、操作2)及操作3)定义为老化小循环，在操作3)结束后，进入操作1)，即进入下一个老化小循环，当老化小循环的执行次数达到次数阈值一后，进入老化阶段1，即进入下一个老化大循环；将老化阶段1及老化阶段2定义为老化大循环，老化大循环的执行次数达到次数阈值二，则硅基oled的老化制成结束。进一步的，硅基oled的正偏时长为85％t，硅基oled的反偏时长为5％t，硅基oled的关闭时长为10％t。本发明提供的基于老化制程的硅基oled残影延缓方法具有如下有益技术效果：在工厂端的老化制程，利用硅基oled器件特性，在老化阶段，使oled器件两端正负电压差进行翻转或，精确计算正导通与反截止各自的时间来达到老化的目的，从而减少oled器件的残影的现象，使像素驱动电路的mos处于连续变化的高压差，降低vgs迟滞效应，从延缓残影效果。附图说明图1为本发明实施例提供的基于老化制程的硅基oled残影延缓装置结构示意图；图2为本发明实施例提供的老化控制电路图；图3为本发明实施例提供的基于老化制程的硅基oled残影延缓方法流程图；图4为本发明实施例提供的上电时序图；图5为本发明实施例提供的关电时序图。具体实施方式下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。图1为本发明实施例提供的基于老化制程的硅基oled残影延缓装置结构示意图，为了便于说明，仅示出与本发明实施例相关的部分。该装置包括：与硅基oled通讯连接的fpga，pmic与老化控制电路连接，老化控制电路与硅基oled的电源引脚连接，其中，老化控制电路如图2所示，该老化控制电路包括：继电器k1及驱动继电器k1的mosfet管q1，q1的栅极与pmic连接，继电器k1的两个常开触点与硅基oledd的电源引脚vddp-in、vddp-out连接；继电器k2及驱动继电器k2的mosfet管q2，q2的栅极与pmic连接，继电器k2的两个常开触点与硅基oled的电源引脚avdd5-in、avdd5-out连接；继电器k3及驱动继电器k3的mosfet管q3，q3的栅极与pmic连接，继电器k3的两个常开触点与硅基oled的电源引脚dvdd/avdd-in、avdd/dvdd-out引脚连接；继电器k4及驱动继电器k4的mosfet管q4，q4的栅极与pmic连接，继电器k4的两个常开触点与硅基oled的电源引脚com-in、com-out引脚连接；继电器k5及驱动继电器k5的mosfet管q5，q5的栅极与pmic连接，继电器k5的两个常开触点与硅基oled的电源引脚vbh-in、vbh-out引脚连接。图3为本发明实施例提供的基于老化制程的硅基oled残影延缓方法流程图，该方法具体包括：老化阶段1：fpga向硅基oled发送视频信号，同时pmic向电源引脚vddp施加大于标准正电压的老化正电压，向电源引脚com施加大于标准老化负电压的老化负电压；标准正电压是硅基oled正常显示时的电源引脚vddp的电压，标准负电压是硅基oled正常显示时的电源引脚com的电压；一般情况下，老化负电压及老化正电压对应的电流是硅基oled正常显示电流的2倍左右。fpga完成硅基oled初始化，并完成硅基oled的上电，上电过程按照设定的上电时序进行，如参照图4，在上电完成后，基于表1来配置电源引脚，老化阶段1的产品点亮，control_0～control_4的电平信如表1：表1老化阶段1，control_0～control_4的电平信号表control_0高电平mosfetq0导通继电器k1导通control_1高电平mosfetq1导通继电器k2导通control_2高电平mosfetq2导通继电器k3导通control_3高电平mosfetq3导通继电器k4导通control_4高电平mosfetq4导通继电器k5导通在本发明实施例中，表2为某一产品的电流设置，对于老化电压的设定依据流经oled电流为正常显示的2倍，电压依据实际工程设定。表2正常显示及老化阶段1的老化显示的对比表完成老化阶段1后，基于设定的关电时序进行关电操作，关电时序如图5所示，在关电操作完毕后，基于表3来配置电源引脚，为实施硅基oled正偏做准备，oled正偏-oled屏点亮：com端电压为负值，control_0～control_4的电平信号如表3：表3oled正偏，control_0～control_4的电平信号表control_0低电平mosfetq0截止继电器k1截止control_1低电平mosfetq1截止继电器k2截止control_2低电平mosfetq2截止继电器k3截止control_3高电平mosfetq3导通继电器k4导通control_4低电平mosfetq4截止继电器k5截止老化阶段2：fpga停止向硅基oled发送视频信号，依次执行如下操作：操作1)控制硅基oled正偏，正偏电压为老化阶段1中的老化正电压，正偏时长为85％t；操作1结束后，基于表4来配置电源接口，准备实施操作2)，即控制oled反偏：com端电压为正值，control_0～control_4的电平信号如表4：表4oled反偏，control_0～control_4的电平信号表control_0低电平mosfetq0截止继电器k1截止control_1低电平mosfetq1截止继电器k2截止control_2低电平mosfetq2截止继电器k3截止control_3高电平mosfetq3导通继电器k4导通control_4低电平mosfetq4截止继电器k5截止操作2)控制硅基oled反偏-oled屏熄屏，反偏电压为硅基oled击穿电压的70％，反偏时长为5％t，如周期t设定为3s。操作3)控制硅基oled关闭，关闭时长为10％t，硅基oled关闭，control_0～control_4的电平信号如表5：表5oled关闭，control_0～control_4的电平信号control_0低电平mosfetq0截止继电器k0截止control_1低电平mosfetq1截止继电器k1截止control_2低电平mosfetq2截止继电器k2截止control_3低电平mosfetq3截止继电器k3截止control_4低电平mosfetq4截止继电器k4截止将操作1)、操作2)及操作3)定义为老化小循环，在操作3)结束后，进入操作1)，即进入下一个老化小循环，当老化小循环的执行次数达到次数阈值一后，进入老化阶段1，即进入下一个老化大循环；将老化阶段1及老化阶段2定义为老化大循环，老化大循环的执行次数达到次数阈值二，则硅基oled的老化制成结束。本发明提供的基于老化制程的硅基oled残影延缓方法具有如下有益技术效果：在工厂端的老化制程，利用硅基oled器件特性，在老化阶段，使oled器件两端正负电压差进行翻转或，精确计算正导通与反截止各自的时间来达到老化的目的，从而减少oled器件的残影的现象，使像素驱动电路的mos处于连续变化的高压差，降低vgs迟滞效应，从延缓残影效果。上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。当前第1页12