光刻工艺热点的整合方法与流程

本发明涉及光刻技术领域，尤其涉及一种光刻工艺热点的整合方法。

背景技术：

版图光刻工艺热点检测是可制造性设计(designformanufacture，dfm)中的一项重要技术。通常使用光学模型、光阻模型、光学邻近修正程序以及光刻工艺热点检测规则组成套件对设计图形进行光刻友善行检查(lithographyfriendlycheck，lfc)，产生工艺热点标记以及硅片模拟图形。其中，我们需要对设计图形先进行光学邻近修正，然后进行工艺窗口范围内的图形模拟，预测工艺窗口范围内的模拟图形大小，并对此进行规则检查，找到违反规则的设计位置。

但随着技术节点的推进，集成电路的设计版图数据量变得越来越大，光刻工艺热点数量也越来越多，检查时间变得越来越长。为了准确且快速的定位光刻工艺热点，设计者需要制造者提供版图图形热点库(patternmatchingdatabase，pmdb)。基于图形热点库的图形匹配的方式是目前业界公认最快的版图热点查找方式。对于制造者而言，需要一种有效的版图热点收集方法流程。这种方法流程能够将数以千万计的版图工艺热点进行归类压缩。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种光刻工艺热点的整合方法，有利于对设计版图进行检查。

为了实现上述目的，本发明提供一种光刻工艺热点的整合方法，包括：

提供具有多个光刻工艺热点的图形库；

以所述光刻工艺热点为中心，截取每个所述光刻工艺热点对应图形的部分区域，形成初级热点图形库；

定义整合规则，去除所述初级热点图形库中的相同图形或相近图形，将所述初级热点图形库整合成未压缩的中级热点图形库；

定义压缩规则，设定约束条件、归类相似图形，将所述中级热点图形库压缩为高级热点图形库。

可选的，截取每个所述光刻工艺热点对应图形大小相同的部分区域。

可选的，以所述光刻工艺热点为中心，截取每个所述光刻工艺热点对应图形的正方形区域。

可选的，所述正方形的边长为0.4微米～0.8微米。

可选的，所述相同图形为经过旋转和/或镜像后可完全重合的两个图形。

可选的，所述旋转的角度包括90°、180°、270°。

可选的，所述相近图形为填充小角区域后可判定为相同图形的两个图形。

可选的，所述小角区域的宽度小于2～3个存储单元的宽度。

可选的，所述相似图形为通过整体图形移动或部分边移动后可判定为相同图形的两个图形。

与现有技术相比，本发明的光刻工艺热点的整合方法具有以下有益效果：

本发明中，在大批量的测试产品中建立对应的初级热点图形库，通过设定一定的整合规则，将初级热点图形库整合为未压缩的中级热点图形库，最后根据热点的实际特征设定热点库压缩规则，生成压缩版的高级热点图形库，最终产生的压缩版高级热点图形库匹配精度不下降，热点无遗漏。此外，本发明能够将热点图形库中数以千万计的热点通过整合压缩，最终生成热点数量在千级以内的图形库，减少热点数量，便于热点的进一步有效管理。

附图说明

图1为本发明一实施例中光刻工艺热点的整合方法的流程图；

图2为本发明一实施例中截取的部分区域的示意图；

图3为本发明一实施例中相同图形的判断示意图；

图4为本发明一实施例中相近图形的判断示意图；

图5为本发明一实施例中图形整体移动压缩规则的示意图；

图6为本发明一实施例中图形单边移动压缩规则的示意图；

图7为本发明一实施例中热点整合的过程示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的光刻工艺热点的整合方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于，提供一种光刻工艺热点的整合方法，包括：提供具有多个光刻工艺热点的图形库；以所述光刻工艺热点为中心，截取每个所述光刻工艺热点对应图形的部分区域，形成初级热点图形库；定义整合规则，去除所述初级热点图形库中相同或相近的图形，将所述初级热点图形库整合成未压缩的中级热点图形库；定义压缩规则，设定约束条件、归类相似图形，将所述中级热点图形库压缩为高级热点图形库。本发明中，最终产生的压缩版高级热点图形库匹配精度不下降，热点无遗漏。此外，本发明能够将热点图形库中数以千万计的热点通过整合压缩，最终生成热点数量在千级以内的图形库，减少热点数量，便于热点的进一步有效管理。

以下结合附图对本发明光刻工艺热点的整合方法进行具体说明。参考图1中所示，本发明的光刻工艺热点的整合方法包括如下步骤：

执行步骤s1，提供具有多个光刻工艺热点的图形库。

执行步骤s2，以所述光刻工艺热点为中心，截取每个所述光刻工艺热点对应图形的部分区域，形成初级热点图形库。参考图2所示，以所述光刻工艺热点为中心，截取每个所述光刻工艺热点对应图形的正方形区域，其中，所述正方形的边长为2r，例如边长为0.4微米～0.8微米。在本发明中，截取每个所述光刻工艺热点对应图形大小相同的部分区域，即截取每个所述光刻工艺热点对应图形的正方形区域的边长相等。

执行步骤s3，定义整合规则，去除所述初级热点图形库中的相同图形或相近图形，将所述初级热点图形库整合成未压缩的中级热点图形库。

本发明中，所述相同图形为经过旋转和/或镜像后可完全重合的两个图形。所述旋转的角度包括90°、180°或270°。参考图3所示，分别示意了r0°图像旋转后产生的r90°、r180°、r270°图像，y轴镜象myr0°及镜象加旋转产生myr90°、myr180°、myr270°图像，即通过旋转或镜象后能重合的两个光刻工艺热点对应的图形完全可视为同一光刻工艺热点图形。

而本发明中的所述相近图形为填充小角区域后可判定为相同图形的两个图形。参考图4所示，左图与右图为两个光刻工艺热点图形，唯一的差异在于右图中401处缺少一个小角区域，这个小角区域的宽度小于2～3个存储单元(cell)的宽度。由于缺失的小角区域的缺失宽度十分小，在光刻成像后，完全可以忽略其带来的影响，所以这样的两个热点图形完全可以整视为极为相近的图形。进一步的，相近图形经过旋转和/或镜像后可完全重合的两个图形，从而相近图形可以整合为一个图形。

执行步骤s4，定义压缩规则，设定约束条件、归类相似图形，将所述中级热点图形库压缩为高级热点图形库。本发明中，所述相似图形为通过整体图形移动或部分边移动后可判定为相同图形的两个图形。参考图5所示，热点图形501若通过矢量a整体移动产生虚线图形502，可以判定图形501、502为两个相似的热点，可做进一步压缩。此外，参考图6所示，图形601可通过适当移动单边距离为b，c得到图形602或603这样的图形也可判定为相似图形，可做进一步压缩。

以图7为例进行说明，首先，提供具有光刻工艺热点的图形库，以所述光刻工艺热点为中心，截取每个所述光刻工艺热点对应图形的部分区域，形成初级热点图形库，包括图形701、702、703。

接着，定义整合规则，将图形701、702及703所组成的初级热点图形库进行进一步整合。其中，图形701、703差异在于703缺少一个小角，而这样的小角对应到实际的曝光过程完全可以忽略，因此所述701、703可以判定为相近图形，图形701、703对应到热点图形704，702保持不变为705，因此，图形704、705即组成为整合后的中级热点图形库。

进一步的，定义压缩规则，设定约束条件、归类相似图形，将所述中级热点图形库压缩为高级热点图形库。其中，图形704与705的差异在于704的右图宽度为d，而705为e，其余部分均相同，如设定右图形的宽度变化范围为d～e，则可判定704、705为相似图形，将图形704、705经过压缩形成706，形成高级热点图形库，且706的右图形宽度的范围为d～e。

综上所述，本发明提供光刻工艺热点的整合方法，在大批量的测试产品中建立对应的初级热点图形库，通过设定一定的整合规则，将初级热点图形库整合为未压缩的中级热点图形库，最后根据热点的实际特征设定热点库压缩规则，生成压缩版的高级热点图形库，最终产生的压缩版高级热点图形库匹配精度不下降，热点无遗漏。此外，本发明能够将热点图形库中数以千万计的热点通过整合压缩，最终生成热点数量在千级以内的图形库，减少热点数量，便于热点的进一步有效管理。。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。