光学临近修正方法、装置及电子设备与流程

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光学临近修正方法、装置及电子设备。

背景技术：

随着半导体行业的发展，人们对芯片的性能与能耗要求越来越苛刻，要想获得更小面积、更高性能以及更低能耗的芯片，就需要进一步减小芯片上各图形大小及各图形之间的间距，间距的降低会导致版图上的某些图形之间的设计距离小于光的波长。因此需要在版图刻印在掩膜版上之前对版图进行修正，防止在光刻过程中产生光学邻近效应(opticalproximityeffect，ope)，避免刻印在芯片上的图形与设计不一致而产生图形失真。

为了避免光学邻近效应而对版图进行修正的技术为光学邻近修正(opticalproximitycorrection，opc)技术。在opc修正程序中，需要进行掩膜尺寸检查(maskmanufacturingrulecheck)，以保证最终图形收敛性及掩膜版制作精度。通常是根据设定的掩膜规则值(maskruleconstraints，mrc)(包括线宽值和间距值)对经过opc修正的掩膜版图形的线宽和间距进行检查。

由于光学临近效应造成的光刻图形变形或失真现象主要可以分为几类：密集图形与孤立图形尺寸差异，掩模板尺寸与芯片上图形尺寸比例非线性，拐角圆化以及线端缩短等。因此，在基于模型的光学临近修正（opticalproximitycorrection，简称opc）方法得到广泛应用后，一般的光学临近效应都能得到很好的补偿，使得最终在芯片上的图形能尽量接近目标图形的尺寸和形状。而基于模型的opc修正方法是通过模拟不同版图在特定条件下的光刻图形，从而补偿光学临近效应引起的图形失真，并通过不断的修正和模拟得到能最接近目标图形的修正后版图。以线端缩短问题为例，如图1a和图1b所示，一般未经修正的线端存在线端缩短以及线端变小圆化的问题。

而针对此问题，目前业界的做法是牺牲目标版图在opc修正过程中的收敛度，以保证晶圆上的光刻胶上的图形不会出现桥接的现象。具体的，设定目标图形在opc修正后图形的线宽cd或间距space的最小值为x，以避免出现在opc修正后图形的线宽cd或间距space小于x而导致晶圆上光刻胶上的图形出现桥接的问题。然而，由于版图中每层图层layout上包含的图形的复杂程度越来越高。这种做法会出现一些缺陷。例如，由于收敛度受到影响，opc工程师检查opc修正结果时，复查边缘放置误差（edgeplacementerror,epe)的数量会大幅度提高，则将严重影响工程师的检查进度，从而影响t/o进度，导致研发进度缓慢。其次，当设计图形中出现如图1a和图1b所示的图形时，由于线端缩短效应的存在，此处的工艺窗口应该要有更好的收敛度。而现有技术则无法在opc修正目标图形的过程中，同时兼顾图形的光刻工艺窗口和opc修正的收敛度，从而降低了产品良率和延长了研发进度。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种光学临近修正方法、装置及电子设备，以在保证版图的工艺窗口的同时，改善版图的收敛度，并最终提升产品良率，推进研发进度。

第一方面，为解决上述技术问题，本发明提供一种光学临近修正方法，包括：确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图具有多个主图形，且所述测试版图中至少包括相邻的两个主图形为存在线端缩短或者拐角圆化的线条端点图形。

确定所述主图形对应的符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值，并根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的边缘放置误差达到预设目标值。

从修正后的所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距小于所述第一掩膜规则值的主图形组，以形成线条端点图形组。

针对所述线条端点图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽，以在使调整后的所述线条端点图形组中的所述主图形的收敛度满足设计要求的同时，又能使相邻两个所述主图形之间的线端间距不小于所述第一掩膜规则值。

进一步的，根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正的步骤，可以包括：利用基于模型的光学临近修正软件，对所述主图形的线边进行扩大和/或回缩修正处理，使相邻两个所述主图形之间的线端间距与所述第二掩膜规则值相等，以保证修正后的所述主图形的收敛度符合设计要求。

进一步的，针对所述线条端点图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽的步骤，可以包括：依次选中每一所述主图形的一条线边，并将每一所述主图形的所述线边沿靠近各主图形的中心轴线的方向分别回缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大，且使变大后的所述线端间距不小于所述第一掩膜规则值。

进一步的，将所述线边沿远离与该主图形相邻的所述主图形的方向收缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大的步骤，可以包括：在所述线条端点图形组中的两个相邻主图形的线端附近设置一覆盖所述两个主图形的部分线边的第一多边形。

选中位于所述第一多边形中的所述主图形的第一线边，并判定同样位于所述第一多边形中的所述主图形的相邻主图形的第二线边与所述第一线边之间的距离是否小于所述第一掩膜规则值。

若判定结果为是，则在所述第一线边和第二线边之间设置一第二多边形，所述第二多边形的长边的延伸线与所述第一线边和所述第二线边的延伸线垂直，且所述第二多边形的长边的边长值与所述第一掩膜规则值相等。

分别将所述线条端点图形组中的所述主图形的所述第一线边和/或所述第二线边沿远离所述第二多边形的方向向里回缩，直至所述第一线边和所述第二线边之间的距离至少与所述第一掩膜规则值相等。

进一步的，所述第一多边形和/或所述第二多边形可以为正四边形。

第二方面，基于如上所述的光学临近修正方法，本发明还提供了一种光学临近修正装置，具体可以包括：测试版图确定模块，用于确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图具有多个主图形，且所述测试版图中至少包括相邻的两个主图形为存在线端缩短或者拐角圆化的线端图形。

光学临近修正模块，用于确定所述主图形对应的符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值，并根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的边缘放置误差达到预设目标值。

线端图形组筛选模块，用于从修正后的所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距小于所述第一掩膜规则值的主图形组，以形成线端图形组。

主图形调整模块，用于针对所述线端图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽，以在使调整后的所述线端图形组中的所述主图形的收敛度满足设计要求的同时，又能使相邻两个所述主图形之间的线端间距不小于所述第一掩膜规则值。

进一步的，所述光学临近修正模块可以包括：调用单元，用于调用基于模型的光学临近修正软件，并对所述主图形的线边进行扩大和/或回缩修正处理，使相邻两个所述主图形之间的线端间距与所述第二掩膜规则值相等，以保证修正后的所述主图形的收敛度符合设计要求。

进一步的，所述主图形调整模块具体可以用于：依次选中每一所述主图形的一条线边，并将每一所述主图形的所述线边沿靠近各主图形的中心轴线的方向分别回缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大，且使变大后的所述线端间距不小于所述第一掩膜规则值。

进一步的，所述主图形调整模块可以包括：第一多边形设置单元，用于在所述线条端点图形组中的两个相邻主图形的线端附近设置一覆盖所述两个主图形的部分线边的第一多边形。

线边距离判定单元，用于选中位于所述第一多边形中的所述主图形的第一线边，并判定同样位于所述第一多边形中的所述主图形的相邻主图形的第二线边与所述第一线边之间的距离是否小于所述第一掩膜规则值。

第二多边形设置单元，用于若判定结果为是，则在所述第一线边和第二线边之间设置一第二多边形，所述第二多边形的长边的延伸线与所述第一线边和所述第二线边的延伸线垂直，且所述第二多边形的长边的边长值与所述第一掩膜规则值相等。

调整单元，用于分别将所述线条端点图形组中的所述主图形的所述第一线边和/或所述第二线边沿远离所述第二多边形的方向向里回缩，直至所述第一线边和所述第二线边之间的距离至少与所述第一掩膜规则值相等。

第三方面，基于如上所述的光学临近修正方法，本发明还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信。

存储器，用于存放计算机程序。

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的光学临近修正方法的步骤。

与现有技术相比，本发明提供的技术方案至少具有如下有益效果之一：

本发明提供了一种光学临近修正方法、装置及电子设备，通过先为预制作版图对应的测试版图中的主图形选择一个比符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值小很多的第二掩膜规则值，然后，再按照该第二掩膜规则值对所述测试版图中的主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的收敛度先符合设计要求；之后，再从所述修正后符合收敛度设计要求的所述主图形中找出相邻两个主图形之间的线端间距不符合所述第一掩膜规则值的主图形组，即，找出满足收敛度设计要求但且不满足光刻工艺窗口的主图形组（线条端点图形组），并对所述主图形组中的主图形进行适应性调整，以使调整后的所述线条端点图形组中的所述主图形既满足光刻工艺窗口的设计要求，又满足收敛度的设计要求，避免了由于掩膜规则值mrc的原因，导致一些特征图形的光刻工艺窗口和收敛度无法兼顾的问题，从而有效的保证了一些特殊图形的收敛度问题，并进一步提升了opc修正过程中的准确度，以及有效提升了产品良率，最终推进了研发进度。

附图说明

图1a和图1b为现有技术中测试版图中的主图形的线端在曝光后发生线端缩短以及线端变小圆化的结构示意图。

图2为本发明一实施例中的光学临近修正方法的流程示意图。

图3a~图3c为本发明一实施例中提供的调整测试版图中的主图形的线宽的流程示意图。

图4为本发明一实施例中的光学临近修正装置的结构示意图。

其中，附图中：

s52/s58/s53/-相邻两个主图形之间的线端距离；

cc-第一多边形；dd-第二多边形；

a/b-主图形；mrc-掩膜规则值；

a1/a2/a3-主图形a的线边（第一线边）；

b1/b2/b3-主图形b的线边（第二线边）。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

承如背景技术所述，目前，为了避免光学邻近效应而对版图进行修正的技术为光学邻近修正(opticalproximitycorrection，opc)技术。在opc修正程序中，需要进行掩膜尺寸检查(maskmanufacturingrulecheck)，以保证最终图形收敛性及掩膜版制作精度。通常是根据设定的掩膜规则值(maskruleconstraints，mrc)(包括线宽值和间距值)对经过opc修正的掩膜版图形的线宽和间距进行检查。

由于光学临近效应造成的光刻图形变形或失真现象主要可以分为几类：密集图形与孤立图形尺寸差异，掩模板尺寸与芯片上图形尺寸比例非线性，拐角圆化以及线端缩短等。因此，在基于模型的光学临近修正（opticalproximitycorrection，简称opc）方法得到广泛应用后，一般的光学临近效应都能得到很好的补偿，使得最终在芯片上的图形能尽量接近目标图形的尺寸和形状。而基于模型的opc修正方法是通过模拟不同版图在特定条件下的光刻图形，从而补偿光学临近效应引起的图形失真，并通过不断的修正和模拟得到能最接近目标图形的修正后版图。以线端缩短问题为例，如图1a和图1b所示，一般未经修正的线端存在线端缩短以及线端变小圆化的问题。其中，所述图1a中的s52和s58均代表所述图形中相邻两个主图形之间的线端距离；同理，所述1b中的s53和s58均代表如图所述的相邻两个主图形之间的线端距离。

而针对此问题，目前业界的做法是牺牲目标版图在opc修正过程中的收敛度，以保证晶圆上的光刻胶上的图形不会出现桥接的现象。具体的，设定目标图形在opc修正后图形的线宽cd或间距space的最小值为x，以避免出现在opc修正后图形的线宽cd或间距space小于x而导致晶圆上光刻胶上的图形出现桥接的问题。然而，由于版图中每层图层layout上包含的图形的复杂程度越来越高。这种做法会出现一些缺陷。例如，由于收敛度受到影响，opc工程师检查opc修正结果时，复查边缘放置误差（edgeplacementerror,epe)的数量会大幅度提高，则将严重影响工程师的检查进度，从而影响t/o进度，导致研发进度缓慢。其次，当设计图形中出现如图1a和图1b所示的图形时，由于线端缩短效应的存在，此处的工艺窗口应该要有更好的收敛度。而现有技术则无法在opc修正目标图形的过程中，同时兼顾图形的光刻工艺窗口和opc修正的收敛度，从而降低了产品良率和延长了研发进度。

为此，本发明提供了一种光学临近修正方法、装置及电子设备，以在保证版图的工艺窗口的同时，改善版图的收敛度，并最终提升产品良率，推进研发进度。

需要说明的是，在本发明实施例中所述主图形的线宽为该主图形的相邻两个线边之间的距离，以标识主图形自身的特性，如图3a所示的第一线边a1与第一线边a2之间的距离；所述相邻两个所述主图形之间的线端间距为两个主图形之间的距离，以标识相邻两个主图形之间的位置关系，如图1a和图1b所述的s52、s58和s53。

参考图2，图2为本发明一实施例中提供的一种光学临近修正方法的流程示意图，该方法包括如下步骤：

步骤s100，确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图具有多个主图形，且所述测试版图中至少包括相邻的两个主图形为存在线端缩短或者拐角圆化的线条端点图形。

在本实施例中，可以先根据预制作的版图确定其对应的测试版图，以用于通过后续步骤验证预制作的版图中的各主图形的光刻工艺窗口以及收敛度是否同时满足设计要求，若不同时满足，则可及时进行opc修正，从而有效提升产品良率，推进研发进度。其中，所述测试版图中可以包含多个主图形，所述主图形中的部分或者全部可以为存在线端缩短或者拐角圆化的线条端点图形，如图1a和图1b所示的两类线条端点图形。

步骤s200，确定所述主图形对应的符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值，并根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的边缘放置误差达到预设目标值。

通常，为了保证预制作版图的光刻工艺窗口，掩膜版制造厂商会根据实际版图的曝光显影情况，为每个类型的版图设置一掩膜规则值mrc（第一掩膜规则值），即，版图在保证光刻工艺窗口下的最小间距space或最小线宽cd。因此，在设计人员在对预制作版图对应的测试版图进行opc修正的过程中，其需要时修正后的测试版图中的相邻两个主图形之间的线端间距不小于所述第一掩膜规则值。

在本实施例中，针对如图1a和图1b所示的这类特殊图形，为了解决现有技术中，为了保证测试版图的光刻工艺窗口而舍弃测试版图收敛度之后，而由于线端缩短效应导致实际曝光后的相邻两个这类特殊图形之间的线端距离比其预期设置的mrc值大，从而浪费了测试版图中部分主图形的收敛度的问题，本发明研究人员提出，先让所述测试版图中的所述主图形的收敛度为0（主图形曝光后的图形与设计图形的边缘放置误差为0），之后，再从符合收敛度设计要求的所述主图形中找出相邻两个主图形之间的线端间距不符合预设光刻工艺窗口的主图形组，再对其进行opc修正，以使最终调整后的所述主图形既满足光刻工艺窗口的设计要求，又满足收敛度的设计要求，避免了由于掩膜规则值mrc的原因，导致一些特征图形的光刻工艺窗口和收敛度无法兼顾的问题，从而有效的保证了一些特殊图形的收敛度问题，并进一步提升了opc修正过程中的准确度，以及有效提升了产品良率，最终推进了研发进度。

具体的，假设所述测试版图的所述主主图的符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值为58，那么，可以先选取一个远小于所述第一掩膜规则值58的第二掩膜规则值，如，40、30、20等等。之后，再按照所述第二掩膜规则值，对所述测试版图的主图形进行opc修正。

作为一种具体示例，本发明提供了一种根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正的具体实现方式，包括如下步骤：利用基于模型的光学临近修正软件，对所述主图形的线边进行扩大和/或回缩修正处理，以使相邻两个所述主图形之间的线端间距与所述第二掩膜规则值相等，从而保证修正后的所述主图形的收敛度符合设计要求。

步骤s300，从修正后的所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距小于所述第一掩膜规则值的主图形组，以形成线条端点图形组。

在本实施例中，根据上述步骤s200操作之后的测试版图中的主图形的收敛度从理论的角度基本上均为0，即，所有主图形修正后的图形与设计图形没有任何差别。但是，由于线条端点图形的线端缩短效应导致实际曝光后的所述测试版图中会存在部分主图形的光刻工艺窗口符合设计要求，而部分主图形的光刻工艺窗口不符合设计要求。因此，在上述步骤s200之后，需要通过测量相邻两个所述主图形之间的线端距离的方式，从所述测试版本中挑选出线端间距小于所述第一掩膜规则值的主图形组，即，不符合光刻工艺窗口的主图形组，以形成线条端点图形组，并采用如下步骤s400对这类图形进行二次opc修正，以达到使最终的测试版图中的主图形的光刻工艺窗口和收敛度兼顾的目的。

步骤s400，针对所述线条端点图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽，以在使调整后的所述线条端点图形组中的所述主图形的收敛度满足设计要求的同时，又能使相邻两个所述主图形之间的线端间距不小于所述第一掩膜规则值。

在本实施例中，针对所述线条端点图形组中的每一主图形，可以每一所述主图形的一条线边，并将每一所述主图形的所述线边沿靠近各主图形的中心轴线的方向分别回缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大，且使变大后的所述线端间距不小于所述第一掩膜规则值。

具体的，如图3所示，本发明提供了一种将每一所述主图形的所述线边沿靠近各主图形的中心轴线的方向分别回缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大的具体实施方式，可以包括如下步骤：

首先，如图3a所示，在所述线条端点图形组中的两个相邻主图形的线端附近设置一覆盖所述两个主图形的部分线边的第一多边形cc。

接着，选中位于所述第一多边形cc中的所述主图形a的第一线边a2（或者a1，再或者a3），并判定同样位于所述第一多边形cc中的所述主图形的相邻主图形b的第二线边b2（或者b1，再或者b3）与所述第一线边a2（或者a1，再或者a3）之间的距离是否小于所述第一掩膜规则值，如58。

其次，如图3b所示，若判定结果为是，则在所述第一线边a2和第二线边b2之间设置一第二多边形dd，所述第二多边形dd的长边的延伸线与所述第一线边a2和所述第二线边b2的的延伸线垂直，且所述第二多边形dd的长边的边长值与所述第一掩膜规则值相等。

最后，如图3c所示，分别将所述线条端点图形组中的所述主图形的所述第一线边a2和/或所述第二线边b2沿远离所述第二多边形dd的方向向里回缩，直至所述第一线边a2和所述第二线边b2之间的距离至少与所述第一掩膜规则值相等。

其中，所述第一多边形cc和/或所述第二多边形dd为正四边形。

在本实施例中，首先可以选中所述测试版图中的某一目标图层中所有的线条端点图形（主图形）。然后再选中某个主图形a（或者主图形b）的线条端点图形的第一线边a2（或第二线边b2），然后，以形成一个长边边长大于所述第一线边a2的且由第一线边a2向内和向外看的四边形cc。然后选中在四边形cc中的所有第一线边a2，然后由这些第一线边a2向外看，如果有其他主图形，如主图形b的第二线边b2与所述第一线边a2的距离小于所述第一掩膜规则值，就在第一线边a2和第二线边b2中间生成形成一个四边形dd。所述最后用所述测试版图的masklayout和四边形dd的layout做一个差集运算。留下的就可以保证足够的光刻工艺窗口。

可以理解的是，在本发明实施例中，所述每个主图形，如主图形a或主图形b均为封闭的图形，因此，拉动所述主图形a的第一线边a1、第一线边a2以及第一线边a3中的任一一条，均可实现改变所述主图形a的线宽的目的。

由于在本发明实施例中，其是先为预制作版图对应的测试版图中的主图形选择一个比符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值小很多的第二掩膜规则值，然后，再按照该第二掩膜规则值对所述测试版图中的主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的收敛度先符合设计要求；之后，再从所述修正后符合收敛度设计要求的所述主图形中找出相邻两个主图形之间的线端间距不符合所述第一掩膜规则值的主图形组，即，找出满足收敛度设计要求但且不满足光刻工艺窗口的主图形组（线条端点图形组），并对所述主图形组中的主图形进行适应性调整，以使调整后的所述线条端点图形组中的所述主图形既满足光刻工艺窗口的设计要求，又满足收敛度的设计要求，避免了由于掩膜规则值mrc的原因，导致一些特征图形的光刻工艺窗口和收敛度无法兼顾的问题，从而有效的保证了一些特殊图形的收敛度问题，并进一步提升了opc修正过程中的准确度，以及有效提升了产品良率，最终推进了研发进度。

基于如上所述的光学临近修正方法，本实施例中还提供了光学临近修正装置，具体可参考图4，图4为本发明一实施例中的光学临近修正装置的结构示意图，所述装置包括：

测试版图确定模块410，用于确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图具有多个主图形，且所述测试版图中至少包括相邻的两个主图形为存在线端缩短或者拐角圆化的线端图形。

光学临近修正模块420，用于确定所述主图形对应的符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值，并根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的边缘放置误差达到预设目标值。

线端图形组筛选模块430，用于从修正后的所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距小于所述第一掩膜规则值的主图形组，以形成线端图形组。

主图形调整模块440，用于针对所述线端图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽，以在使调整后的所述线端图形组中的所述主图形的收敛度满足设计要求的同时，又能使相邻两个所述主图形之间的线端间距不小于所述第一掩膜规则值。

进一步的，所述光学临近修正模块420可以包括：调用单元，用于调用基于模型的光学临近修正软件，并对所述主图形的线边进行扩大和/或回缩修正处理，使相邻两个所述主图形之间的线端间距与所述第二掩膜规则值相等，以保证修正后的所述主图形的收敛度符合设计要求。

进一步的，所述主图形调整模块具体可以用于：每一所述主图形的一条线边，并将每一所述主图形的所述线边沿靠近各主图形的中心轴线的方向分别回缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大，且使变大后的所述线端间距不小于所述第一掩膜规则值。

进一步的，所述主图形调整模块440可以包括：第一多边形设置单元，用于在所述线条端点图形组中的两个相邻主图形的线端附近设置一覆盖所述两个主图形的部分线边的第一多边形。

线边距离判定单元，用于选中位于所述第一多边形中的所述主图形的第一线边，并判定同样位于所述第一多边形中的所述主图形的相邻主图形的第二线边与所述第一线边之间的距离是否小于所述第一掩膜规则值。

第二多边形设置单元，用于若判定结果为是，则在所述第一线边和第二线边之间设置一第二多边形，所述第二多边形的长边的延伸线与所述第一线边和所述第二线边的延伸线垂直，且所述第二多边形的长边的边长值与所述第一掩膜规则值相等。

调整单元，用于分别将所述线条端点图形组中的所述主图形的所述第一线边和/或所述第二线边沿远离所述第二多边形的方向向里回缩，直至所述第一线边和所述第二线边之间的距离至少与所述第一掩膜规则值相等。

综上所述，由于在本发明实施例中，其是先为预制作版图对应的测试版图中的主图形选择一个比符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值小很多的第二掩膜规则值，然后，再按照该第二掩膜规则值对所述测试版图中的主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的收敛度先符合设计要求；之后，再从所述修正后符合收敛度设计要求的所述主图形中找出相邻两个主图形之间的线端间距不符合所述第一掩膜规则值的主图形组，即，找出满足收敛度设计要求但且不满足光刻工艺窗口的主图形组（线条端点图形组），并对所述主图形组中的主图形进行适应性调整，以使调整后的所述线条端点图形组中的所述主图形既满足光刻工艺窗口的设计要求，又满足收敛度的设计要求，避免了由于掩膜规则值mrc的原因，导致一些特征图形的光刻工艺窗口和收敛度无法兼顾的问题，从而有效的保证了一些特殊图形的收敛度问题，并进一步提升了opc修正过程中的准确度，以及有效提升了产品良率，最终推进了研发进度。

本发明实施例还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信，

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现本发明实施例提供的一种光学临近修正方法。

另外，处理器执行存储器上所存放的程序而实现的光学临近修正方法的其他实现方式，与前述方法实施例部分所提及的实现方式相同，这里也不再赘述。

上述控制终端提到的通信总线可以是外设部件互连标准（peripheralcomponentinterconnect，pci）总线或扩展工业标准结构（extendedindustrystandardarchitecture，eisa）总线等。该通信总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。

通信接口用于上述电子设备与其他设备之间的通信。

存储器可以包括随机存取存储器（randomaccessmemory，ram），也可以包括非易失性存储器（non-volatilememory，nvm），例如至少一个磁盘存储器。可选的，存储器还可以是至少一个位于远离前述处理器的存储装置。

上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器（centralprocessingunit，cpu）、网络处理器（networkprocessor，np）等；还可以是数字信号处理器（digitalsignalprocessing，dsp）、专用集成电路（applicationspecificintegratedcircuit，asic）、现场可编程门阵列（field-programmablegatearray，fpga）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

在本发明提供的又一实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述实施例中任一所述的光学临近修正方法。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线（例如同轴电缆、光纤、数字用户线（dsl））或无线（例如红外、无线、微波等）方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，dvd)、或者半导体介质（例如固态硬盘solidstatedisk(ssd)）等。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置、电子设备以及计算机可读存储介质实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。