显示装置、制造显示装置的方法，和电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本公开涉及一种显示装置，其包括电流驱动的显示元件、制造这种显示装置的方 法，和设有这种显示装置的电子设备。
【背景技术】
[0002] 近年来，在进行图像显示的显示装置的领域中，使用电流驱动的光学元件作为发 光元件的显示装置(有机电致发光(EL)显示装置，诸如有机EL元件）（其发光亮度基于流动 电流的值而变化)已经被开发且其商业化正在进行。不像液晶元件或其它元件，发光元件是 自发光元件，且无需单独的光源(背光）。因此，与其需要光源的液晶显示装置相比，有机EL 显示装置具有图像的高可见度、低功耗和元件的高响应速度等的特性。
[0003] 在这样的显示装置中，单位像素可包括例如写入晶体管和驱动晶体管。写入晶体 管适于选择像素信号要被写入其中的单位像素，且驱动晶体管适于将电流提供到发光元 件。例如，在PTL 1中，公开了一种显示装置，其中驱动晶体管的电流驱动能力被设置为低于 写入晶体管的电流驱动能力。此外，例如，在PTL 2中，公开了一种显示装置，其中驱动晶体 管的沟道长度L被设置为长于写入晶体管的沟道长度L。此外，例如，在PTL 3中，公开了一种 显示装置，其还包括AC晶体管，且驱动晶体管的沟道长度L与沟道宽度W的比例(L/W)被设置 为大于AC晶体管的沟道长度L与沟道宽度W的比例(L/W)。
[0004] 参考文献列表
[0005] 专利文献
[0006] PTL 1:日本未审查专利申请公开号2003-308030
[0007] PTL 2:日本未审查专利申请公开号2008-46427
[0008] PTL 3:日本未审查专利申请公开号2005-202371
【发明内容】
[0009] 顺便提及，在显示装置中，通常需要高图像质量，且期望图像质量的进一步提高。
[0010] 因此，理想的是提供一种显示装置、制造显示装置的方法，和使其能够提高图像质 量的电子设备。
[0011] 根据本公开的实施例的显示装置包括发光元件和驱动晶体管。驱动晶体管包括耦 接部和通过耦接部串联耦接的多个沟道部。驱动晶体管被构造为将驱动电流提供到发光元 件。
[0012] 根据本公开的实施例的制造显示装置的方法包括：形成驱动晶体管和写入晶体 管，驱动晶体管包括耦接部和通过耦接部串联耦接的多个沟道部，且写入晶体管被构造为 将像素电压传送到驱动晶体管的栅电极;和形成发光元件，所述发光元件由驱动晶体管提 供电流。
[0013] 根据本公开的实施例的电子装置设置有前述的显示装置，且电子装置的非限制性 实例可包括电视、数字照相机、个人计算机、视频摄像机和移动终端装置，诸如移动电话。
[0014] 在根据本公开的各自实施例的显示装置、制造显示装置的方法和电子装置中，发 光元件从驱动晶体管提供有驱动电流。驱动晶体管包括耦接部和通过耦接部串联耦接的多 个沟道部。
[0015] 根据本公开的各自实施例的显示装置、制造显示装置的方法和电子装置，使用驱 动晶体管，其包括耦接部和通过耦接部串联耦接的多个沟道部，这使得能够提高图像质量。 此外，这里描述的影响是非限制性的。由技术实现的效果可以是本公开中描述的一个或多 个效果。
【附图说明】
[0016] 图1是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的构造实例的框图。
[0017] 图2是示出图1所示的子像素的构造实例的电路图。
[0018] 图3是示出图1所示的显示部的概略截面结构的横截面图。
[0019] 图4A是示出图1所示的像素的结构实例的示意图。
[0020] 图4B是示出在图1所示的像素的结构实例的另一示意图。
[0021 ]图4C是不出图1所不的像素的另一结实例的不意图。
[0022]图5是示出电路区域的构造实例的说明图。
[0023 ]图6是示出图2所示的驱动晶体管的构造实例的平面图。
[0024]图7是示出图1所示的显示装置的操作实例的时序波形图。
[0025]图8是解释由ELA设备扫描的说明图。
[0026]图9A是示出图2所示的驱动晶体管的一个方向的实例的说明图。
[0027 ]图9B是示出图2所示的驱动晶体管的方向的另一实例的说明图。
[0028] 图10是示出根据第一实施例的修改的驱动晶体管的构造实例的平面图。
[0029] 图11是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的结构实例的平面图。
[0030] 图12A是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的结构实例的概略横截面 图。
[0031] 图12B是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的结构实例的示意横截面 图。
[0032] 图12C是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的结构实例的示意横截面 图。
[0033]图13是示出根据第一实施例的另一修改的电路区域的结构实例的说明图。
[0034] 图14是示出图13所示的电路区域中的驱动晶体管的构造实例的平面图。
[0035] 图15是示出根据第一实施例的另又一修改的像素的结构实例的示意图。
[0036] 图16A是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。
[0037 ]图16B是示出图16A所示的像素的结构实例的另一示意图。
[0038]图17A是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。
[0039]图17B是示出图17 A所示的像素的结构实例的另一示意图。
[0040] 图18A是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。
[0041] 图18B是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。
[0042] 图18C是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。
[0043]图18D是不出图18A至图18C中的任何所不的像素的结构实例的另一不意图。
[0044] 图19A是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。
[0045] 图19B是示出根据第一实施例的另一修改的像素的结构实例的示意图。
[0046]图19C是不出图19A至图19C中的任何所不的像素的结构实例的另一不意图。
[0047]图20A是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的构造实例的平面图。 [0048]图20B是示出根据第一实施例的另一修改的驱动晶体管的构造实例的平面图。
[0049] 图21是示出根据第二实施例的各自晶体管的示意截面结构的截面图。
[0050] 图22是示出制造图21所示的晶体管的过程的说明图。
[0051] 图23是示出根据第二实施例的修改的各自晶体管的示意截面结构的截面图。
[0052]图24是示出制造图23所示的晶体管的过程的说明图。
[0053] 图25是示出根据第二实施例的修改的晶体管的示意截面结构的截面图。
[0054] 图26是示出制造图25所示的晶体管的过程的说明图。
[0055] 图27是示出根据第二实施例的修改的各自晶体管的示意截面结构的截面图。
[0056]图28是示出制造图27所示的晶体管的过程的说明图。
[0057]图29是示出根据第三实施例的晶体管的晶粒的说明图。
[0058]图30是示出根据第三实施例的显示装置的实施实例的示意图。
[0059]图31是示出根据第三实施例的修改的各自晶体管的示意截面结构的截面图。
[0060 ]图32是示出图31所示的驱动晶体管的构造实例的平面图。
[0061] 图33是示出根据第三实施例的另一修改的驱动晶体管的构造实例的平面图。
[0062] 图34是示出根据任何实施例应用于其的电视的外观构造的透视图。
[0063] 图35是示出根据修改的子像素的构造实例的电路图。
[0064] 图36是示出包括图35所示的子像素的显示装置的操作实例的时序波形图。
[0065] 图37是示出根据另一修改的子像素的构造实例的电路图。
[0066] 图38A是示出根据参考实例的驱动晶体管的构造实例的平面图。
[0067] 图38B是示出根据另一参考实例的驱动晶体管的构造实例的平面图。
[0068]图38C是示出根据另一参考实例的驱动晶体管的构造实例的平面图。
[0069] 图38D是示出根据另一参考实例的驱动晶体管的构造实例的平面图。
【具体实施方式】
[0070] 在下面参考附图详细描述本公开的一些实施例。此外，其描述以下面的顺序给出。
[0071] 1.第一实施例
[0072] 2.第二实施例
[0073] 3.第三实施例
[0074] 4.应用实例
[0075] [1.第一实施例]
[0076] [构造实例]
[0077] 图1示出根据第一实施例的显示装置的构造实例。显示装置1可以是使用有机EL元 件的有源矩阵显示装置。此外，根据本公开的各个实施例的显示驱动方法和制造显示装置 的方法由本实施例实施，且因此一起给出其描述。
[0078] 显示装置1可包括显示部10和驱动部20。驱动部20可包括图像信号处理部21、时序 产生部22、扫描线驱动部23、电力线驱动部26和数据线驱动部27。
[0079] 显示部10可由以矩阵布置的多个像素 PIX构造。每个像素 Pix可包括红色(R)、绿色 (6)、蓝色(8)和白色(1)的四个子像素11(111?、116、118和111)。在本实例中，四个子像素 11R、11G、11B和11W可在每个像素 Pix中布置成两行和两列。更具体而言，在每个像素 Pix中， 红色(R)子像素11R可设置在左上角，绿色(G)子像素11G可设置在右上角，蓝色（B)子像素 11B可设置在左下角，且白色(W)子像素11W可设置在右下角。
[0080] 图2示出子像素11的电路构造的实例。显示部10可包括在行方向上延伸的多个扫 描线WSL和多个电力线PL，和在列方向上延伸的多个数据线DTL。虽然未示出，数据线DTL中 的每个的一端可耦接到数据线驱动部27,扫描线WSL中的每个的一端可耦接到扫描线驱动 部23,且数据线DTL中的每个的一端可耦接到电力线驱动部26。子像素11中的每个可设置在 扫描线WSL中的每个和数据线DTL中的每个之间的交点。
[0081 ] 子像素11可包括写入晶体管WSTr、驱动晶体管DRTr、发光元件30和电容器Cs。换言 之，在该实例中，子像素11可具有由两个晶体管（写入晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr)和电 容器Cs构造的所谓的"2TrlC"构造。
[0082]写入晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr每个都可由例如N沟道金属氧化物半导体 (M0S)薄膜晶体管(TFT)构造。写入晶体管WSTr的栅极可耦接到扫描线WSL，其源极可耦接到 数据线DTL，且其漏极可耦接到驱动晶体管DRTr的栅极和电容器Cs的一端。驱动晶体管DRTr 的栅极可耦接到写入晶体管WSTr的漏极和电容器Cs的一端，其漏极可耦接到电力线PL，并 且其源极可耦接到电容器Cs的另一端和发光元件30的阳极。
[0083]电容器Cs的一端可耦接到例如驱动晶体管DRTr的栅极，并且其另一端可耦接到例 如驱动晶体管DRTr的源极。发光元件30可以是由有机EL元件构造的发光元件，并且其阳极 可耦接到驱动晶体管DRTr的源极和电容器Cs的另一端，并且其阴极可由驱动部20提供作为 直流电压的电压Vcath。发光元件30可发射白光。更具体而言，在本实例中，如将在后面中描 述，子像素111?、116、118和111可使用发射白光的发光元件30和滤色器218(后述)分别产生 红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)的光。
[0084]图3是显示部10的截面图。显示部10可包括透明衬底200、栅极201、多晶硅203、阳 极212、发光层230、阴极216和滤色器218。
[0085]透明衬底200可以是显示部10的支撑衬底，该衬底可由例如玻璃或塑料形成。此 外，虽然在本实例中使用了透明衬底200;替代地，可使用非透明衬底，诸如金属板。栅极201 可选择地形成于透明衬底200上。栅极201可由例如钼(Mo)形成。绝缘层202可设置在透明衬 底200和栅极201上。绝缘层202可由例如氧化硅(SiO 2)或氮化硅(SiNx)形成。多晶硅203可 设置在绝缘层202以便覆盖对应于栅极201的区域。栅极201和多晶硅203可构造驱动晶体管 DRTr和任何其它装置。此外，在本实例中，晶体管具有其中栅极201形成于多晶硅203下方的 所谓的底栅结构;但是，晶体管的结构不限于此。晶体管可具有其中栅极形成于多晶硅上方 的所谓的顶栅结构。绝缘层204可设置在多晶硅203和绝缘层202上。绝缘层204可由例如类 似于绝缘层202的材料形成。此外，接触/布线205可设置在其中设置有多晶硅203的区域的 一部分中以便穿透绝缘层204。布线205可由例如钛(Ti)/铝(A1)/钛(Ti)三层构造。
[0086] 绝缘层211可设置在绝缘层204上。绝缘层211可由例如聚酰亚胺或丙稀酸树脂形 成。阳极212可选择地形成于绝缘层211上。阳极212可穿透绝缘层211以耦接到与驱动晶体 管DRTr的源极相关的接触/布线205。阳极212可由例如IT0/A1合金、A1合金、ITO/Ag合金或 ITO/Ag合金形成。换言之，阳极212理想地具有反射光的属性。绝缘层213可设置在阳极212 和绝缘层211上。绝缘层213可由例如类似于绝缘层211的材料的材料形成。开口 WIN可设置 在其中在绝缘层213中形成阳极212的区域的一部分上。由黄色发光层214和蓝色发光层215 构造的发光层230可均匀地设置在阳极212和绝缘层213上方。黄色发光层214可以是发射黄 色(Y)光的有机EL层，并且可由发射黄光