在钙钛矿量子点薄膜上制备可擦除图案的方法与流程

文档序号:30437405发布日期:2022-06-17 20:47阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种在钙钛矿量子点薄膜上制备可擦除图案的方法,包括:对钙钛矿量子点薄膜进行激光直写,以形成第一量子点图案;对所述钙钛矿量子点薄膜进行加热,使得所述第一量子点图案消失;以及再次对所述钙钛矿量子点薄膜进行激光直写,以形成第二量子点图案。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:反复对具有量子点图案的所述钙钛矿量子点薄膜进行加热并进行激光直写,从而在所述钙钛矿量子点薄膜上反复制备量子点图案。3.根据权利要求1所述的方法,其中,对所述钙钛矿量子点薄膜进行加热包括:将所述钙钛矿量子点薄膜在至少40摄氏度下加热。4.根据权利要求1所述的方法,其中,对所述钙钛矿量子点薄膜进行加热包括:将所述钙钛矿量子点薄膜加热至少1分钟。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一量子点图案与所述第二量子点图案相同。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一量子点图案与所述第二量子点图案不同。7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述钙钛矿量子点薄膜是利用原位法制备的。8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述钙钛矿量子点薄膜包括透明基质和钙钛矿量子点,其中,所述钙钛矿量子点均匀分散在所述透明基质中或者涂覆在所述透明基质的表面。9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述透明基质包括pan、pmma、pva、ps和pvdf,以及其衍生材料。10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述钙钛矿量子点的化学通式为apbb3,其中,a为ch3nh3、ch4n2或者cs,b为i、cl或br。

技术总结
本发明涉及一种在钙钛矿量子点薄膜上制备可擦除图案的方法,该方法包括:对钙钛矿量子点薄膜进行激光直写,以形成第一量子点图案;对所述钙钛矿量子点薄膜进行加热,使得所述第一量子点图案消失;以及再次对所述钙钛矿量子点薄膜进行激光直写,以形成第二量子点图案。本发明创新地将通过激光直写而图案化的钙钛矿量子点薄膜进行加热,使得已经形成的量子点图案可擦除,从而能够在钙钛矿量子点薄膜上反复制备各种量子点图案,实现循环使用。实现循环使用。实现循环使用。


技术研发人员:钟海政 詹雯杰
受保护的技术使用者:致晶科技(北京)有限公司
技术研发日:2020.12.15
技术公布日:2022/6/16
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