Coa阵列基板的长线修复方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种COA阵列基板的长线修复方法。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的发展，液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。
[0003] 目前，人们对于液晶显示器的显示品质的需求不断提高，因此将色阻和黑矩阵设 置在阵列基板上（ColorFilteronArray，简称C0A)的技术已经被越来越多的应用在液晶 显示器中。因为COA技术中的色阻和黑矩阵设置在阵列基板上，所以色阻层与金属线路的 对位更加准确，能够避免传统的阵列基板与彩膜基板对盒时产生的偏差导致开口率降低及 漏光的问题，从而提尚了液晶显不器的显不品质。
[0004] 在COA阵列基板的制造过程中，长线修复是一项重要制程，其原理是利用激光使 镀膜金属气化凝结在长线区域，形成长线金属，从而使断开的金属线能够通过长线金属重 新连接起来。长线修复是COA阵列基板制程的最后一步，因为长线修复工艺会使长线区域 的温度极高，所以位于长线区域的色阻会因为承受不了高温而发生碳化。碳化的色阻很容 易使长线金属脱落，导致长线修复的成功率降低。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种COA阵列基板的长线修复方法，以解决现有技术中长 线金属容易脱落的技术问题。
[0006] 本发明提供一种COA阵列基板的长线修复方法，包括：
[0007] 在第一长线区域的两端开设第一过孔，露出待修复金属线；
[0008] 去除所述第一长线区域的透明电极和色阻，形成第一沟槽；
[0009] 在所述第一沟槽中形成第一长线金属，使所述第一长线金属的两端与所述待修复 金属线通过所述第一过孔连接。
[0010] 优选的是，所述去除所述第一长线区域的透明电极和色阻，具体为：
[0011] 利用激光，去除所述第一长线区域的透明电极；
[0012] 利用激光，去除所述第一长线区域的色阻。
[0013] 优选的是，所述第一长线金属为钨或钼。
[0014] 在一种实施方式中，所述待修复金属线位于第二金属层。
[0015] 在另一种实施方式中，所述待修复金属线位于第一金属层。
[0016] 进一步的是，如果所述第一长线金属与位于第二金属层的数据线存在交叠，则所 述长线修复方法还包括：
[0017] 在与所述第一长线金属交叠处，切断所述数据线。
[0018] 进一步的是，该长线修复方法还包括：
[0019] 修复所述数据线，具体为：
[0020] 在第二长线区域的两端开设第二过孔，露出所述数据线；
[0021] 去除所述第二长线区域的透明电极和色阻，形成第二沟槽；
[0022] 在所述第二沟槽中形成第二长线金属，使所述第二长线金属的两端与所述数据线 通过所述第二过孔连接。
[0023] 优选的是，所述第一长线区域与所述第二长线区域互不交叠。
[0024] 优选的是，所述第二长线金属为钨或钼。
[0025] 本发明带来了以下有益效果：本发明提供的COA阵列基板的长线修复方法中，在 第一长线区域的两端开设第一过孔之后，去除了第一长线区域的透明电极和色阻，形成了 第一沟槽。因为第一长线区域中的色阻已经被去除，所以在第一沟槽中形成第一长线金属 时，也不会造成第一长线区域的色阻碳化，从而解决了长线金属脱落的技术问题，大幅提高 了长线修复的成功率。
[0026] 本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利 要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0027] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的 附图做简单的介绍：
[0028] 图1是本发明实施例一提供的COA阵列基板进行长线修复的示意图一；
[0029] 图2是图1中沿A-A线的剖面图；
[0030] 图3是本发明实施例一提供的COA阵列基板进行长线修复的示意图二；
[0031] 图4是图3中沿B-B线的剖面图；
[0032] 图5是本发明实施例二提供的COA阵列基板进行长线修复的示意图一；
[0033] 图6是图5中沿C-C线的剖面图；
[0034] 图7是本发明实施例二提供的COA阵列基板进行长线修复的示意图二。
【具体实施方式】
[0035] 以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用 技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明 的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合， 所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0036] 实施例一:
[0037] 本发明实施例提供一种COA阵列基板的长线修复方法，可应用于COA阵列基板的 长线修复制程中。如图1和图2所示，本实施例中的COA阵列基板包括玻璃基板1、位于第 一金属层的扫描线21、位于第二金属层的数据线22、第一绝缘层31、第二绝缘层32、色阻 41、色阻42、透明电极5。其中，第一绝缘层31和第二绝缘层32通常可选用氮化硅材料，透 明电极5通常可选用铟锡氧化物（ITO)，数据线22为本实施例中的待修复金属线。
[0038] 在确定了长线区域之后，即可进行长线修复，该长线修复方法包括：
[0039] Sll:在长线区域的两端开设过孔6,露出数据线22。
[0040] 如图1所示，利用激光在长线区域的两端进行打孔，所形成的过孔6应当穿透数据 线22上方的第二绝缘层32、色阻41、42等结构，使数据线22暴露出来。
[0041] S12 :去除长线区域的透明电极5和色阻41、42,形成沟槽。
[0042] 如图1和图2所示，首先利用适当的小能量的激光，去除长线区域的透明电极5。 然后再利用适当的小能量的激光，去除长线区域的色阻41、42,形成沟槽7。为了保证长线 区域的色阻41、42能够完全去除，沟槽7应当具有足够的深度，可以深至去除掉部分第二绝 缘层32。
[0043] 以上两次使用的小能量的激光的具体参数，可以针对不同规格的COA阵列基板通 过实验调试得出。
[0044] S13 :在沟槽7中形成长线金属8。
[0045] 如图3和图4所示，利用激光使镀膜金属气化凝结在沟槽7中，形成长线金属8,并 且使长线金属8的两端与数据线22通过过孔6连接，从而实现数据线22的长线修复。本 实施例中的长线金属8优选为钨或者钼。
[0046] 本发明实施例提供的COA阵列基板的长线修复方法中，在长线区域的两端开设过 孔6之后，去除了长线区域的透明电极5和色阻41、42,形成了沟槽7。因为长线区域中的 色阻41、42已经被去除，所以在沟槽7中形成长线金属8时，也不会造成长线区域的色阻碳 化，从而解决了长线金属脱落的技术问题，大幅提高了长线修复的成功率。
[0047] 实施例二:
[0048] 如图5和图6所示，本实施例中的COA阵列基板与实施例一基本相同，包括玻璃基 板1、位于第一金属层的扫描线21、位于第二金属层的数据线22、第一绝缘层31、第二绝缘 层32、色阻41、色阻42、透明电极5。本