中的一个或更多个项的任意组合和全部组合。还将理解的是，当术语"包括"和/或 其变型，或者"包含"和/或其变型用在本说明书中时，说明存在陈述的特征、区域、整体、步 骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他的特征、区域、整体、 步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0045] 此外，在这里可以使用诸如"下"或"底部"以及"上"或"顶部"的相对术语来描述 附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图包含装置的除附图 中所绘的方位之外的不同方位。例如，如果一幅附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元 件"下"侧的元件将随后被定向在其他元件"上"侧。因此，根据附图中的具体方位，示例性 术语"下"可包括"下"和"上"两种方位。相似地，如果一幅附图中的装置被翻转，则被描述 为在其他元件"下方"或"之下"的元件将随后被定向在其他元件"上方"。因此，示例性术 语"下方"或"之下"可包括上方和下方两种方位。
[0046] 这里所使用的"大约"或"近似"包括所述值并且意指在本领域的普通技术人员在 顾及正在考虑的测量和与特定量的测量相关联的误差（即，测量系统的局限性）的情况下 确定的对于特定值的偏差可接受范围内。例如，"大约"可以意指在一个或多个标准偏差内， 或者在所述值的±30%、20%、10%、5%内。
[0047] 除非另有定义，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科技术语）具有与本 公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。应该进一步理解，除非这里 明确定义，否则术语诸如在通用字典中定义的术语应该被解释为具有与相关领域的背景下 它们的意思一致的意思，而不应该理想地或者过于形式化地解释它们的意思。
[0048] 在此，参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预 料到由于例如制造技术和/或公差导致的示图的形状变化。因此，这里描述的实施例不应 被解释为局限于在此示出的区域的具体形状，而是包括由例如制造导致的形状偏差。例如， 示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以 被倒圆。因此，在附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的精 确形状，也不意图限制权利要求的范围。
[0049] 在下文中，将参照图1至图6详细描述根据本发明的薄膜晶体管阵列面板的示例 性实施例。
[0050] 图1是根据本发明的薄膜晶体管阵列面板的示例性实施例的俯视图，图2是沿图 1的11-11'线截取的剖视图，图3是沿图1的111-111'线截取的剖视图，图4是沿图1的 IV-IV'线截取的剖视图，图5是沿图1的V-V'线截取的剖视图，图6是沿图1的VI-VI'线 截取的剖视图。
[0051] 参照图1至图6,薄膜晶体管阵列面板的示例性实施例包括绝缘基板110和设置在 绝缘基板110上的多条栅极线121。
[0052] 每条栅极线121包括向上突出的多个栅电极124和用于与另一个层或外部驱动电 路连接的具有宽区域的栅极焊盘部分129。产生栅极信号的栅极驱动电路（未示出）可以 设置（例如，安装）在附着在绝缘基板110上的柔性印刷电路膜（未示出）上，或者直接安 装在绝缘基板110上。
[0053] 栅极线121可以具有单层结构，或者包括两个或更多个导电层的多层结构。
[0054] 栅极绝缘层140设置在栅极线121上。栅极绝缘层140可以包括诸如以氮化硅 (SiNx)或氧化硅（SiOx)为例的无机绝缘材料，或者可以由它们形成。
[0055] 多个半导体151设置在栅极绝缘层140上。在根据本发明的液晶显示器的示例性 实施例中，半导体151可以包括突起154。在该实施例中，突起154可以仅设置在栅电极124 上。
[0056] 例如，在一个示例性实施例中，半导体151可以包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导 体或它们的组合，或者可以由它们形成。
[0057] 半导体151包括设置在数据焊盘部分179下方的端部159。
[0058] 多个欧姆接触件161、163、165和169设置在半导体151上。欧姆接触件163和 165可以设置成一对，同时基于栅电极124彼此面对以设置在半导体151的突起154上。欧 姆接触件169设置在数据焊盘179的下方。
[0059] 欧姆接触件161、163、165和169可以包括诸如以n+氢化非晶硅（其中以高浓度 掺杂诸如磷的n型杂质）或硅化物为例的材料，或者可以由它们形成。在可选的示例性实 施例中，可以省略欧姆接触件161、163、165和169。例如，在半导体151是氧化物半导体的 一个示例性实施例中，可以省略欧姆接触件161、163、165和169。
[0060] 包括多条数据线171和多个漏电极175的数据导体设置在欧姆接触件161、163、 165 和 169 上。
[0061] 数据线171传输数据信号，并且大体上沿坚直方向延伸以与栅极线121交叉。每 条数据线171包括朝向栅电极124延伸的多个源电极173和用于与另一个层或外部驱动电 路连接的具有宽区域的数据焊盘部分179。产生数据信号的数据驱动电路（未示出）可以 设置（例如，安装）在附着在绝缘基板110上的柔性印刷电路膜（未示出）上，或者直接安 装在绝缘基板110上。
[0062] 数据线171可以周期性地弯折，并相对于栅极线121的延伸方向具有倾斜角度。栅 极线121的延伸方向和数据线171之间的倾斜角度可以等于或大于大约45°。在根据本发 明的薄膜晶体管阵列面板的可选示例性实施例中，数据线171可以沿直线线性地延伸。
[0063] 漏电极175包括杆状端（基于栅电极124而面对源电极173)和具有宽的区域的 一端。
[0064] 数据导体171和175可以具有单层结构，或者包括两个或更多个导电层的多层结 构。
[0065]栅电极124、源电极173和漏电极175可以与半导体的突起154 -起共同限定作 为开关元件的薄膜晶体管（TFT)。除了其中设置有薄膜晶体管的半导体151的突起154之 夕卜，半导体151可以具有与数据线171、漏电极175以及欧姆接触件161、165和169的在数 据线171和漏电极175下方的部分的形状基本相同的平面形状。
[0066] 第一钝化层180x设置在数据线171、漏电极175以及半导体151的暴露部分上。 例如，第一钝化层180x可以包括诸如氮化硅（SiNx)或氧化硅（SiOx)的无机绝缘材料，或者 可以由它们形成。
[0067] 有机绝缘层80设置在第一钝化层180x上。有机绝缘层80的表面可以是大体上 平的。例如，有机绝缘层80可以包括感光性材料或非感光性材料，或者可以由它们形成。
[0068] 在示例性实施例中，使漏电极暴露的第一接触孔185a被限定为穿过有机绝缘层 80,第四接触孔181和第五接触孔182分别被限定为穿过栅极焊盘部分129和数据焊盘部 分179中的有机绝缘层80。在该实施例中，可以通过将有机绝缘层80的一部分从与栅极焊 盘部分129和数据焊盘部分179对应的区域去除，来形成穿过有机绝缘层80的接触孔。在 该工艺中，可以在栅极焊盘部分129和数据焊盘部分179上应用有机绝缘层80,然后蚀刻以 形成第四接触孔181、第五接触孔182等。
[0069] 在示例性实施例中，有机绝缘层80的第一接触孔185a形成为暴露漏电极175的 部分区域，用于以下将描述的漏电极175和像素电极191之间的物理连接和电连接，并且作 为本发明的示例，漏电极175的一端是暴露的。
[0070] 虽然未示出，但是在根据本发明的薄膜晶体管阵列面板的可选示例性实施例中， 滤色器可以设置在有机绝缘层80的下方。在该实施例中，薄膜晶体管阵列面板还可以包括 设置在有机绝缘层80上的层。例如，在一个示例性实施例中，薄膜晶体管阵列面板还可以 包括设置在滤色器上的覆盖层，以防止滤色器的颜料流入液晶层中，例如，覆盖层可以包括 诸如氮化娃（SiNx)的绝缘材料或者可以由其形成。
[0071] 共电极131设置在有机绝缘层80上。共电极131可以由诸如氧化铟锡（IT0)或 氧化铟锌（IZ0)的透明导电材料制成。在示例性实施例中，共电极131可以具有平面形状 或板形状，但共电极131不限于此。在可选的示例性实施例中，共电极131可以具有分支形 状。在共电极131具有分支形状的示例性实施例中，像素电极191可以具有平面形状。
[0072] 在示例性实施例中，