图案处理方法与流程

技术特征：

1.一种图案处理方法，其包含：

(a)提供半导体衬底，其在其表面上包含图案化特征；

(b)向所述图案化特征施用图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含嵌段共聚物和溶剂，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一单体形成的单元，所述第一单体包含烯系不饱和可聚合基团和氢受体基团，其中所述氢受体基团是含氮基团，并且所述第二嵌段包含由第二单体形成的单元，所述第二单体包含烯系不饱和可聚合基团和芳族基，其限制条件是所述第二单体不是苯乙烯；和

(c)从所述衬底洗去残余图案处理组合物，留下结合到所述图案化特征的所述嵌段共聚物部分。

2.根据权利要求1所述的图案处理方法，其中所述图案化特征是光致抗蚀剂图案。

3.根据权利要求2所述的图案处理方法，其中所述光致抗蚀剂图案是由以下步骤形成，所述步骤包含：

(a1)在所述半导体衬底上涂覆光致抗蚀剂组合物的层，其中所述光致抗蚀剂组合物包含：树脂，其包含酸可裂解离去基，所述酸可裂解离去基的裂解可形成酸基团和/或醇基团；光酸产生剂；和溶剂；

(a2)通过图案化光掩模使所述光致抗蚀剂层暴露于活化辐射；

(a3)加热所述光致抗蚀剂层，其中由所述酸产生剂产生的酸引起所述酸可裂解离去基的裂解，从而形成所述酸基团和/或所述醇基团；和

(a4)用有机溶剂显影剂使所述经曝光的光致抗蚀剂组合物层显影，以便形成包含酸基团和/或醇基团的光致抗蚀剂图案。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的图案处理方法，其中所述含氮基团选自胺、酰胺和吡啶。

5.根据权利要求4所述的图案处理组合物，其中所述第一单体是甲基丙烯酸N,N-二甲氨基乙酯或乙烯基吡啶。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的图案处理方法，其中所述第二单体具有以下通式(I)：

其中：R₁选自氢和C1到C3烷基或卤烷基；R₂独立地选自氢、卤素和任选地被取代的烷基、芳基或芳烷基，并且任选地包括一或多个选自-O-、-S-、-C(O)O-和-OC(O)-的连接部分，其中两个或更多个R₂基团任选地形成一或多个环；并且a是整数0到5，其中当a是0时，R₁不是氢。

7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的图案处理方法，其中所述第二单体是丙烯酸(C1到C3烷基或卤烷基)酯单体。

8.根据权利要求7所述的图案处理方法，其中所述第二单体具有以下通式(II)：

其中：R₃选自氢和C1到C3烷基或卤烷基；Ar选自任选地被取代的芳族基；并且Z₁是单键或是选自任选地被取代的脂肪族和芳香族基的隔离单元，和其组合，并且任选地包括一或多个选自-O-、-S-、-C(O)O-和-OC(O)-的连接部分。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的图案处理方法，其中所述第二嵌段进一步包含由第三单体形成的单元，所述第三单体包含烯系不饱和可聚合基团，并且所述第二单体与所述第三单体不同。

10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的图案处理方法，其中所述嵌段共聚物包含第三嵌段，其包含由第四单体形成的单元，所述第四单体包含烯系不饱和可聚合基团。

11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的图案处理方法，其中所述第一嵌段不含酸不稳定基团。

12.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的图案处理方法，其中所述嵌段共聚物是自由氟烷基。