一种高对比度粗笔迹手写膜的制作方法

本实用新型涉及手写膜技术领域，具体涉及一种能用于40-100寸且高对比度的粗笔迹手写膜。

背景技术：

手写膜为两层带导电层的基材中间灌有在外场(如光、热等)下可聚合的混配单体或预聚物、液晶及相关的液晶组合物(手性掺杂剂\旋光剂)，该液晶组合物主要用于调节胆甾相液晶的螺距以达到调节其布拉格反射的效果，具体是利用液晶在不同稳态的可见光反射率差异来显示笔迹。

将手写膜接入刷新电路刷新后，胆甾相液晶处于稳态fc态，给手写膜施加压力时，胆甾相液晶将翻转到稳态p态。处于p态的液晶对特定波段的光拥有较高反射率，通过调节胆甾相液晶的螺距调节其中心反射波长。具体结构及原理如图2所示。

常规的聚合物分散液晶手写膜生产流程为：涂布、分相固化成膜后直接进行后续的成品加工。目前8寸或10寸的手写膜均采用方块电阻为550±50ω的ito导电膜，58寸及以上手写膜，考虑到电压衰减及电源驱动问题，一般需采用方块电阻150±50ω的ito导电膜，然而150±50ω的ito导电膜的透过率较低，且导电膜反射率非常强，这将会造成手写膜h态黑度不够，从而降低手写膜的对比度。

纳米银导电膜具备低阻高透特性，采用纳米银导电膜能解决大尺寸手写膜刷新问题，且对比度相对较好。目前很多手写膜厂家直接将纳米银导电膜应用于手写膜上，刚开始性能很优异，但时间一长就碰到各种问题，原因是纳米银导电膜通常由纳米银线层和oc胶层组成，oc胶层通常是丙烯酸低聚物，而双稳态手写膜的聚合物液晶层的胶层通常也是丙烯酸树脂，这两种材料在某种条件下会发生反应或相互迁移，从而造成质量不稳定。因此要想保证纳米银导电膜式手写膜的稳定性，需确保聚合物液晶层与银纳米导电膜的oc胶层的相对稳定性及独立性，由于手写膜各家的pdlc配方及材料都不同，且不说材料匹配难度本来就很大，另外对纳米银导电膜厂家来说，不可能为每一家客户都定制开发，因此，若想将纳米银导电膜应用于手写膜且保证其优异的耐候性，需要找到一种更简单和通用的方法。

技术实现要素：

本实用新型的目的是解决现有技术的不足，提供一种能用于40-100寸且高对比度的粗笔迹手写膜。

本实用新型所采用的技术方案是：

一种高对比度粗笔迹手写膜，包括依次设置的透明纳米银导电膜、第一阻挡层、聚合物液晶层、第二阻挡层和不透明黑色纳米银导电膜；

所述的透明纳米银导电膜包括依次设置的pet透明基膜、第一纳米银线层和第一oc胶层(丙烯酸低聚物)；第一oc胶层的下表面与第一阻挡层的上表面贴合；

所述的不透明黑色纳米银导电膜包括依次设置的第二oc胶层、第二纳米银线层和pet不透明黑色基膜；第二oc胶层的上表面与第二阻挡层的下表面贴合。

所述第一阻挡层和第二阻挡层为二氧化硅层或氮化硅层；其中二氧化硅层的使用效果最佳，第一阻挡层和第二阻挡层很好的解决了纳米银导电膜材料与聚合物液晶材料反应问题，有利于提高各层之间的附着力。

优选的，所述的pet透明基膜为pet透明磨砂基膜。

优选的，所述透明纳米银导电膜的方块电阻为30-100ω，雾度为25±5％，透过率＞86％。

优选的，所述的不透明黑色纳米银导电膜的方块电阻为30-100ω。该透明纳米银导电膜和不透明黑色纳米银导电膜的低方块电阻，能满足40-100手写膜的电压衰减和电源驱动的要求。

优选的，所述的透明纳米银导电膜的厚度为120-130μm；所述的不透明黑色纳米银导电膜的厚度为180-190μm。

优选的，所述的第一阻挡层和第二阻挡层的厚度为10-100nm。

优选的，所述的第一阻挡层和第二阻挡层采用涂布或溅射镀膜方式制备而成。

优选的，所述的聚合物液晶层由液晶组合物制成，所述聚合物液晶层厚度为3-6μm。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点：

(1)本实用新型采用纳米银导电膜替代ito膜作为粗笔迹手写膜的电极，解决了底色泛蓝，对比差的问题。本实用新型的手写膜笔迹3-6mm，对比度高、附着力好，40-100寸均能实现正常刷新。

(2)本实用新型在纳米银导电膜上增加一层阻挡层，该阻挡层可以有效防止聚合物液晶层与纳米银线层接触，不仅提高了附着力，同时使手写膜的耐候性较佳。

附图说明

图1是本实用新型手写膜的结构示意图。

图2是手写膜结构及原理的示意图。

图中标号所示为：

1-透明纳米银导电膜、11-pet透明磨砂基膜、12-第一纳米银线层、13-第一oc胶层、2-第一阻挡层、3-聚合物液晶层、4-第二阻挡层、5-不透明黑色纳米银导电膜、51-第二oc胶层、52-第二纳米银线层、53-pet不透明黑色基膜。

具体实施方式：

为加深本实用新型的理解，下面将结合实施案例和附图对本实用新型作进一步详述。本实用新型可通过如下方式实施：

参照图1，本实用新型的高对比度粗笔迹手写膜，从上至下依次为pet透明磨砂基膜11、第一纳米银线层12、第一oc胶层13、第一阻挡层2、聚合物液晶层3、第二阻挡层4、第二oc胶层51、第二纳米银线层52、pet不透明黑色基膜53。

本实用新型的手写膜的制备方法包括以下步骤：

步骤一：选用厚度为125μm厚的透明纳米银导电膜，方阻为50ω，雾度为25％，透过率为89％；

步骤二：选用厚度为188μm厚的不透明黑色纳米银导电膜，方阻为50ω；

步骤三：用磁控溅射的方式在透明纳米银导电膜和不透明黑色纳米银导电膜镀上二氧化硅层，厚度为30nm；

步骤四：配制液晶组合物。

步骤五：用卷对卷连续式贴合固化设备，将其生产为手写膜；其具体结构如图1所示，

步骤六：制作电极，进行测试。

性能测试

采用实施例制备的手写膜与常规的手写膜做性能对比测试(其中对比样1为采用无阻挡层的纳米银导电膜制成的58寸手写膜，对比样2为采用150±50ωito导电膜制成的58寸手写膜，其中三种手写膜所用的pdlc是一致的)。测试结果如下表所示：

测试结论：从上表测试结果可以看出，本实施例的黑态反射率明显低于对比样1和对比样2，对比度明显高于对比样1和对比样2。因此，本实用新型的手写膜，对比度高、附着力好，40-100寸均能实现正常刷新，适合广泛应用和推广。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。