1.一种多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，包括：可拆卸扣合的下盖板(1)和上盖板(2)；
所述下盖板(1)靠近所述上盖板(2)的一侧设有数个下卡槽(11)，所述上盖板(2)靠近所述下盖板(1)的一侧设有与数个下卡槽(11)一一对应的数个上卡槽(21)，所述数个下卡槽(11)和数个上卡槽(21)配合形成数个用于放置试验样品的样品容置空间(3)；
每一个上卡槽(21)和下卡槽(11)的中央均设有一镂空区(4)，所述镂空区(4)的尺寸小于待试验的试验样品的尺寸；
试验时，先将数个试验样品分别放置于数个样品容置空间(3)中，再将试验治具整体浸没到试验溶液中同时对数个试验样品进行试验。
2.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，还包括：设于每一个上卡槽(21)的边缘的数个上气路槽(22)、以及设于每一个下卡槽(11)的边缘的与所述数个上气路槽(22)一一对应的数个下气路槽(12)；
所述数个上气路槽(22)与数个下气路槽(12)分别对应扣合形成数个从试验治具的侧面延伸至样品容置空间(3)内的气路孔(5)；
试验完成后，通过所述气路孔(5)向样品容置空间(3)内的样品吹气，以吹干试验样品。
3.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)与所述上盖板(2)的材料为耐氢氟酸材料。
4.如权利要求3所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)与所述上盖板(2)的材料为聚四氟乙烯或聚丙烯。
5.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述数个上卡槽(21)和数个下卡槽(11)均阵列排布。
6.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)和上盖板(2)的形状、所述数个上卡槽(21)和数个下卡槽(11)的形状、以及镂空区(4)的形状均为矩形。
7.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述样品容置空间(3)的高度大于待试验的试验样品的厚度。
8.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)和上盖板(2)通过螺纹连接进行扣合。
9.如权利要求8所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)和上盖板(2)的四角均设有螺纹孔(6)，通过在所述螺纹孔(6)中拧入螺栓实现下盖板(1)和上盖板(2)之间的螺纹连接。