如可包括诸如炭黑或光敏有机材料的颜料。
[0095]参照图6，在栅极线121的凹入部分25的侧面中，右侧面可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分，并且两个面对的部分和其间的区域被称为第一光泄露部分BMa。
[0096]参照图7，在栅极线121的凹入部分25的侧面中，下侧面可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分，并且两个面对的部分和其间的区域被称为第二光泄露部分BMb。
[0097]参照图8，在栅极线121的凹入部分25的侧面中，左侧面可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分，并且两个面对的部分和其间的区域被称为第三光泄露部分BMcl和BMc2。
[0098]具体地，漏电极175的连接部分176可在栅极线121的凹入部分25的左侧面附近绕过。当数据导体包括诸如金属的非透明导电材料时，漏电极175的连接部分176可防止光泄露，从而使第三光泄露部分BMcl和BMc2可被分成相对于连接部分176在平面视图中分别向上和向下放置的下第三光泄露部分BMcl和上第三光泄露部分BMc2。
[0099]返回参照图4,第一遮光构件220a可同时与第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb和下第三光泄露部分BMcl重叠并将其覆盖，并且第二遮光构件220b与第一遮光构件220a分离并且可仅与上第三光泄露部分BMc2重叠并将其覆盖。
[0100]可在栅极线121与漏极175或像素电极191之间产生由栅极信号与由漏电极175或像素电极191传输的数据电压之间的电压差引起的包括水平分量的边缘场。该电场影响液晶分子31的排列，从而可能不期望地产生光泄露。具体地，栅极线121大部分时间传输一个帧的栅极断开电压Voff，并且在该时，栅极断开电压Voff比数据电压小得多，从而进一步增加在栅极线121与漏电极175或像素电极191之间产生的电场的强度，并且因此，泄露光的强度可能更强。这在显示黑灰色的图像中进一步恶化，从而IXD的对比度可能退化，并且显示质量可能降低。如上所述，该光泄露可能主要在栅极线121的凹入部分25附近的光泄露部分BMa、BMb, BMcl和BMc2中产生。
[0101]如图4所示，在本发明的示例性实施方式中，所有光泄露部分BMa、BMb, BMcl和BMc2与第一遮光构件220a和第二遮光构件220b重叠，从而可阻挡由于在栅极线121与漏电极175或像素电极191之间的边缘场引起的光泄露。
[0102]第一遮光构件220a和第二遮光构件220b选择性地和最小化地仅设置在可能容易产生光泄露的光泄露部分BMa、BMb、BMcl和BMc2的区域，从而有效地限制遮光材料的数量。
[0103]另外，可通过栅极线121和数据线171的非透明导电材料来防止相邻像素PX之间的光泄露。当通过使用非透明导电材料来阻挡光泄露以防止由外部光的反射引起的质量退化时，例如，栅极线121和数据线171可包括具有低反射率的金属或具有低反射率的诸如钛(Ti)/IZO/铜(Cu)的沉积结构。
[0104]参照图4和图5，第一遮光构件220a和第二遮光构件220b可放置在下面板100上，并且详细地，在截面中，第一遮光构件220a或第二遮光构件220b的高度可高于像素电极191的高度。
[0105]如本发明的示例性实施方式，通过与TFT Q 一起将滤色器230以及遮光构件220a和220b放置在下面板100上，遮光构件220a和220b以及滤色器230与像素电极191和TFT Q之间的对准变得容易，从而可减小对准误差。因此，可防止由于这些组成元件之间的未对准而引起的IXD的光泄露或开口率退化，并且可增加透光率。
[0106]如上所述，由于仅第一遮光构件220a和第二遮光构件220b选择性地设置在作为最小区域的容易产生光泄露的光泄露部分BMa、BMb, BMcl和BMc2的区域上，如图4和图5所示，因此尽管遮光构件220a和220b邻近于液晶层3，也可最小化作为杂质流入或扩散至液晶层3的颜料成分(诸如遮光构件220a和220b的卤族元素)的量。因此，可防止由于流入液晶层3的杂质而引起的残留影象，并且可以增加LCD的可靠性。
[0107]接着，将参照图9和图10以及所描述的附图描述根据本发明的示例性实施方式的LCD。
[0108]图9和图10是沿着线V-V截取的图4中示出的IXD的截面视图。
[0109]根据示出的示例性实施方式的LCD基本上与图4至图8中示出的示例性实施方式相同，但是遮光构件220a和220b的位置可不同。
[0110]参照图9，遮光构件220a和220b可放置在像素电极191下面。详细地，与滤色器230相似，遮光构件220a和220b可放置在第一钝化层180a与第二钝化层180b之间。在该情况下，进一步减小遮光构件220a和220b的杂质流入液晶层3的可能性，从而可进一步增加LCD的可靠性。
[0111]参照图10，遮光构件220a和220b可被放置在上面板200上。S卩，遮光构件220a和220b可放置在基板210上。保护层250可进一步放置在遮光构件220a和220b上。保护层250可防止遮光构件220a和220b被暴露。
[0112]接着，将参照图11至图13以及所描述的附图描述根据本发明的示例性实施方式的 LCD。
[0113]图11至13是根据本发明的示例性实施方式的IXD的像素的平面视图。
[0114]根据示出的示例性实施方式的LCD与图4至图10中示出的示例性实施方式基本相同，但是遮光构件的形状可不同。
[0115]参照图11，根据本发明的示例性实施方式的IXD包括对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220。如上所述，遮光构件220可与栅极线121的凹入部分25附近的所有的第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMcl和上第三光泄露部分BMc2重叠并将其覆盖。因此，遮光构件220包括彼此连接的三个条形部分。遮光构件220可阻挡由栅极线121与漏电极175或像素电极191之间的边缘场引起的所有的光泄露。
[0116]参照图12，根据本发明的示例性实施方式的IXD包括对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220。根据不出的不例性实施方式的遮光构件220也可与由第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMcl和上第三光泄露部分BMc2封闭(enclose，围绕)的栅极线121的凹入部分25以及第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMcl和上第三光泄露部分BMc2重叠并将其覆盖。因此，遮光构件220在平面视图中可以是近似的凸多边形，例如，凸四边形。然而，遮光构件220的形状并不局限于此，并且覆盖栅极线121的凹入部分25的任何形状都是可以的。
[0117]参照图13，根据本发明的示例性实施方式的IXD包括对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220。根据示出的示例性实施方式的遮光构件220与图12中示出的示例性实施方式基本相同，但是可进一步限定在遮光构件220的中心处的开口 225。开口 225可与扩展部分177重叠。因此，遮光构件220在平面视图中可具有近似凸多边形的环状形状，例如，凸四边形的环状形状。根据示出的示例性实施方式的遮光构件220可与凹入部分25的上边缘部分重叠。然而，遮光构件220的形状并不局限于此，并且覆盖栅极线121的凹入部分25的边缘部分的任何形状(诸如环形曲线)都是可以的。
[0118]在图11至图13示出的示例性实施方式中，遮光构件220的位置也可如图9和图10中示出的示例性实施方式一样被不同地改变。将参照图14至图15以及所描述的附图描述根据本发明示例性实施方式的LCD的详细结构。
[0119]图14是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图，以及图15是沿着线XV-XV截取的图14中示出的LCD的截面视图。
[0120]根据示出的示例性实施方式的LCD与图4至图13中示出的示例性实施方式大部分相同，因此将描述差异。
[0121]参照图14和图15，根据本发明的示例性实施方式的IXD包括彼此面对的下面板100和上面板200以及插入在下面板和上面板之间的液晶层3。
[0122]上面板200包括基板210。
[0123]参考下面板100，包括多个栅极线121的栅极导体布置在基板110上。
[0124]栅极线121主要在水平方向上延伸并且包括栅电极124。可在栅电极124中限定凹入部分25。
[0125]栅极绝缘层140布置在栅极导体上，并且半导体154布置在栅极绝缘层140上。欧姆触点163和165可放置在半导体154上。
[0126]包括具有源电极173和漏电极175的数据线171的数据导体布置在欧姆触点163和165以及栅极绝缘层140上。
[0127]为了提高透光率，数据线171可在预定的间隔处弯曲。在示例性实施方式中，如图14所示，例如，每个数据线171可在对应于一个像素PX的水平中心线CL的部分至少弯曲一次。
[0128]漏电极175可包括与源电极173近似平行地延伸的条形部分、与其相对的扩展部分177和连接条形部分和扩展部分177的连接部分176。
[0129]第一钝化层180a放置在数据导体、栅极绝缘层140和半导体154的暴露部分上。
[0130]在示例性实施方式中，滤色器(未示出)可放置在第一钝化层180a上。在另一示例性实施方式中，滤色器230可放置在上面板200上。
[0131]在示例性实施方式中，第二钝化层180b放置在第一钝化层180a和滤色器上。可在第二钝化层180b中限定对应于漏电极175的部分的开口 185b。
[0132]对向电极270可放置在第二钝化层180b上。在示例性实施方式中，对向电极270可放置在具有平面形状的基板110的整个表面上。放置在相邻的像素PX的对向电极270被连接，从而接收预定幅度的公共电压。
[0133]可在对向电极270中限定对应于漏电极175的扩展部分177的开口 279。
[0134]第三钝化层180c可放置在对向电极270上。第三钝化层180c可包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在示例性实施方式中，第三钝化层180c可具有平坦的表面。
[0135]可在第一钝化层180a和第三钝化层180c中限定暴露漏电极175的接触孔185。在示例性实施方式中，可在第二钝化层180b的开口 185b内限定接触孔185，并且在另一示例性实施方式中，接触孔185的外部边界和开口 185b的外部边界可基本上一致。
[0136]在对向电极270的开口 279中限定接触孔185。即，对向电极270的开口 279可围绕接触孔185。
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