本发明涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种减缓铝腐蚀的显影液。
背景技术：
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过曝光后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显影后，留下光照部分形成图形。
因为光刻胶的显影要在基材上完成，所以显影液会接触基材，但目前市场上大部分显影液存在腐蚀金属铝基材较快、显影均匀性较差、显影不洁、未曝光区域损失较大或显影液泡沫较多等问题，导致产品成品率低。
本发明就是为了提供一种新的显影液来解决以上问题。
技术实现要素：
本发明的主要目的在于提供一种减缓铝腐蚀的显影液。
本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种减缓铝腐蚀的显影液，其配方包括：1-10wt％氢氧化季铵，0.1-10wt％缓蚀剂，0.01-3wt％表面活性剂以及余量的去离子水。
具体的，所述氢氧化季铵至少包括四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、甲基三丙基氢氧化铵、丁基三甲基氢氧化铵、甲基三丁基氢氧化铵、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、(2-羟基乙基)三乙基氢氧化铵、(3-羟基丙基)三乙基氢氧化铵、氢氧化四乙醇铵、苯基三甲基氢氧化铵、苯甲基三甲基氢氧化铵中的一种。
具体的，所述表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲基醚聚合物、环氧乙烷/环氧丙烷共聚物、四甲基癸炔二醇、缩水甘油醚封端炔二醇乙氧基化物中的一种。
进一步的，所述缓蚀剂为占显影液总重2-10wt％的木糖醇。
进一步的，所述缓蚀剂为占显影液总重0.1-4wt％的硅酸乙酯。
采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：
本发明对铝基材的腐蚀速度慢，不形成泡沫，显影干净，未曝光区域损失更小。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
一种减缓铝腐蚀的显影液，其配方包括：1-10wt％氢氧化季铵，0.1-10wt％缓蚀剂，0.01-3wt％表面活性剂以及余量的去离子水。
实施例1～10：
按照表1的配方配制显影液。
表1：
注：表1内总配比不到100wt％的部分均为去离子水。
以现有市面上买到的含四甲基氢氧化铵的显影液作为对照例，同实施例1～15制得的显影液进行对比。
检测方法为：
①取厚度为0.5μm的铝片，浸入以上显影液中，观察现象和完全溶解的时间。
②在铝基材上滴加显影液，20min过后洗去显影液，观察显影表面、测量厚度最大误差以及未曝光区域厚度损失。
结果如下：
表2：
从表2所示的测试结果可以看出，本显影液对铝的腐蚀速度相比现有显影液有明显降低，也不会因为腐蚀而产生大量泡沫。显影过后表面比较干净，显影均匀性比较好，且对未曝光部分铝基材的腐蚀液比较小。因此相比于原技术，本方案效果更佳。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。