图3，设置在所述钝化层图形4之上的第二导电层图形，所述第二导电层图形包括位于遮光区域A内，且通过所述第一过孔41与所述薄膜晶体管3的漏极32连接的导接图形51 ;所述遮光区域A为所述栅线1、所述数据线2以及所述薄膜晶体管3所限定的区域，需要说明的是，此处遮光区域A的边界可与栅线1、所述数据线2以及所述薄膜晶体管3边界重合，也可以如图2所示，将栅线1、所述数据线2以及所述薄膜晶体管3的边界略微外移了一点，作为遮光区域A的边界。
[0041]其中，在本发明所有实施例中，将由第二导电层薄膜经构图得到的图形统称为第二导电层图形。其中构图工艺一般包括掩膜、曝光、显影等工艺，当然还可以进一步包括刻蚀、剥离等。需要说明的是，第二导电层图形可以仅包括位于遮光区域A内，且通过所述第一过孔41与所述薄膜晶体管3的漏极32连接的导接图形51外，还可以根据需要进一步包括其他图形。
[0042]由于导接图形51位于遮光区域A内，因此其透光或不透光均是可以的。当所述第二导电层图形仅包括所述导接图形51时，所述第二导电层图形可以为不透光材料，也可以为透光材料。当所述第二导电层图形还包括其他图形时，可以根据其他图形透光性的需求选择材料。
[0043]设置在所述第二导电层图形之上的彩膜层图形6，所述彩膜层图形6具有对应所述导接图形51的第二过孔61。此处的“对应”是指，从垂直于透明基板6的方向来看，所述导接图形51和第二过孔61具有交叠的区域，通常第二过孔61在所述导接图形51所在区域以内，以保证所述导接图形51可通过第二过孔61与其他图形连接。
[0044]其中，所述栅线I和数据线2可以是采用金属材料等形成的，而薄膜晶体管3的源极31和漏极32也可以是采用金属材料等形成的；所述钝化层图形4可以是采用氮化硅或透明的有机树脂材料等绝缘材料形成的，所述第二导电层图形可以是采用ITO(IndiumTin-Oxide，氧化铟锡)材料等形成的，由于ITO具有高的导电率和高的光透过率等优点，因此，较佳的，所述第二导电层图形采用ITO材料制成。
[0045]需要说明的是，一方面，所述钝化层图形4通常采用氮化硅、氧化硅和氮氧化硅等材料，因而，在所述钝化层图形上形成所述第一过孔41时会发生孔缩，而所述彩膜层图形6通常采用彩色树脂材料，在所述彩膜层图形6上形成所述第二过孔61时不会发生孔缩，这样，使得所述第二过孔61的孔径尺寸较所述第一过孔41大；另一方面，钝化层图形4的厚度可以根据实际需要进行设置，一般只要保证其上下两层之间在过孔以外的区域绝缘即可，在此不做限定。通常在保证钝化层图形4能起到绝缘作用的前提下，其厚度越薄越好；因而，所述彩膜层图形6的厚度通常大于所述钝化层图形4的厚度，因此，在所述彩膜层图形6上形成所述第二过孔61，在所述钝化层图形4上形成所述第一过孔41时，所述彩膜层图形6所需的刻蚀强度较所述钝化层图形4所需的刻蚀强度大，这样，使得所形成的第二过孔61的孔径尺寸与所述第一过孔41的孔径尺寸相比较大。鉴于这两方面的原因，所述第二过孔61的孔径尺寸大于所述第一过孔41的孔径尺寸。
[0046]具体的，所述钝化层图形4具有对应漏极32位置的第一过孔41，所述导接图形51通过所述第一过孔41与所述薄膜晶体管3的漏极32电连接，而所述彩膜层图形6具有对应所述导接图形51的第二过孔61，所述第二过孔61为彩膜过孔，所述彩膜过孔61与所述第一过孔41相比尺寸较大，将其形成于所述导接图形51的上方时，能够为减小漏极32尺寸提供条件，同时，通过上所述导接图形51还能够将所述彩膜层图形6上方的图形通过所述第二过孔61与所述漏极32电连接。
[0047]本发明实施例提供一种COA基板，其中，彩膜层图形6具有对应所述导接图形51的第二过孔61，由于所述第二过孔61为彩膜过孔，彩膜过孔61的尺寸较大，通过将所述彩膜过孔61形成于所述导接图形51上方，这样使得彩膜过孔61的尺寸只会影响到导接图形51的尺寸，而与漏极32尺寸无关，因此可以为减小漏极32的尺寸提供条件；并且，由于导接图形51位于所述栅线1、所述数据线2以及所述薄膜晶体管3所限定的区域，具有较大的空间可以容纳所述第二过孔61，此时无需像现有技术一样增大漏极32尺寸，从而相对于现有技术而言减小了遮光区域A，提高像素的开口率。同时，由于无需增大漏极32尺寸，因此能够在一定程度上降低漏极32反射所造成的漏光，从而提升产品的显示品质。解决了现有技术中彩膜过孔形成于所述漏极上方，使得漏极尺寸相应较大，造成产品的开口率降低以及漏极反射容易引起漏光的问题。
[0048]需要说明的是，所述COA基板中的栅线1、数据线2、薄膜晶体管3的源极31与漏极32上方通常设置黑矩阵7来遮光，在本发明实施例中可以设置黑矩阵7也可以不设置黑矩阵7，在此不做限定。
[0049]实施例二
[0050]本发明又一实施例中，参见图4，在实施例一的基础上，所述COA基板还包括:设置在所述钝化层图形4之上、且所述第二导电层图形之下的黑矩阵7 ;所述黑矩阵7位于除所述第一过孔41所在位置的所述遮光区域A内。
[0051 ] 需要说明的是，通常所述钝化层图形4比较薄，在所述钝化层图形4上直接设置所述第二导电层图形时，所述薄膜晶体管3和所述第二导电层图形之间的耦合电容较大，容易出现信号延迟，造成产品的画面显示异常等问题。而黑矩阵7通常为绝缘的黑色树脂材料，本发明实施例通过在所述钝化层图形4之上、所述第二导电层图形之下设置黑矩阵7，一方面，能够减少所述薄膜晶体管3的源极31和所述第二导电层图形之间的耦合电容，避免出现信号延迟，提升了画面的显示品质，另一方面，与现有技术中彩膜层6和黑矩阵7位于彩膜基板上相比，本发明实施例所述COA基板不需要考虑对盒时的偏差，因此可以在保证黑矩阵7能够遮挡栅线1、数据线2和薄膜晶体管3等需遮光的结构的前提下，适当减小黑矩阵7的宽度，从而提高开口率。
[0052]当然，在不设置黑矩阵7时，仅由所述基板中的栅线1、数据线2、薄膜晶体管3的源极31与漏极32来进行遮光，也能够提高产品的开口率。不影响本发明目的的实现。
[0053]需要说明的是，本发明所有实施例中仅对和发明点相关的加以介绍，对于和发明点无关的部分省略或仅简单介绍，本领域技术人员可以参考现有技术了解。例如，所述彩膜层图形6上方还可以设置其他图形，如像素电极层图形、公共电极层图形等，对所述彩膜层图形6上方的图形不做限定。优选的，参见图5，在实施例二的基础上，所述COA基板还包括:设置在所述彩膜层图形6之上的像素电极层图形；所述像素电极层图形包括多个像素电极8，且所述像素电极8通过所述第二过孔61与所述导接图形51电连接。当然，在本发明实施例的基础上也可设置公共电极层图形，本领域技术人员可以根据上述描述了解该结构，在此不加赘述。
[0054]通常，所述彩膜层图形6采用的是绝缘性的树脂材料，所述像素电极8通过第二过孔61与所述导接图形51电连接，而所述导接图形51通过所述第一过孔41与所述薄膜晶体管3的漏极32电连接，因而，所述像素电极8通过所述导接图形51与所述薄膜晶体管3的漏极32电连接。
[0055]另一方面，本发明实施例提供一种显示装置，包含如上述所述的COA基板。
[0056]该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述实施例，重复之处不再赘述。
[0057]再一方面，本发明实施例提供一种COA基板的制作方法，包括以下步骤:
[0058]1、形成栅线、以及包括所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极的第一导电层图形。
[0059]具体为，参见图6，可以采用磁控溅射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉积一层金属薄膜，该金属薄膜通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成栅金属层图形，栅金属层图形包括栅线I以及突出与栅线的栅极34。
[0060]之后，在所述栅金属层图形上形成栅绝缘层(图6中未标识，可参见图3中的10)。
[0061]具体的，可以利用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在玻璃基板上沉积栅电极绝缘层薄膜，该栅绝缘层薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
[0062]接着，在栅绝缘层上形成有源层。
[0063]其中，在