1.一种椭圆保偏光纤，其特征在于，该保偏光纤的截面结构从里到外依次为呈椭圆形的纤芯层，包裹所述纤芯层的内包层，包裹所述内包层的应力作用区层，以及包裹所述应力作用区层的外包层，所述的纤芯层中还掺杂有800～1000ppm的Tb2O3和250～300ppm的CeO2。
2.根据权利要求1所述的一种椭圆保偏光纤，其特征在于，所述的纤芯层的圆度为60～90％。
3.根据权利要求1所述的一种椭圆保偏光纤，其特征在于，所述的椭圆保偏光纤的直径为120～130μm，其中，纤芯层的长轴长以及内包层、应力作用区层和外包层的直径之比为4:40:100:125。
4.一种如权利要求1～3任一所述的椭圆保偏光纤的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)往石英基管内通入SiCl4和O2，加热反应，并沉积得到SiO2预制棒外包层；
(2)预制棒外包层沉积好后，通入SiCl4、BBr3和O2，加热进行反应，在预制棒外包层上沉积SiO2/B2O3预制棒应力区层；
(3)通入刻蚀气体，以石英基管圆心为对称点，刻蚀除去预制棒应力区层对称两边的部分应力区，使得剩余部分的预制棒应力区层的对称两边互不连接；
(4)刻蚀完成后，通入SiCl4、POCl3、SF6和O2，加热反应，沉积得到预制棒内包层；
(5)预制棒内包层沉积完成后，通入SiCl4、GeCl4、TbCl3、CeCl4和O2，加热进行反应，沉积得到棒芯层；
(6)沉积完成后，加热石英基管对各层进行烧结，即收缩得到椭圆光纤预制棒；
(7)将制得的椭圆光纤预制棒在旋转拉丝机上固定，并使其下旋端偏差Ri<50μm，运行旋转拉丝机对椭圆光纤预制棒拉制，即得到椭圆保偏光纤。
5.根据权利要求4所述的一种椭圆保偏光纤的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的SiCl4和O2的通入量的摩尔比为(1～1.2):1，反应温度为1850℃；
步骤(2)中所述的SiCl4、BBr3和O2的通入量的摩尔比为(78～80)：(32～33)：150，其反应温度为1650～1850℃；
步骤(3)中所述的刻蚀气体为SF6，刻蚀温度为1450～1850℃，刻蚀后的预制棒应力区层呈蝶结型或熊猫型；
步骤(4)中所述的SiCl4、POCl3、SF6和O2的通入量的摩尔比为(30～40)：(3～5)：1：(80～100)，其加热反应温度为1850～2050℃；
步骤(5)中所述的SiCl4、GeCl4、TbCl3、CeCl4和O2的通入量的摩尔比为(2～3)：1：(0.1～0.2)：(0.035～0.06)：(10～20)，其加热反应温度为1850～2050℃；
步骤(6)中所述的烧结温度为2250～2450℃。
6.根据权利要求5所述的一种椭圆保偏光纤的制备方法，其特征在于，当刻蚀后的预制棒应力区层呈蝶结型时；制得的椭圆光纤预制棒的直径为15～18mm，旋转拉丝机的旋转速度为1000r/min，旋转截距为5～6mm，拉丝速度为5～6m/min；
当刻蚀后的预制棒应力区层呈熊猫型时，制得的椭圆光纤预制棒的直径为40～45mm，旋转拉丝机的旋转速度为2000r/min，旋转截距为4～5mm，拉丝速度为8～10m/min。
7.根据权利要求5所述的一种椭圆保偏光纤的制备方法，其特征在于，步骤(1)～(2)和步骤(4)～(5)中，沉积的预制棒外包层、预制棒应力区层、预制棒内包层和棒芯层的厚度之比为(1.2～1.5)：(3～5)：2：(0.3～0.4)。