本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种曝光机。
背景技术:
在显示技术领域,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器,广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
在LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅)LCD和AMOLED(Active-matrix Organic Light-Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管显示器件)的制造过程中,会多次利用构图工艺。具体为,在涂有光刻胶的基板上方放置掩膜,然后利用曝光机对基板进行曝光,具体的,曝光机通过开启超高压水银灯发出UV紫外光线,将掩膜上的图像信息转移到涂有光刻胶的基板表面上,基于掩膜的图案,光刻胶会有被曝光的部分和未被曝光的部分。再利用显影液对光刻胶进行显影,即可去除光刻胶被曝光的部分,保留光刻胶未被曝光的部分(正性光刻胶),或者去除光刻胶未被曝光的部分,保留光刻胶被曝光的部分(负性光刻胶),从而使光刻胶形成所需的图形。
图1为现有技术中曝光机的结构示意图,如图1所示,曝光机包括用于承载基板50的曝光平台(Plate Stage)11、设于曝光平台两侧的导轨12、及设于所述曝光平台11上方的照明系统13,及设于照明系统13与曝光平台11之间的掩膜14,所述曝光平台11与导轨12滑动连接,所述曝光平台11可沿所述导轨12往复移动,曝光过程中,基板50放置于曝光机的曝光平台50上;由于基板50上光刻胶在曝光过程中会产生挥发,因此曝光室的顶棚上通常会设有过滤装置,通过产生向上的气流,将光刻胶的挥发物等杂质进行排出,但是顶棚上设置的过滤装置的过滤效果并不明显,如图1所示的曝光机为投影式的曝光机,掩膜14下方还设有光学镜组15,该照明系统13、掩膜14、及光学镜组15共同构成了投影系统18,对于投影式的曝光机,投影系统18产生包含图案信息的出射光对其下方的基板50进行曝光;那么该光刻胶的挥发物在向上排出的过程中很容易在光学镜组15上凝结雾化,从而容易造成产品Mura,严重时造成极小线宽曝光异常。另外曝光平台11在导轨12中作往复滑动以搬运基板50的过程中,曝光平台11与导轨12之间也会产生摩擦,因而不可避免地会产生摩擦屑等杂质颗粒(Particle),同样顶棚上设置的过滤装置并不能够有效将其排出,那么这些杂质颗粒会影响曝光制程的环境,导致产品良率的下降。
因此,有必要提供一种曝光机,以解决上述问题。
技术实现要素:
本发明的目的在于提供一种曝光机,设有过滤装置,过滤效果良好,能够为曝光制程提供良好的曝光环境,进而提高了产品良率。
为实现上述目的,本发明提供一种曝光机,包括用于承载基板的曝光平台、设于曝光平台两侧的平台导轨、及设于所述平台导轨上的偶数个过滤装置;
每一过滤装置包括过滤腔体,所述过滤腔体面向曝光平台的一侧面上设有进气口,背向曝光平台的一侧面上设有排放口;
所述偶数个过滤装置对称分布于所述曝光平台两侧;所述偶数个过滤装置通过在曝光平台两侧形成负压而产生向曝光平台外的气流,从而将废物排出。
每一过滤装置还包括设于过滤腔体内的滤芯。
每一过滤装置的排放口连接至真空负压管路,从而在曝光平台两侧形成负压。
每一过滤装置通过真空负压管路与用于对废物进行集中处理的厂务相连通,从而通过真空负压管路将废物输送到厂务。
每一过滤装置中,所述进气口与排放口在过滤腔体的相对两侧面上前后交错设置,所述滤芯在前后方向上对应位于所述进气口与排放口之间。
可选地,所述曝光机还包括设于所述曝光平台上方的照明系统、及设于所述照明系统与曝光平台之间的掩膜,所述照明系统用于提供一光束,所述掩膜具有图案信息,所述掩膜用于产生包含该图案信息的出射光对其下方的基板进行曝光。
可选地,所述曝光机为投影式曝光机,还包括投影系统,所述投影系统包括设于所述曝光平台上方的照明系统、设于所述照明系统与曝光平台之间光学镜组、及设于照明系统与光学镜组之间的掩膜;所述照明系统用于提供一光束,所述掩膜具有图案信息,所述投影系统用于产生包含该图案信息的出射光对其下方的基板进行曝光。
所述曝光平台与所述平台导轨滑动连接,所述曝光平台通过沿平台导轨往复运动对基板进行传输。
所述曝光平台包括承载部、及设于承载部两侧并连接于平台导轨侧面的滑动部。
本发明的有益效果:本发明提供的曝光机,包括用于承载基板的曝光平台、设于曝光平台两侧的平台导轨、及设于所述平台导轨上的偶数个过滤装置;所述偶数个过滤装置通过在曝光平台两侧形成负压而产生向曝光平台外的气流以将废物排出,与现有技术在曝光室顶棚设置过滤装置而产生向上的气流将废物排出的方式相比,本发明的曝光机,通过在平台导轨上设置过滤装置,产生接近水平的气流而将废物排出,能够有效避免光刻胶产生的挥发物在向上流动过程中凝结在基板上方的光学器件上而降低曝光精度的问题,且过滤装置与曝光制程中的废物发生源距离较近,能够有效将光刻胶产生的挥发物、以及曝光平台在平台导轨滑动过程中所产生的摩擦屑等杂质颗粒随该接近水平的气流排出,过滤效果良好,能够为曝光制程提供良好的曝光环境,进而提高了产品良率。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中,
图1为现有一种曝光机的结构示意图;
图2为本发明的曝光机为接触式曝光机时的结构示意图;
图3为本发明的曝光机为投影式曝光机时的结构示意图及过滤装置的俯视放大示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2,本发明提供一种曝光机,包括用于承载基板500的曝光平台110、设于曝光平台110两侧的平台导轨120、及设于所述平台导轨120上的偶数个过滤装置160;
每一过滤装置160包括过滤腔体161,所述过滤腔体161面向曝光平台110的一侧面上设有进气口162,背向曝光平台110的一侧面上设有排放口163;
所述偶数个过滤装置160对称分布于所述曝光平台110两侧;所述偶数个过滤装置160通过在曝光平台110两侧形成负压而产生向曝光平台110外的气流,从而将废物排出。
本发明的曝光机,与现有技术在曝光室顶棚设置过滤装置而产生向上的气流将废物排出的方式相比,通过在平台导轨120上设置过滤装置160,产生接近水平的气流而将废物排出,能够有效避免光刻胶产生的挥发物在向上流动过程中凝结在基板500上方的光学器件上而降低曝光精度的问题,且过滤装置160与曝光制程中的废物发生源距离较近,能够有效将光刻胶产生的挥发物、以及曝光平台110在平台导轨120滑动过程中所产生的摩擦屑等杂质颗粒随该接近水平的气流排出,过滤效果良好,能够为曝光制程提供良好的曝光环境,进而提高了产品良率。
具体地,在本实施例中,所述过滤装置160的数量为两个,该两个过滤装置160对称分布于所述曝光平台110两侧。
具体地,每一过滤装置160还包括设于过滤腔体161内的滤芯164。
具体地,每一过滤装置160的排放口163连接至真空负压管路170,从而在曝光平台110两侧形成负压,进而产生向基板500两侧流动的气流,通过过滤装置160中的滤芯164,将光刻胶产生的挥发物及摩擦屑等颗粒过滤掉。
具体地,每一过滤装置160通过真空负压管路170与用于对废物进行集中处理的厂务相连通,从而通过真空负压管路170将废物输送到厂务,即最终光刻胶产生的挥发物及摩擦屑等颗粒通过真空负压管路170被排出到厂务。
具体地,每一过滤装置160中,所述进气口162与排放口163在过滤腔体161的相对两侧面上前后交错设置,所述滤芯164在前后方向上对应位于所述进气口162与排放口163之间。
具体地,所述曝光平台110与所述平台导轨120滑动连接,所述曝光平台110通过沿平台导轨120往复运动对基板500进行传输。
具体地,所述曝光平台110包括承载部111、及设于承载部111两侧并连接于平台导轨120侧面的滑动部112。
具体地,如图2所示,本发明的曝光机可以为接触式曝光机,还包括设于所述曝光平台110上方的照明系统130、及设于所述照明系统130与曝光平台110之间的掩膜140,所述照明系统130用于提供一光束,所述掩膜140具有图案信息,所述掩膜140用于产生包含该图案信息的出射光对其下方的基板500进行曝光。或者,
如图3所示,本发明的曝光机也可以为投影式曝光机,还包括投影系统180,所述投影系统180包括设于所述曝光平台110上方的照明系统130、设于所述照明系统130与曝光平台110之间光学镜组150、及设于照明系统130与光学镜组150之间的掩膜140;所述照明系统130用于提供一光束,所述掩膜140具有图案信息,所述投影系统180用于产生包含该图案信息的出射光对其下方的基板500进行曝光。
综上所述,本发明提供的曝光机,包括用于承载基板的曝光平台、设于曝光平台两侧的平台导轨、及设于所述平台导轨上的偶数个过滤装置;所述偶数个过滤装置通过在曝光平台两侧形成负压而产生向曝光平台外的气流以将废物排出,与现有技术在曝光室顶棚设置过滤装置而产生向上的气流将废物排出的方式相比,本发明的曝光机,通过在平台导轨上设置过滤装置,产生接近水平的气流而将废物排出,能够有效避免光刻胶产生的挥发物在向上流动过程中凝结在基板上方的光学器件上而降低曝光精度的问题,且过滤装置与曝光制程中的废物发生源距离较近,能够有效将光刻胶产生的挥发物、以及曝光平台在平台导轨滑动过程中所产生的摩擦屑等杂质颗粒随该接近水平的气流排出,过滤效果良好,能够为曝光制程提供良好的曝光环境,进而提高了产品良率。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。