板I之上的栅极扫描线2，位于所述栅极扫描线2和基板I之上的栅极绝缘层4，位于所述栅极绝缘层4之上的源漏极数据线5，位于所述源漏极数据线5与栅极绝缘层4之上的第一钝化层8，位于所述第一钝化层8之上的有机层9，以及位于所述有机层9与第一钝化层8之上的第二钝化层10。
[0030]具体的，所述有机层9为色阻层或者平坦层；所述第一钝化层8和第二钝化层10的材料为无机材料；所述有机层9的厚度大于所述第一钝化层8和第二钝化层10的厚度；所述基板I为玻璃基板。
[0031]具体的，所述栅极扫描线2与源漏极数据线5在基板I上垂直交叉排列，所述有机层9上对应于栅极扫描线2与源漏极数据线5的每一交叉口处形成有通孔，所述第二钝化层10沉积于通孔处形成开口 11，如图2和图3所示，所述阵列基板位于开口 11处的结构包括基板1、栅极扫描线2、栅极绝缘层4、源漏极数据线5、第一钝化层8、以及第二钝化层10。
[0032]优选的，所述开口 11的大小为15μπιΧ15μπι。
[0033]本发明提供的阵列基板，通过在第二钝化层10上对应于栅极扫描线2和源漏极数据线5的交叉口处设置开口 11，预留作为栅极扫描线2和源漏极数据线5的断线修复点，利用该开口 11，可通过镭射熔接U型长线15的方式对断线进行修复。
[0034]基于上述阵列基板结构，如图4、图5所示，通过镭射熔接U型长线对本发明的阵列基板进行断线修补的方法为:
[0035]如图1与图4所示，当所述阵列基板上的栅极扫描线2因制程不良导致断线时，通过在栅极扫描线2上位于断线处两端的开口 11处镭射熔接U字型长线15，使得断开的栅极扫描线2恢复连接。
[0036]如图1与图5所示，当所述阵列基板上的源漏极数据线5因制程不良导致断线时，通过在源漏极数据线5上位于断线处两端的开口 11处镭射熔接U字型长线15，使得断开的源漏极数据线5恢复连接。
[0037]优选的，上述阵列基板的断线修补方法中所采用的U字型长线15的材料为六羰基钨。
[0038]图4、图5所示的阵列基板的断线修补方法，由于所述阵列基板在开口 11处所述栅极扫描线2或源漏极数据线5的上方并未设置有机层9，从而省去了镭射去除有机层9的工序，通过直接在断线处两端的开口 11处镭射熔接U字型长线15，完成对栅极扫描线2或源漏极数据线5的断线修复有效地减少去除有机层时的机台镭射损耗，提高了断线修补效率及成功率，进而提尚液晶面板广品的显不品质。
[0039]综上所述，本发明提供一种阵列基板及其断线修补方法，通过在有机层上对应于栅极扫描线与源漏极数据线的每一交叉口处设置通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，使得本发明阵列基板上的栅极扫描线或源漏极数据线发生断线时，可以直接在断线处两端的开口处镭射熔接U字型长线，使断开的栅极扫描线或源漏极数据线恢复连接，该修补方法省去了镭射去除有机层的工序，有效地减少去除有机层时的机台镭射损耗，提尚了断线修补效率和修补成功率，进而提尚液晶面板广品的显不品质。
[0040]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括:基板(I)，位于所述基板(I)之上的栅极扫描线(2)，位于所述栅极扫描线(2)和基板(I)之上的栅极绝缘层(4)，位于所述栅极绝缘层(4)之上的源漏极数据线(5)，位于所述源漏极数据线(5)与栅极绝缘层(4)之上的第一钝化层(8)，位于所述第一钝化层(8)之上的有机层(9)，以及位于所述有机层(9)与第一钝化层⑶之上的第二钝化层(10); 其中，所述栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)在基板(I)上垂直交叉排列，所述有机层(9)上对应于栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)的每一交叉口处形成有通孔，所述第二钝化层(10)沉积于该通孔处形成开口(11)。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开口(11)的大小为15 UmX 15 μ m0
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层(9)为色阻层或者平坦层。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层(8)和第二钝化层(10)的材料为无机材料。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层(9)的厚度大于所述第一钝化层(8)和第二钝化层(10)的厚度。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板(I)为玻璃基板。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板位于开口(11)处的结构包括基板(I)、栅极扫描线(2)、栅极绝缘层(4)、源漏极数据线(5)、第一钝化层(8)、以及第二钝化层(10)。
8.一种如权利要求1所述的阵列基板的断线修补方法，其特征在于，当所述阵列基板上的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)断线时，通过在栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)上位于断线处两端的开口(11)处镭射熔接U字型长线(15)，使得断开的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)恢复连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板的断线修补方法，其特征在于，所述U字型长线(15)的材料为六羰基钨。
10.如权利要求8所述的阵列基板的断线修补方法，其特征在于，所述开口(11)的大小为 15 μ mX 15 μ m0
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板及其断线修补方法，通过在有机层上对应于栅极扫描线与源漏极数据线的每一交叉口处设置通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，通孔使得本发明阵列基板上的栅极扫描线或源漏极数据线发生断线时，可以直接在断线处两端的开口处镭射熔接U字型长线，使断开的栅极扫描线或源漏极数据线恢复连接，该修补方法省去了镭射去除有机层的工序，有效地减少去除有机层时的机台镭射损耗，提高了断线修补效率和修补成功率，进而提高液晶面板产品的显示品质。
【IPC分类】G02F1-13, G02F1-1362
【公开号】CN104597640
【申请号】CN201510073541
【发明人】李珊
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年2月12日