曝光设备及曝光方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种曝光设备及曝光方法。

背景技术：

在显示技术领域，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)与有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示器等平板显示器已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

在TFT-LCD和AMOLED的制造过程中，会多次利用构图工艺。具体为，在涂有光刻胶的基板上方放置掩膜板(Mask)，然后利用曝光方法对基板进行曝光，具体的，曝光方法通过开启超高压水银灯发出紫外(UV)光线，将掩膜板上的图像信息转移到涂有光刻胶的基板表面上，基于掩膜板的图案，光刻胶会有被曝光的部分和未被曝光的部分。再利用显影液对光刻胶进行显影，即可去除光刻胶被曝光的部分，保留光刻胶未被曝光的部分(正性光刻胶)，或者去除光刻胶未被曝光的部分，保留光刻胶被曝光的部分(负性光刻胶)，从而使光刻胶形成所需的图形。

在实现上述利用掩膜板进行曝光的过程中，发明人发现现有技术中在使用曝光设备进行曝光时，大多是一个曝光腔内用一张掩膜板只能曝光一张基板，由此既增加了制造成本，也降低了生产效率。图1为现有技术中曝光设备的结构示意图及其曝光光路示意图，如图1所示，所述曝光设备包括用于承载基板60的平台(Plate Stage)51、设于所述平台51上方与所述平台51平行的掩膜板52、设于所述掩膜板52上方的曝光光源53，曝光过程中，基板60放置于平台51上，所述曝光光源53射出的光线从所述掩膜板52的上方垂直射到所述掩膜板52的上表面，穿过所述掩膜板52垂直射到所述平台51及放置于平台51上的基板60上。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种曝光设备，通过合理设置光路，在一次曝光制程中利用一个掩膜板可同时对两基板进行曝光，从而能够提高产能，节省掩膜板。

本发明的另一目的在于提供一种曝光方法，使用上述曝光设备，在一次曝光制程中利用一个掩膜板可同时对两基板进行曝光，从而能够提高产能，节省掩膜板。

为实现上述目的，本发明提供一种曝光设备，包括一掩膜板、设于所述掩膜板左侧下方的第一平台、设于所述掩膜板右侧下方的第二平台、设于所述掩膜板右侧上方的第一光源、及设于所述掩膜板左侧上方的第二光源；

所述第一平台、第二平台均用于承载基板；

所述第一光源射出的光线穿过所述掩膜板射到所述第一平台；

所述第二光源射出的光线穿过所述掩膜板射到所述第二平台。

所述掩膜板为水平设置；所述第一平台、第二平台均为相对水平面倾斜设置；

所述第一平台的上表面面向第一光源，所述第二平台的上表面面向第二光源。

所述第一光源与第二光源射出的光线均为平行光线；

所述第一光源射出的光线从所述掩膜板的上方倾斜射到所述掩膜板的上表面，穿过所述掩膜板垂直射到所述第一平台；

所述第二光源射出的光线从所述掩膜板的上方倾斜射到所述掩膜板的上表面，穿过所述掩膜板垂直射到所述第二平台。

所述第一平台与第二平台为左右对称设置；所述第一光源与第二光源为左右对称设置；

所述第一光源射出的光线从所述掩膜板的上方以入射角为θ1入射到所述掩膜板的上表面，所述第二光源射出的光线从所述掩膜板的上方以入射角为θ2入射到所述掩膜板的上表面，其中，θ1等于θ2。

所述的曝光设备，还包括容纳所述掩膜板、第一平台、第二平台、第一光源、及第二光源的曝光腔。

本发明还提供一种曝光方法，包括如下步骤：

步骤1、提供曝光设备、及两个基板，所述曝光设备包括一掩膜板、设于所述掩膜板左侧下方的第一平台、设于所述掩膜板右侧下方的第二平台、设于所述掩膜板右侧上方的第一光源、及设于所述掩膜板左侧上方的第二光源；将两个基板分别放置于第一平台、第二平台上；

步骤2、开启第一光源与第二光源，所述第一光源射出的光线穿过所述掩膜板射到放置于所述第一平台上的基板上；所述第二光源射出的光线穿过所述掩膜板射到放置于所述第二平台上的基板上。

所述掩膜板为水平设置；所述第一平台、第二平台均为相对水平面倾斜设置；

所述第一平台的上表面面向第一光源，所述第二平台的上表面面向第二光源。

所述步骤2中，所述第一光源与第二光源射出的光线均为平行光线；

所述第一光源射出的光线从所述掩膜板的上方倾斜射到所述掩膜板的上表面，穿过所述掩膜板垂直射到放置于所述第一平台上的基板上；

所述第二光源射出的光线从所述掩膜板的上方倾斜射到所述掩膜板的上表面，穿过所述掩膜板垂直射到放置于所述第二平台上的基板上。

所述第一平台与第二平台为左右对称设置；所述第一光源与第二光源为左右对称设置；

所述步骤2中，所述第一光源射出的光线从所述掩膜板的上方以入射角为θ1入射到所述掩膜板的上表面，所述第二光源射出的光线从所述掩膜板的上方以入射角为θ2入射到所述掩膜板的上表面，其中，θ1等于θ2。

所述曝光设备还包括容纳所述掩膜板、第一平台、第二平台、第一光源、及第二光源的曝光腔。

本发明的有益效果：本发明的曝光设备，包括一掩膜板、设于所述掩膜板左侧下方的第一平台、设于所述掩膜板右侧下方的第二平台、设于所述掩膜板右侧上方的第一光源、及设于所述掩膜板左侧上方的第二光源；所述第一平台、第二平台均用于承载基板；所述第一光源射出的光线穿过所述掩膜板射到所述第一平台；所述第二光源射出的光线穿过所述掩膜板射到所述第二平台；由于该曝光设备具有两个光源，使用该曝光设备进行曝光时，通过合理设置光路，便能够达到一个曝光腔内用一张掩膜板同时曝光两块基板的目的，从而能够提高产能，节省掩膜板。本发明的曝光方法，使用上述曝光设备，在一次曝光制程中利用一个掩膜板可同时对两基板进行曝光，从而能够提高产能，节省掩膜板。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。

附图中，

图1为现有一种曝光设备的结构示意图及其曝光光路示意图；

图2为本发明的曝光设备的结构示意图及本发明的曝光方法的示意图；

图3为本发明的曝光方法的流程示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图2，本发明首先提供一种曝光设备，包括一掩膜板110、设于所述掩膜板110左侧下方的第一平台121、设于所述掩膜板110右侧下方的第二平台122、设于所述掩膜板110右侧上方的第一光源131、设于所述掩膜板110左侧上方的第二光源132、及容纳所述掩膜板110、第一平台121、第二平台122、第一光源131、及第二光源132的曝光腔(未图示)。

其中，所述第一平台121、第二平台122均用于承载基板200；所述第一光源131射出的光线穿过所述掩膜板110射到所述第一平台121；所述第二光源132射出的光线穿过所述掩膜板110射到所述第二平台122。

具体地，所述掩膜板110为水平设置；所述第一平台121、第二平台122均为相对水平面倾斜设置；所述第一平台121的上表面面向第一光源131，所述第二平台122的上表面面向第二光源132。

具体地，所述第一光源131与第二光源132射出的光线均为平行光线。

具体地，所述第一光源131射出的光线从所述掩膜板110的上方倾斜射到所述掩膜板110的上表面，穿过所述掩膜板110倾斜或垂直射到所述第一平台121，优选垂直射到所述第一平台121；所述第二光源132射出的光线从所述掩膜板110的上方倾斜射到所述掩膜板110的上表面，穿过所述掩膜板110倾斜或垂直射到所述第二平台122，优选垂直射到所述第二平台122。

具体地，所述第一平台121与第二平台122为左右对称设置；所述第一光源131与第二光源132为左右对称设置。

具体地，所述第一光源131射出的光线从所述掩膜板110的上方以入射角为θ1入射到所述掩膜板110的上表面，所述第二光源132射出的光线从所述掩膜板110的上方以入射角为θ2入射到所述掩膜板110的上表面，其中，θ1等于θ2。

本发明的一种曝光设备具有两个光源，第一光源131与第二光源132，使用该曝光设备进行曝光时，通过合理设置光路，便能够达到一个曝光腔内用一张掩膜板同时曝光两块基板的目的，从而能够提高产能，节省掩膜板。

请参阅图3，基于以上曝光设备，本发明还提供一种曝光方法，包括如下步骤：

步骤1、提供曝光设备、及两个基板200，所述曝光设备包括一掩膜板110、设于所述掩膜板110左侧下方的第一平台121、设于所述掩膜板110右侧下方的第二平台122、设于所述掩膜板110右侧上方的第一光源131、设于所述掩膜板110左侧上方的第二光源132、及容纳所述掩膜板110、第一平台121、第二平台122、第一光源131、及第二光源132的曝光腔；将两个基板200分别放置于第一平台121、第二平台122上。具体地，所述掩膜板110为水平设置；所述第一平台121、第二平台122均为相对水平面倾斜设置；所述第一平台121的上表面面向第一光源131，所述第二平台122的上表面面向第二光源132。

具体地，所述基板200为涂覆有光刻胶层的基板。

具体地，所述第一平台121与第二平台122为左右对称设置；所述第一光源131与第二光源132为左右对称设置。

步骤2、如图2所示，开启第一光源131与第二光源132，所述第一光源131射出的光线穿过所述掩膜板110射到放置于所述第一平台121上的基板200上；所述第二光源132射出的光线穿过所述掩膜板110射到放置于所述第二平台122上的基板200上，从而在两个基板200的光刻胶层上曝光出所需图形。

具体地，所述步骤2中，所述第一光源131与第二光源132射出的光线均为平行光线。

具体地，所述第一光源131射出的光线从所述掩膜板110的上方倾斜射到所述掩膜板110的上表面，穿过所述掩膜板110倾斜或垂直射到放置于所述第一平台121上的基板200上，优选垂直射到放置于所述第一平台121上的基板200上；所述第二光源132射出的光线从所述掩膜板110的上方倾斜射到所述掩膜板110的上表面，穿过所述掩膜板110倾斜或垂直射到放置于所述第二平台122上的基板200上，优选垂直射到放置于所述第二平台122上的基板200上。

具体地，所述步骤2中，所述第一光源131射出的光线从所述掩膜板110的上方以入射角为θ1入射到所述掩膜板110的上表面，所述第二光源132射出的光线从所述掩膜板110的上方以入射角为θ2入射到所述掩膜板110的上表面，其中，θ1等于θ2。

综上所述，本发明的曝光设备包括一掩膜板、设于所述掩膜板左侧下方的第一平台、设于所述掩膜板右侧下方的第二平台、设于所述掩膜板右侧上方的第一光源、及设于所述掩膜板左侧上方的第二光源；所述第一平台、第二平台均用于承载基板；所述第一光源射出的光线穿过所述掩膜板射到所述第一平台；所述第二光源射出的光线穿过所述掩膜板射到所述第二平台；由于该曝光设备具有两个光源，使用该曝光设备进行曝光时，通过合理设置光路，便能够达到一个曝光腔内用一张掩膜板同时曝光两块基板的目的，从而能够提高产能，节省掩膜板。本发明的曝光方法，使用上述曝光设备，在一次曝光制程中利用一个掩膜板可同时对两基板进行曝光，从而能够提高产能，节省掩膜板。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。