一种基于增亮阻隔膜的背光模组的制作方法

文档序号:22081360发布日期:2020-09-01 19:28阅读:397来源:国知局
一种基于增亮阻隔膜的背光模组的制作方法

本发明涉及增亮阻隔膜技术领域,特别涉及一种基于增亮阻隔膜的背光模组。



背景技术:

近年来,量子点背光技术作为液晶显示技术新的突破,受到广泛业内人士的关注,经过多年研究学者的付出,开发出嵌入量子点的光学薄膜,并成功应用于lcd背光源,其阻隔膜的增亮是目前科学界所研究的重点。

现有的阻隔膜色域不够饱满、光源雾化能力低、光扩散性能弱以及发光效率低等不足,传统的阻隔膜性能已经无法满足有机电致发光器件的显示,存在一定的局限性,为此,我们提出一种基于增亮阻隔膜的背光模组。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种基于增亮阻隔膜的背光模组,现有的阻隔膜色域不够饱满、光源雾化能力低、光扩散性能弱以及发光效率低等不足,传统的阻隔膜性能已经无法满足有机电致发光器件的显示的问题。

为解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:

本发明为一种基于增亮阻隔膜的背光模组,包括有背光模组,所述背光模组包括液晶面板、偏光片、增亮膜、量子点膜以及导光板,所述液晶面板厚度为1-1.3mm,所述偏光片厚度为1mm,所述偏光片安装于液晶面板一表面,所述增亮膜厚度为20-50μm,所述量子点膜膜厚为300-400μm,所述导光板厚度为4mm。

优选地,所述液晶面板可视角度为180°,对比度为700:1。

优选地,所述偏光片一表面涂覆压敏胶,所述压敏胶厚度为100μm。

优选地,所述增亮膜材料为丙烯酸树脂,所述增亮膜材料制备过程为:将丙烯酸与9,9-双[4-(2-羟乙氧基)苯基]芴按照1:1.25的比例缓缓加入反应釜中,边加边搅拌,反应温度为20-30℃,得到丙烯酸树脂单体,将丙烯酸树脂单体涂覆在高分子胶黏剂上,将丙烯酸树脂单体放入马弗炉中进行烘培,烘培温度为80-180℃,烘焙时间为3h,烘培后将其在室温下自然冷却,得到增亮膜,所述增亮膜在20℃时折射率为1.50-1.51。

优选地,所述量子点膜包括扩散层、高阻隔膜以及量子点膜发光层,若干所述高阻隔膜分别安装于与量子点膜发光层两表面,所述扩散层安装在高阻隔膜一表面。

优选地,所述扩散层厚度为5μm,雾度值为62%,具有光扩散性能。

优选地,所述高阻隔膜水蒸气透过率为10-2-10-4g/m2·day,透光率为95%,黄度值小于1。

优选地,所述量子点膜发光层材料为cdse/cds,所述量子点膜发光层的配制过程为:将cdse/cds通过分散筛均匀分散于环氧树脂聚合物中,所述环氧树脂聚合物包括甲基丙烯酸酯聚合物和光引发剂,通过刮刀式涂布机将有cdse/cds分散的环氧树脂聚合物涂布于阻隔膜之间,通过uv固化和热固化配合完成得到量子点膜发光层。

优选地,所述导光板导光匀度为93%-95%。

与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:

本发明中,通过设置偏光片,可以实现饱满色域的目的;通过设置增亮层,可以实现增加发光效率的目的;通过设置量子点膜发光层增加光源雾化能力以及光扩散性能。

附图说明

图1为本发明背光模组的整体结构示意图;

图2为本发明量子点膜结构示意图;

图3为本发明一较佳实施例的结构示意图。

图中:100、背光模组;110、液晶面板;120、偏光片;130、增亮膜;140、量子点膜;141、扩散层;142、高阻隔膜;143、量子点膜发光层;150、导光板。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。

在本发明的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置有”、“连接”等,应做广义理解,例如“连接”,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

实施例一:

请参照图1—2所示,本发明为一种基于增亮阻隔膜的背光模组,包括有背光模组100,背光模组100包括液晶面板110、偏光片120、增亮膜130、量子点膜140以及导光板150,液晶面板110厚度为1-1.3mm,偏光片120厚度为1mm,偏光片120安装于液晶面板110一表面,增亮膜130厚度为20-50μm,量子点膜140膜厚为300-400μm,导光板150厚度为4mm。

进一步地,液晶面板110可视角度为180°,对比度为700:1。

进一步地,偏光片120一表面涂覆压敏胶,压敏胶厚度为100μm。

进一步地,增亮膜130材料为丙烯酸树脂,增亮膜130材料制备过程为:将丙烯酸与9,9-双[4-(2-羟乙氧基)苯基]芴按照1:1.25的比例缓缓加入反应釜中,边加边搅拌,反应温度为20-30℃,得到丙烯酸树脂单体,将丙烯酸树脂单体涂覆在高分子胶黏剂上,将丙烯酸树脂单体放入马弗炉中进行烘培,烘培温度为80-180℃,烘焙时间为3h,烘培后将其在室温下自然冷却,得到增亮膜130,增亮膜130在20℃时折射率为1.50-1.51。

进一步地,量子点膜140包括扩散层141、高阻隔膜142以及量子点膜发光层143,若干高阻隔膜142分别安装于与量子点膜发光层143两表面,扩散层141安装在高阻隔膜142一表面。

进一步地,扩散层141厚度为5μm,雾度值为62%,具有光扩散性能。

进一步地,高阻隔膜142水蒸气透过率为10-2-10-4g/m2·day,透光率为95%,黄度值小于1。

进一步地,量子点膜发光层143材料为cdse/cds,量子点膜发光层(143)的配制过程为:将cdse/cds通过分散筛均匀分散于环氧树脂聚合物中,环氧树脂聚合物包括甲基丙烯酸酯聚合物和光引发剂,通过刮刀式涂布机将有cdse/cds分散的环氧树脂聚合物涂布于阻隔膜之间,通过uv固化和热固化配合完成得到量子点膜发光层143。

进一步地,导光板150导光匀度为93%-95%。

实施例二:

请参照图3所示,本发明为一种基于增亮阻隔膜的背光模组,图3是强度为i0的光照入射背光模组100示意图,入射光强度i0射入导光板,此时,介质吸收光的强度ia越大,则透过光的强度it越小。用it/i0表示光线透过介质的能力,称为透光率,以t表示,即t=it/i0。透光率的数值为百分数,取值范围为0-100%。如果光被介质全部吸收,it=0,t=0。而若光全透,则it=i0,t=100%。透光率的倒数反映了介质对光的吸收程度。为了便于计算,取透光率倒数的对数作为吸光度,用a来表示,即a=ig(1/t)=lg(i0/it)反射即为由于分子结构排列及结晶性、结晶度等原因,使入射光线从聚合物表面反射出来导致透过光量损失,透光率下降。反射程度用反射率r表示,计算公式为:r=(n-1)2/(n+1)2×100%,式中,n是测试介质材料的折射率。本发明增亮膜130的n=1.5,则r=4.0%,说明反射率小,透光率大,透明性好。

实施例三:

针对于本发明一种基于增亮阻隔膜的背光模组,选用本发明的背光模组100,其中液晶面板110可视角度为180°,对比度为700:1,偏光片120一表面涂覆压敏胶,压敏胶厚度为100μm,增亮膜130材料为丙烯酸树脂,增亮膜130材料制备过程为:将丙烯酸与9,9-双[4-(2-羟乙氧基)苯基]芴按照1:1.25的比例缓缓加入反应釜中,边加边搅拌,反应温度为20-30℃,得到丙烯酸树脂单体,将丙烯酸树脂单体涂覆在高分子胶黏剂上,将丙烯酸树脂单体放入马弗炉中进行烘培,烘培温度为80-180℃,烘焙时间为3h,烘培后将其在室温下自然冷却,得到增亮膜130,增亮膜130在20℃时折射率为1.50-1.51,选用不同系种的量子点膜4份,对其蓝光外量子效率做比较,如下表所示:

表一为4组不同量子点膜系种的蓝光外量子效率情况:

由表1可知,本发明选用cdse/cds材料作为量子点膜发光层,在表一所表示的cd系在蓝光的外量子效率的比较中呈较高姿态,具有高发光效率的优势。

实施例四:

针对于本发明一种基于增亮阻隔膜的背光模组,选用本发明的量子点膜140,其中,量子点膜140包括扩散层141、高阻隔膜142以及量子点膜发光层143,若干高阻隔膜142分别安装于与量子点膜发光层143两表面,扩散层141安装在高阻隔膜142一表面,扩散层141厚度为5μm,雾度值为62%,具有光扩散性能,高阻隔膜142水蒸气透过率为10-2-10-4g/m2·day,透光率为95%,黄度值小于1,量子点膜发光层143材料为cdse/cds,量子点膜发光层143的配制过程为:将cdse/cds通过分散筛均匀分散于环氧树脂聚合物中,环氧树脂聚合物包括甲基丙烯酸酯聚合物和光引发剂,通过刮刀式涂布机将有cdse/cds分散的环氧树脂聚合物涂布于阻隔膜之间,通过uv固化和热固化配合完成得到量子点膜发光层143,本发明量子点膜140性能良好,节约能源,发光效率高,制得推广。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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