利用低温制程的原位EUV收集器清洗的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及利用低温制程的原位EUV收集器清洗，其揭示利用低温制程及磁阱进行原位EUV收集器清洗的方法及装置。实施例包括提供包括反射表面的光源收集器；向该收集器的表面施加冷却剂，以加速该反射表面上的污染物的特性转换；向该反射表面施加清洁剂，以去除该转换后的污染物；以及将该去除的污染物移至远离该反射表面的收集舱。

技术研发人员：E·R·霍斯勒
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
技术研发日：2017.03.07
技术公布日：2017.09.15