方”两种方位。所述装置可以被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并相应地解释这里使用的空间相对描述符。
[0053]这里所使用的“大约”或“大致”包括所述值并且意指在本领域的普通技术人员在顾及正在考虑的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的局限性)的情况下确定的对于特定值的偏差可接受范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30%、±20%、±10%、±5%内。
[0054]除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域和本公开的上下文中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或者过于形式化的意思解释它们的意思。
[0055]在此参照作为理想实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差而引起的示图的形状变化。因此，在此描述的实施例不应该被解释为局限于在此示出的区域的具体形状，而应该包括例如由制造导致的形状偏差。
[0056]在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。贯穿说明书，同样的附图标记指示同样的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。
[0057]现在，将参照图1至图3来描述根据本发明的示例性实施例的液晶显示器(IXD)。图1是根据本发明的示例性实施例的LCD的平面图，图2是沿着I1-1I线截取的图1的LCD的剖视图，图3是沿着II1-1II线截取的图1的IXD的剖视图。
[0058]参照图1至图3，根据本发明的示例性实施例的IXD包括彼此相对的第一显示面板100和第二显示面板200以及注入在显示面板之间的液晶(LC)层3。
[0059]首先，将描述第一显示面板100。
[0060]包括栅极线121和共电压线131的栅极导体设置在包括例如透明玻璃或塑料的第一绝缘基底110上。
[0061]栅极线121包括栅电极124以及用于与例如另一层或外部驱动电路连接的宽的栅极焊盘部分(未示出)。
[0062]共电压线131沿与栅极线121平行的方向延伸，并且包括沿数据线171延伸的方向延伸的主干部分132和延伸部分135。
[0063]在示例性实施例中，栅极导体121、124、131、132和135可以包括诸如铝(Al)或铝合金的铝基金属、诸如银(Ag)或银合金的银基金属、诸如铜(Cu)或铜合金的铜基金属、诸如钥(Mo)或钥合金的钥基金属、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)以及它们的任何组合。在另一示例性实施例中，栅极线121可以具有包括具有不同物理性质的至少两个导电层的多层结构。
[0064]包括例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)的栅极绝缘层140设置在栅极导体121、124、131、132和135上。在示例性实施例中，栅极绝缘层140可以具有包括具有不同物理性质的至少两个绝缘层的多层结构。
[0065]包括非晶硅或多晶硅的半导体154设置在栅极绝缘层140上。在示例性实施例中，半导体154可以包括氧化物半导体。
[0066]欧姆接触件163和165设置在半导体154上。在示例性实施例中，欧姆接触件163和165可以包括诸如η+氢化非晶硅的材料或硅化物的材料，其中，诸如磷的η型杂质以高浓度掺杂在η+氢化非晶硅中。欧姆接触件163和165成对地设置在半导体154上。在半导体154包括氧化物半导体的情况下，可以省略欧姆接触件163和165。
[0067]包括具有源电极173和漏电极175的数据线171的数据导体分别设置在欧姆接触件163和165上以及栅极绝缘层140上。
[0068]在示例性实施例中，数据线171包括用于与另一层或外部驱动电路连接的数据焊盘部分(未不出)。
[0069]数据线171传递数据信号并且主要沿着竖直方向延伸以在平面图中与栅极线121交叉。
[0070]在这种情况下，数据线171可以包括具有弯曲形状的第一弯曲部分以获得IXD的最大透射率，并且第一弯曲部分可以具有其中弯曲部分在像素区域的中间区域中相会的V字形状。
[0071]包括源电极173和漏电极175的数据线171在半导体154上面对栅电极124。
[0072]栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体154 —起提供一个薄膜晶体管(TFT)，并且TFT的沟道设置在源电极173和漏电极175之间的半导体154中。
[0073]在示例性实施例中，数据线171和漏电极175可以包括诸如钥、铬、钽和钛或者它们的合金的耐熔金属，并且可以具有包括耐熔金属层(未示出)和低电阻导电层(未示出)的多层结构。在示例性实施例中，多层结构可以包括例如具有铬或钥(合金)下层和铝(合金)上层的双层以及具有钥(合金)下层、铝(合金)中间层和钥(合金)上层的三层。然而，数据线171和漏电极175可以包括各种其它金属或除了金属之外的导体。
[0074]第一钝化层180a设置在数据导体171、173和175、栅极绝缘层140以及半导体154的暴露的部分上。在示例性实施例中，第一钝化层180a包括例如无机绝缘材料。
[0075]有机层80设置在第一钝化层180a上。在示例性实施例中，有机层80可以是滤色器。当有机层80是滤色器时，有机层80可以单独显示原色中的一种。在示例性实施例中，原色可以包括诸如红色、绿色和蓝色的三原色，或者黄色、青色和品红色等。虽然未示出，但是滤色器还可以包括显示除了原色之外的原色的混合色或白色的滤色器。
[0076]有机层80的表面是基本平坦的，从而减小了由多个下面的信号线引起的台阶。
[0077]像素电极191设置在有机层80上。在示例性实施例中，像素电极191设置在一个像素区域中，并且可以具有例如平面形状，即，板形状。
[0078]像素电极191通过限定在第一钝化层180a和有机层80中的第一接触孔185连接到漏电极175，从而从漏电极175接收数据电压。
[0079]第二钝化层180b设置在像素电极191上。第二钝化层180b包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
[0080]共电极270设置在第二钝化层180b上。共电极270设置在第一基底110的表面上，并且多个第一切口 71限定在位于像素区域处的共电极270中，第二切口 72限定在位于与诸如栅极线121或共电压线131的栅极导体叠置的非开口区域处的共电极270中。共电极270包括由多个第一切口 71限定的多个分支电极271。多个分支电极271与平面形状的像素电极191叠置。
[0081]虽然未示出，但是根据本发明的另一示例性实施例的LCD，切口还可以限定在位于与第一接触孔185叠置的区域处的共电极270中。通过在与第一接触孔185叠置的区域处限定切口，可以有效地减小共电极270和像素电极191之间的叠置区域，因此，可以防止共电极270和像素电极191之间的电容的不必要的增加，从而防止充入像素电极191的电压的信号延迟。
[0082]第三切口 81限定在位于与共电极270的第二切口 72的位置相同的位置处的第二钝化层180中，并且具有与第二切口 72相同的平面形状，具有与共电极270的多个第一切口 71相同的平面形状的多个第四切口 82限定在第二钝化层180b中。
[0083]详细地，共电极270的限定在非开口区域处的第二切口 72的边缘与第二钝化层180b的第三切口 81的边缘叠置，共电极270的限定在像素区域处的多个第一切口 71的边缘与第二钝化层180b的多个第四切口 82的边缘叠置。
[0084]共电极270通过限定在栅极绝缘层140、第一钝化层180a、有机层80和第二钝化层180b中的第二接触孔186连接到共电压线131的延伸部分135。然而，在根据本发明的另一示例性实施例的LCD中，共电压线131可以设置在显示区域的外部，共电极270被施以来自显示区域的外部的共电压，共电压线131可以不设置在显示区域的内部。
[0085]虽然未示出，但是第一取向层可以被施加在共电极270上，第一取向层可以是水平取向层，并且可以在预定的方向上擦动。然而，在根据本发明的另一示例性实施例的LCD中，第一取向层可以包括光敏材料以进行光对准。
[0086]现在，将描述第二显示面板200。
[0087]第一间隔件325a和第二间隔件325b设置在包括例如透明玻璃或塑料的第二绝缘基底210上。
[0088]第一间隔件325a设置在与包括栅电极124、半导体154、源电极173和漏电极175的TFT叠置的位置处，第二间隔件325b设置在与共电极270的第二切口 72和第二钝化层180b的第三切口 81叠置的位置处。
[0089]虽然未示出，但是第二取向层可以施加在第二显示面板200的内表面上，第二取向层可以是水平取向层，并且可以在预定的方向上擦动。然而，在根据本发明的另一示例性实施例的LCD中，第二取向层可以包括光敏材料以进行光对准。
[0090]在示例性实施例中，LC层3包括具有正介电各向异性的LC材料。使LC层3的LC分子取向，从而使其长轴与显示面板100和200平行。然而，在根据本发明的另一示例性实施例的LCD中，LC层3可以具有负介电各向异性。
[0091]像素电极191从漏电极175接收数据电压，共电极270从设置在显示区域外部的参考电压施加单元接收具有预定电平的参考电压。
[0092]作为场产生电极的像素电极191和共电极270产生电场，使得LC层3的位于两个电极191和270上的LC分子沿着与电场的方向平行的方向旋转。穿过LC层的光的偏振根据LC分子的如上所述确定的旋转方向而变化。
[0093]如上所述，第一间隔件325a设置在与包括栅电极124、半导体154、源电极173和漏电极175的TFT叠置的位置处，第二间隔件325b设置在与共电极270的第二切口 72和第二钝化层180b的第三切口 81叠置的位置处。然而，在示例性实施例中，第一间隔件325a可以设置在不与TFT叠置的区域处。
[0094]如图2所示，共电极270的第二切口 72和第二钝化层180b的第三切口 81所在的区域的高度与其它区域的高度相比具有第一高度Hl的高度差。第一高度Hl具有第二钝化层180b的厚度和共电极270的厚度的合计值。
[0095]因此，设置在第二显示面板200处的第一间隔件325a不与第一显示面板100分离，第二间隔件325b和第一显示面板100之间的间距Wl大于第一高度H1。
[0096]如果第一间隔件325a的第二高度Ha和第二间隔件325b的第三高度Hb之间不存在差异，则作为主间隔件的第一间隔件325a与第一显示面板100的上表面接触，而作为子间隔件的第二间隔件325b与第一显示面板100的上表面具有与第一高度Hl基本相同的间距W1。第二高度Ha和第三高度Hb可以是间隔件