本实用新型涉及芯片制造技术领域,特别是一种用于涂布光阻剂的涂布机台。
背景技术:
光阻涂布是芯片生产制造过程中的重要的环节,通常采用旋转涂盖的方式来进行。一般先将硅片放在一个平整的金属承载盘上,金属承载盘内有小孔与真空管相连,硅片就被吸在金属承载盘上,这样硅片就可以与金属承载盘一起旋转。涂胶工艺一般分为三个步骤:1.将光刻胶溶液喷洒倒硅片表面;2.加速旋转金属承载盘(硅片),直到达到所需的旋转速度;3.达到所需的旋转速度之后,保持一定时间的旋转,利用旋转时的离心力作用,促使光刻胶往芯片外围移动,最后形成一层厚度均匀的光阻层。由于硅片表面的光刻胶是借旋转时的离心力作用向着硅片外围移动,故涂胶也可称做甩胶。
coater机台是半导体行业中非常重要的一种涂布机台,涂布的稳定性将会直接影响晶圆最终的良率。目前在用的coater机台主流尺寸是8/12寸兼容的,在8寸晶圆涂布的过程中机台的稳定性较高,良品率较好。但是对于12寸的大尺寸晶圆,在涂布过程中机台的稳定性较差,晶圆的正面也易造成凹坑异常或者晶面麻点异常,以上异常的情况往往困扰工程部门,影响产品良率,亟需改善。
技术实现要素:
本实用新型的目的是提供一种涂布机台,以解决现有技术中的不足,它能够有有效的增强晶圆表面的涂布胶的均匀性,降低晶圆表面麻点和凹坑的异常情况的出现。
本实用新型提供了一种涂布机台,包括机台架、转动安装在所述机台架上的转轴、设置在所述转轴上的承载盘和罩设在所述承载盘外侧的防护罩;所述承载盘上设置有用于吸附晶圆的真空吸附机构;所述防护罩上具有支撑部、横向延伸部和连接所述支撑部和所述横向延伸部的弧形连接部,所述支撑部倾斜角度范围为60°到90°,且所述防护罩的材质为铝。
作为本实用新型的进一步改进,所述防护罩的顶部设置有穿孔,所述穿孔的直径不小于320mm。
作为本实用新型的进一步改进,所述弧形连接部所在圆的直径不小于20mm。
作为本实用新型的进一步改进,所述涂布机台还具有设置在所述机台架上并位于所述承载盘下侧的防溢盖;所述防溢盖上具有横向支撑部、竖向支撑部、连接所述横向支撑部和所述竖向支撑部的斜向连接部和设置在所述横向支撑部上并与所述转轴相对设置的转孔,所述斜向连接部的倾斜角度不小于30°且不大于60°。
作为本实用新型的进一步改进,所述斜向连接部的倾斜角度为45°。
作为本实用新型的进一步改进,所述斜向连接部上设置有第一背洗针穿孔。
作为本实用新型的进一步改进,所述横向支撑部上设置有第二背洗针穿孔。
作为本实用新型的进一步改进,所述防溢盖上背离所述承载盘的一侧设置有若干定位槽。
作为本实用新型的进一步改进,所述定位槽设置有三个,三个所述定位槽呈环形均匀间隔排布。
作为本实用新型的进一步改进,所述横向支撑部上沿所述转孔的边沿设置有向所述承载盘的方向凸伸的环形支撑部。
与现有技术相比,本实用新型通过增大支撑部的倾斜的角度以及通过弧形连接部连接横向延伸部和支撑部从而扩大了防护罩内的空间,利于从上面喷射下来的光刻胶溶液在进入到防护罩内后迅速的沿着晶圆和防护罩之间的间隙流动起来,增强了光刻胶溶液的流动性,其流动性的增强有利于晶圆表面的涂布胶的均匀性。同时,将防护罩的材质设置为铝,金属铝对光刻胶溶液的附着性更好,从而能够有效的将光刻胶溶液吸附在防护罩的内侧壁上从而避免出现防护罩上的光刻胶溶液向晶圆表面的方向反溅进而降低晶圆表面麻点和凹坑的异常情况的出现。
附图说明
图1是本实用新型公开的涂布机台在装载8寸晶圆后的内部结构示意图;
图2是本实用新型公开的涂布机台在装载12寸晶圆后的内部结构示意图;
图3是本实用新型公开的涂布机台中防护罩的结构示意图;
图4是本实用新型公开的涂布机台中防溢盖的第一结构示意图;
图5是本实用新型公开的涂布机台中防溢盖的第二结构示意图;
附图标记说明:1-机台架,2-转轴,3-承载盘,4-防护罩,40-穿孔,41-支撑部,42-横向延伸部,43-弧形连接部,5-防溢盖,50-定位槽,51-横向支撑部,510-第二背洗针穿孔,511-环形支撑部,52-竖向支撑部,53-斜向连接部,530-第一背洗针穿孔,54-转孔。
具体实施方式
下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能解释为对本实用新型的限制。
本实用新型的实施例:如图1-2所示,公开了一种涂布机台,包括机台架1、转动安装在所述机台架1上的转轴2、设置在所述转轴2上的承载盘3和罩设在所述承载盘3外侧的防护罩4;所述承载盘3上设置有用于吸附晶圆的真空吸附机构。
如图3所示,所述防护罩4上具有支撑部41、横向延伸部42和连接所述支撑部41和所述横向延伸部42的弧形连接部43。支撑部41近垂直设置,其倾斜角度范围为60°到90°,支撑部41上远离机台架1的一端向穿孔40的方向聚拢,将支撑部41的倾斜角度增设到60°以上,同时支撑部41和横向延伸部42之间设置成弧形连接部43进行过渡连接,增大了防护罩4内的空间有利于增强光刻胶溶液在防护罩4内的流动性。其流动性的增强有利于晶圆表面的涂布胶的均匀性。
所述防护罩4的顶部设置有穿孔40,所述穿孔40的直径不小于320mm,承载盘3上的真空吸附机构抽真空用于将晶圆吸附在承载盘3上,承载盘3随着转轴2转动以带动晶圆转动从而实现甩胶。本实施例将防护罩4上设置的穿孔40的直径设置为320mm,该直径比12寸晶圆的尺寸大20mm,不仅方便了晶圆穿设过穿孔40放置到承载盘3上,而且穿孔40的扩张增大有利于从上面喷射下来的光刻胶溶液在进入到防护罩4内后迅速的沿着晶圆和防护罩4之间的间隙流动起来。增强了光刻胶溶液的流动性,
在甩胶的过程中从晶圆表面甩下来的多余的光刻胶溶液会被吸附在防护罩4上。现有技术中一般防护罩4的材质采用pvdf材质,研究发现采用该材质在经过长时间的使用后其对光刻胶的附着力会减弱,从而容易造成防护罩4的反溅,导致晶圆表面出现麻点或者凹坑的异常情况。本实施例将防护罩4的材质设置为铝,金属铝对光刻胶溶液的附着性更好,从而能够有效的将光刻胶溶液吸附在防护罩4的内侧壁上从而避免出现防护罩4上的光刻胶溶液向晶圆表面的方向反溅进而降低晶圆表面麻点和凹坑的异常情况的出现。
在本实施例中所述弧形连接部43所在圆的直径不小于20mm。这样结构的设置能够保证防护罩4内具有足够的空间以供光刻胶溶液进行流动。
进一步的,在本实施例中,如图4和图5所示,所述涂布机台还具有设置在所述机台架1上并位于所述承载盘3下侧的防溢盖5;所述防溢盖5上具有横向支撑部51、竖向支撑部52、连接所述横向支撑部51和所述竖向支撑部52的斜向连接部53和设置在所述横向支撑部51上并与所述转轴2相对设置的转孔50,所述斜向连接部53的倾斜角度不小于30°且不大于60°。
转轴2穿设过转孔50以与承载盘3连接固定,防溢盖5的设置用于导引绕过晶圆背面的光刻胶溶液流动从而迅速的实现对光刻胶溶液的收集以减少出现光刻胶溶液在晶圆背面的积累。在本实施例中在防溢盖5上设置倾斜的斜向连接部53并且该倾斜的角度不小于30°也有利于增大晶圆与防溢盖4之间的空间,从而有利于增大绕过晶圆正面之后的光刻胶溶液的流动性。同时防溢盖4设置成大于30°的倾斜也有助于汇聚在防溢盖5上的光刻胶溶液顺着防溢盖5的表面流淌。作为最优的实施例所述斜向连接部53的倾斜角度为45°45°的设置方便的实现了光刻胶溶液在集聚到防溢盖5后能够顺着防溢盖5的倾斜部向下流动。
在本实施例中所述斜向连接部53上设置有第一背洗针穿孔530。所述横向支撑部51上设置有第二背洗针穿孔510。第一背洗真穿孔530内固定设置有第一背洗针,第二背洗针穿孔510内设置有第二背洗针。第一背洗针和第二背洗针均喷射有药液该药液能够对集聚在晶圆背面的光刻胶溶液进行清洗去除,从而避免出现光刻胶溶液在晶圆背面的残留。第一背洗针和第二背洗针固定不动在晶圆随着承载盘3转动的过程中能够对晶圆的一圈都实现清洗去除。
在本实施例中设置在斜向连接部53位置的第一背洗针用于清洗去除12寸大晶圆背面的积累的光刻胶溶液,设置在横向支撑部51位置的第二背洗针用于清洗去除8寸晶圆背面的积累的光刻胶溶液。上述结构的设置能够兼容两种类型的晶圆的使用能够更好的清除晶圆背面积累的光刻胶溶液。
进一步的,为了方便的实现防溢盖5的安装定位,如图5所示,在本实施例中所述防溢盖5上背离所述承载盘3的一侧设置有若干定位槽50。具体的,所述定位槽50设置有三个,三个所述定位槽50呈环形均匀间隔排布。上述结构的设置能够更有效的实现防溢盖5的安装定位。
在本实施例中所述横向支撑部51上沿所述转孔50的边沿设置有向所述承载盘3的方向凸伸的环形支撑部511。支撑部511的设置能够减少承载盘3与防溢盖5之间的间隙,从而避免光刻胶溶液进入到转孔50内进而进入到转轴2上。
以上依据图式所示的实施例详细说明了本实用新型的构造、特征及作用效果,以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,但本实用新型不以图面所示限定实施范围,凡是依照本实用新型的构想所作的改变,或修改为等同变化的等效实施例,仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时,均应在本实用新型的保护范围内。