技术特征：
技术总结
本发明公开了一种利用电场操控空穴分布制造闪耀光栅的方法，包括以下步骤：（1）对硅片进行浸泡亲水处理，冲洗，吹干，烘干；去除硅片表面残留的有机物；经过匀胶、显影、溅射、剥离半导体工艺获得图形化的金属薄膜，配置刻蚀溶液，在水浴中制备闪耀光栅；（2）通过调节两个电场极板之间的夹角来调控闪耀光栅的闪耀角大小；通过改变电场强度调控空穴在硅片中的分布梯度；通过交替使用两个电场获取齿状槽型。本发明具备控制精确、成本低、工艺简单、经济性好以及制备周期短等优点。
技术研发人员：刘红忠;陈邦道;史永胜;尹磊
受保护的技术使用者：常州瑞丰特科技有限公司
技术研发日：2017.06.27
技术公布日：2017.09.22