一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置及方法与流程

文档序号:23627343发布日期:2021-01-12 10:40阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置,其特征在于:所述的一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置包括机架、底板、加热装置、压印装置、涂胶装置一、涂胶装置二、热处理装置、放卷辊一、放卷辊二、收卷装置,其中机架通过螺钉连接在底板上,涂胶装置一和涂胶装置二均通过螺钉固定在机架上,压印装置通过轴承配合在机架上,加热装置通过螺钉固定于机架上,热处理装置通过螺钉固定于机架上,放卷辊一、放卷辊二和收卷装置均通过轴承配合在机架上。

2.根据权利要求1中所述的一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置,其特征在于:所述的加热装置包括加热辊一、加热辊二和加热辊三,其中加热辊一、加热辊二和加热辊三均通过螺钉固定在机架上,且都可以调节温度。

3.根据权利要求1中所述的一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置,其特征在于:所述的压印装置包括压印辊一、压印辊二、压印辊三、衬底一、衬底二、支撑辊、伺服电机一、伺服电机二、伺服电机三,其中压印辊一、压印辊二、压印辊三和支撑辊均通过轴承配合在机架上,衬底一由放卷辊一放出,衬底二由放卷辊二放出,伺服电机一通过螺钉固定在机架上,且伺服电机一与压印辊一连接,伺服电机二通过螺钉固定在机架上,且伺服电机二与压印辊二连接,伺服电机三通过螺钉固定在机架上,且伺服电机三与压印辊三连接。

4.根据权利要求3中所述的一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置,其特征在于:所述的压印辊一、压印辊二上分别有微纳结构不同的模板图案,其中压印辊一上的模板一为纵向光栅结构,压印辊二上的模板二为横向光栅结构。

5.根据权利要求1中所述的一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置,其特征在于:所述的涂胶装置一包括涂胶箱一和涂胶辊一,其中涂胶辊一通过轴承配合于涂胶箱一上,涂胶箱一与机架通过螺钉连接,涂胶箱一中有光刻胶。

6.根据权利要求1中所述的一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置,其特征在于:所述的涂胶装置二包括涂胶箱二和涂胶辊二,其中涂胶辊二通过轴承配合于涂胶箱二上,涂胶箱二与机架通过螺钉连接,涂胶箱二中有光刻胶。

7.根据权利要求1中所述的一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置,其特征在于:所述的热处理装置包括热处理装置一和热处理装置二,其中热处理装置一和热处理装置二均可以调节温度,热处理装置一和热处理装置二均通过螺钉固定于机架上。

8.根据权利要求1中所述的一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置,其特征在于:所述的收卷装置包括收卷辊一、收卷辊二、伺服电机四,伺服电机五,收卷辊一、收卷辊二通过轴承配合在机架上,伺服电机四通过螺钉固定在机架上,且伺服电机四与收卷辊一连接,伺服电机五通过螺钉固定在机架上,且伺服电机五与收卷辊二连接。

9.根据权利要求1-8所述的一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置的压印方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)首先收卷辊一卷收衬底一,带动放卷辊一放出衬底一,涂胶装置一将压印胶苄基硫醇钯均匀涂抹到衬底一表面,涂完胶之后衬底一移动到压印辊一正下方,压印辊一随着衬底一移动同步旋转,使压印辊一表面的图案转移到衬底一表面的压印胶上,随后衬底一通过热处理装置一并对衬底一进行250℃高温处理一小时,使苄基硫醇钯光栅转化为金属钯光栅;

(2)在衬底一开始运动的同时,同步放出衬底二,衬底二通过涂胶装置二,涂胶装置二将压印胶苄基硫醇钯均匀涂抹到衬底二表面,涂完胶之后衬底二移动到压印辊二正下方,压印辊二随着衬底二移动同步旋转,使压印辊二表面的图案转移到衬底二表面的压印胶上;

(3)衬底二经过压印辊三翻转后与衬底一上下交叠,加热辊三将衬底一与衬底二加热至130℃,压印辊三施加向下的25pa压力,对其进行压印,衬底二表面的苄基硫醇钯光栅脱离衬底二粘附到衬底一的光栅上,随后衬底一通过热处理装置二,热处理装置二对衬底一进行250℃高温处理一小时,使上层的苄基硫醇钯光栅也转化为金属钯光栅,得到超疏水微结构;

(4)伺服电机四带动收卷辊一将带有微结构的衬底一卷起,伺服电机五带动收卷辊二将衬底二卷起。


技术总结
一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置及方法摘要一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置及方法,首先利用涂胶装置一、涂胶装置二将压印胶苄基硫醇钯均匀涂抹到衬底一、衬底二表面,然后压印装置一、压印装置二分别对衬底一、衬底二进行压印得到带有纵向光栅结构的衬底一、带有横向光栅结构的衬底二,对衬底一进行高温处理一小时使苄基硫醇钯光栅转化为金属钯光栅,然后在压印装置三的作用下横向光栅脱离衬底二,并粘附到纵向光栅上形成叠堆结构,再进行一小时的高温处理使横向苄基硫醇钯光栅转化为金属钯光栅,得到超疏水微结构。本发明通过使用辊对辊压印,使用纳米压印与化学相结合的方法制备超疏水微结构,可轻易制备出复合结构,避免衬底多次取放,减少制备时间与对准误差,成本大大降低。

技术研发人员:谷岩;林洁琼;陈斯;徐贞潘;颜家瑄;康洺硕;戴得恩;徐宏宇;李先耀;张昭杰;易正发;冯开拓;刘骜;卢发祥;段星鑫
受保护的技术使用者:长春工业大学
技术研发日:2019.07.10
技术公布日:2021.01.12
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1